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公开(公告)号：CN103008623A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210569749.9
申请日：2012-12-25
Applicant: 上海大学
IPC: B22D27/02
Abstract: 本发明公开了一种利用强磁场细化晶粒的方法，利用强磁体产生稳恒强磁场，金属熔体在稳恒强磁场作用下过冷至熔点以下某一温度，并在过冷温度范围内迅速浇注，实现晶粒细化。本发明还公开了一种金属凝固铸造装置，坩埚的外围包绕设置强磁体，强磁体向坩埚中的金属熔体施加稳恒强磁场，通过调节强磁体使金属熔体的温度降到该金属熔点与强磁场下形核温度之间，使金属熔体处于过冷状态，通过调节强磁体的磁场强度来控制金属熔体的过冷度，开启塞棒，使处于过冷态的金属熔体迅速倒入铸模中凝固，获得晶粒细小的金属凝固组织。本发明增大形核过冷度，增加形核速率，实现铸坯晶粒细化，且这种晶粒细化方法设备及工艺简单，有利于大规模工业化生产应用。
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公开(公告)号：CN102357654A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110305633.X
申请日：2011-10-11
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提出了一种超声波调制定向凝固液固界面的方法与装置。本方法是在结晶器外围液固界面附近加一组超声波，超声波在液相中传播形成声流，声流使液相发生强迫流动并搅拌液相。声流强度与超声波发射功率和频率相关，调制超声波发射功率和频率能获得平整的液固界面。该装置是在炉体下端隔热层中加一组超声波发射探头，探头外接超声信号源。通过调节施加的超声波精确控制熔体流动，使液固界面径向温度和溶质重新分布均匀，确保凝固材料以平界面方式生长，减少缺陷，提高晶体质量和制备效率。
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公开(公告)号：CN101332530B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810040624.0
申请日：2008-07-16
Applicant: 上海大学
IPC: B23K9/08
Abstract: 本发明涉及一种磁透镜作用下振荡焊接方法及磁透镜装置。本方法是通过外加磁场控制焊接电弧；并在直流焊接过程中施加交变磁场，而在交流焊接过程中施加直流静磁场，产生电磁振荡；同时通过磁透镜装置对焊接电弧进行有效控制。磁透镜装置有安置在焊缝上方的双极靴磁透镜装置和安装在焊缝正下方的单极靴磁透镜装置。本发明施加电磁振荡，焊缝晶粒组织由原粗大的柱状晶转变为细小的等轴晶，使用磁透镜装置，其极靴附近磁场强度可提高一倍，能更有效控制电弧。本发明提供的磁透镜装置，设计合理，结构简单紧凑，易于实现，便于操作。
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公开(公告)号：CN100509212C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710171807.1
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/115
Abstract: 本发明涉及一种铸结晶器内钢液流场动态控制装置。它包括两个分离的磁轭和两个磁极组分别置于结晶器铜板外侧，磁极组的一端与磁轭紧密接触，产生闭合回路；有两个线圈框将多个磁极固定组成磁级组，而其外壁缠绕线圈；磁级组的另一端与结晶器铜板接触，在磁极组之间产生静磁场。本发明可通过调整结晶器宽度上不同位置的磁场强度和改变磁极与浸入式水口的相对位置，从而控制和优化结晶器内钢液流场，满足高速、高效和高铸坯质量的要求。
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公开(公告)号：CN101376173A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810200307.0
申请日：2008-09-24
Applicant: 上海大学
IPC: B22F9/12
Abstract: 本发明提供一种控制纳米粉体粒径的方法，该法不需要改动制备装置，只需要在以电阻、高频感应、等离子体、电子束、激光等为加热源的蒸发冷凝法制备纳米粉体过程中，在蒸发冷凝处施加0.1～14T的超导强磁场。由于磁场改变蒸发原子的临界形核能进而改变其形核浓度和形核速度，从而达到通过调节磁场强度来控制纳米粉体粒径的目的。该法提高蒸发冷凝法制备纳米粉体的效率，均一性和粒径调节的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101314183A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810036378.1
申请日：2008-04-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 该发明是一种通过在磁场下溶剂热合成单晶铋纳米线的方法。利用磁场诱导各向异性生长的特性，通过铋酸钠和乙二醇之间的多羟基还原反应获得单晶铋纳米线。整个反应过程在磁场下进行，合成得到的Bi纳米线直径40纳米，长度10－50微米。本方法简便、安全、可重复性高、产量高、产物结晶性好，合成得到的铋纳米线可广泛应用于物理，化学，材料，微电子等领域。本发明也为不利于长成纳米线的材料提供了一种新的思路和手段。
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公开(公告)号：CN101185957A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710171807.1
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/115
Abstract: 本发明涉及一种铸结晶器内钢液流场动态控制装置。它包括两个分离的磁轭和两个磁极组分别置于结晶器铜板外侧，磁极组的一端与磁轭紧密接触，产生闭合回路；有两个线圈框将多个磁极固定组成磁级组，而其外壁缠绕线圈；磁级组的另一端与结晶器铜板接触，在磁极组之间产生静磁场。本发明可通过调整结晶器宽度上不同位置的磁场强度和改变磁极与浸入式水口的相对位置，从而控制和优化结晶器内钢液流场，满足高速、高效和高铸坯质量的要求。
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公开(公告)号：CN101185956A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710171810.3
申请日：2007-12-06
Applicant: 上海大学
IPC: B22D11/11
Abstract: 本发明公开了一种可控制初始凝固的金属连铸结晶器复合装置，属金属连铸工艺技术领域。本发明装置在原有结晶器基础上进行改进设计，以便更好地控制初始凝固坯壳的生长，得到更好的坯壳质量。本发明装置的特点是通过设置一个加热感应线圈来加热结晶弯月面附近的金属液和保护渣来改善凝固坯壳的微观组织结构和坯壳与结晶器之间的润滑效果，从而减少坯壳缺陷，提高初始凝固坯壳的强度，并且有利于连铸效率的提高。本发明装置的结构包括有：加热线圈(1)、结晶器(2)、冷却水壳体(3)、振动装置(4)、坯壳(5)、金属液中间包(6)、浸入式水口(7)、保护渣(8)、金属液(9)和引锭杆(10)。本装置结构简单，容易操作，便于实现工业化应用。
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公开(公告)号：CN101181743A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710047479.4
申请日：2007-10-26
Applicant: 上海大学
IPC: B22D21/02 , B22D11/117
Abstract: 一种设有气体保护密封系统的金属铸造装置，属金属铸造工艺技术领域。本发明装置的特点是将金属加工的熔炼和连铸两个环节结合在一起，使熔炼好的金属直接进入铸模或结晶器凝固；同时在熔炼炉的敞开部分加装保护罩，充入惰性气体以避免熔融金属与空气接触而发生吸氧和氧化，以提高金属铸坯的质量。本发明装置的结构组成包括有：塞棒(1)、保护气体入口(2)和出口(15)、保护罩(3)、密封螺孔及螺栓(4)、密封圈(5)、熔炼炉(6)、感应线圈(7)、金属液(8)、分离环(9)、分离环加热感应线圈(10)、水冷结晶器(11)、结晶器支架(12)、连铸坯(13)和引锭杆。本发明装置除垂直式布置方式外还可有水平式布置方式；铸造过程方式可以是连续式的，也可以是半连续式的。
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公开(公告)号：CN1792792A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510110736.5
申请日：2005-11-25
Applicant: 上海大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明涉及一种静磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用强度为1～100T(特斯拉)的静磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。
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