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公开(公告)号：CN1412749A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02147334.X
申请日：2002-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/007
Abstract: 一种具有2个或更多信息层的光信息记录媒体，其特征在于：利用激光光束聚集于信息层，使信息信号被记录或再现；位于比离开激光光束入射方最远的信息层较为近的信息层具有1个记录层，该记录层在二种可光检测的状态之间变化，并且0≤|Tc－Ta|/Tc≤0.1，其中Tc是在记录层是a状态时较近位置的信息层的透射率，Ta是在b状态时的透射率。不论在较近的信息层上是否记录过任何信息，本发明可能使信息精确地记录在较远信息层上和从该层再现出来。
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公开(公告)号：CN1351379A
公开(公告)日：2002-05-29
申请号：CN01135992.7
申请日：2001-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器,包括:第一和第二记录层,用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息,该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度Tx1和TX2具有关系TX1 tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同,其中,非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1’晶相中第一记录层的电阻值为Rc1非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2,晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。
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公开(公告)号：CN1345053A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN01132834.7
申请日：2001-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/007 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/26 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 本发明的信息记录介质具有第1衬底11,相对第1衬底11配置的第2衬底12,在第1衬底11与第2衬底12之间配置的第1信息层13,在第1信息层13与第2衬底12之间配置的第2信息层14,在第1信息层13与第2信息层14之间配置的中间层15。第1信息层13包括在激光束35的作用下,在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第1记录层18,第2信息层14包括在激光束35的作用下,在晶体相与非晶相之间产生可逆相变反应的第2记录层27。第1记录层18含有Ge、Sn、Sb、Te,并且其厚度在9nm以下。
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公开(公告)号：CN1313592A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN01111350.2
申请日：2001-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种信息记录媒体及其制造方法,可以实现高密度记录,重复改写性能好,结晶化灵敏度随时间下降小。具有在基板11和基板11的上方配置的记录层14,记录层14的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1种元素M以及Ge、Sb、Te、Sn,而且,通过照射能量束,在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态。
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