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公开(公告)号：JP2021106226A
公开(公告)日：2021-07-26
申请号：JP2019237212
申请日：2019-12-26
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: B24B49/10 , B24B37/005 , H01L21/304
Abstract: 【課題】半導体ウェーハ用研磨布の使用開始時期を正確かつリアルタイムに判定する。 【解決手段】定盤の定盤負荷電流値の時間波形データを波形解析した結果と、研磨後の半導体ウェーハの研磨結果指標との対応関係に基づき判定条件をあらかじめ求め、新たな半導体ウェーハ用研磨布を用いて半導体ウェーハの研磨を順次行いつつ、定盤負荷電流値の時間波形データを波形解析して、前記判定条件を満足するか否か判定する。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2019119618A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253106
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明は、シリコン単結晶の引き上げを行った後、内表面側に設けられ、鉱化剤によってシリカガラスが結晶化された結晶層と、結晶層と接する非結晶層とが形成されるシリカガラスルツボの評価方法であって、記結晶層の表面のラマンスペクトルである第1ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における結晶層側のラマンスペクトルである第2ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における非結晶層側のラマンスペクトルである第3ラマンスペクトルを取得する工程と、第1ラマンスペクトル、第2ラマンスペクトルおよび第3ラマンスペクトルに基づきシリカガラスルツボの良否を判定する工程と、を備える。 【選択図】図9
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2017110763A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2016087858
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 内部残留応力が正確に測定されたシリカガラスルツボを提供すること。 本発明は、円筒状の側壁部と、湾曲した底部と、側壁部と底部との間に設けられ底部の曲率よりも高い曲率を有するコーナ部と、を備え、歪測定装置で測定されたシリカガラスルツボであって、歪測定装置は、側壁部の側方に配置され、偏光光を側壁部に向けて照射する発光部と、側壁部の上端面の偏光光に応じた映像を取り込む撮像部と、撮像部で取り込んだ映像に基づきシリカガラスルツボの歪の分布を出力する出力部と、を備える。
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公开(公告)号：JPWO2017110967A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017558244
申请日：2016-12-22
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 割れの起点となるおそれのあるクラックの存在を検査することが出来ない、という問題を解決することを解決すること。シリカガラスルツボの割れやすさを検査するルツボ検査装置であって、シリカガラスルツボの表面に設置され、当該シリカガラスルツボに所定の外力を加えた際に生じるAE(Acoustic Emission)波を検出するAE波検出手段を有する。また、ルツボ検査装置は、AE波検出手段による検出結果に基づいて、シリカガラスルツボの割れやすさを評価する。
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公开(公告)号：JP2017193484A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2017097304
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社SUMCO
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 【課題】シリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボの製造に好適なシリカ粉の評価方法の提供。 【解決手段】シリカ粉におけるシリカ粒子間の間隙率を測定する工程と、該シリカ粉を熔融する工程と、熔融シリカ粉を冷却し硬化させたシリカガラスブロックの気泡含有率を測定する工程と、シリカ粉におけるシリカ粒子間の間隙率と該シリカ分から得られたシリカガラスブロックの気泡含有率の関係から好適なシリカ粉であるか否かを判定する工程と、を有する、シリカ粉の評価方法。 【選択図】なし
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