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公开(公告)号：CN106884136B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710030980.3
申请日：2017-01-17
Applicant: 清华大学
IPC: C23C8/38
Abstract: 本发明公开了一种金属材料表面渗氮沉积复合减摩耐磨改性层的制备方法，属于金属材料表面处理技术领域。将金属材料工件表面磨平、抛光、清洗后，放置于空心阴极放电离子源渗氮炉内的阳极电位台上，炉内抽真空到10‑15Pa，充入氨气并维持工作气压100‑500Pa，在440‑520℃保温氮化8h，冷却后得到渗氮沉积复合减摩耐磨改性层。试样处于阳极电位，无需离子轰击，氮原子也可渗入奥氏体基体形成渗氮强化层，有效避免了边缘效应问题，整个表面的硬度是均匀的；金属工件经阳极渗氮后，表面形成了渗氮沉积层，减摩耐磨性能明显提升。
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公开(公告)号：CN106566592B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610942793.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 清华大学
IPC: C10M125/02 , C10M169/04 , C01B32/184 , C10N30/06 , C10N40/04 , C10N40/02 , C10N40/25
Abstract: 本发明提供了制备膨化石墨烯润滑剂添加剂的方法、膨化石墨烯润滑剂添加剂和润滑剂，该方法包括：(1)对石墨进行氧化处理，得到氧化石墨烯；(2)对所述氧化石墨进行高温膨化处理，得到膨化石墨烯；(3)对所述膨化石墨烯进行球磨处理，得到所述膨化石墨烯润滑剂添加剂。通过该方法能够快速有效的制备获得性能优异的膨化石墨烯润滑剂添加剂，步骤简单、操作方便，反应条件温和，对设备、技术人员没有特殊要求，且经济性好。
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公开(公告)号：CN108488051B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201810210407.5
申请日：2018-03-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种航空轴向柱塞液压泵及其斜盘，所述斜盘包括本体，所述本体的与航空轴向柱塞液压泵的滑靴配合的端面上具有上死点和下死点，所述上死点和所述下死点之间连线的两侧分别形成吸油冲程带和排油冲程带，所述吸油冲程带和/或所述排油冲程带设有沟槽，所述上死点位置附近和/或所述下死点位置附近设有凹坑。根据本发明实施例的斜盘，通过设置沟槽和凹坑，可提升滑靴副油膜成膜及润滑特性，滑靴副承载能力强，耐压耐磨特性好，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN103230884B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310146913.X
申请日：2013-04-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的刷洗装置。所述用于晶圆的刷洗装置包括：用于支撑晶圆的支撑件；第一毛刷和第二毛刷，所述第一毛刷和所述第二毛刷相对地且间隔开地设置以分别用于刷洗所述晶圆的两个表面；和丝杠组件，所述丝杠组件与所述第一毛刷和所述第二毛刷均相连，所述丝杠组件带动所述第一毛刷和所述第二毛刷在与所述晶圆的两个表面正交的方向上移动。根据本发明实施例的用于晶圆的刷洗装置具有刷洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN103676880B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310684501.1
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02
Abstract: 本发明提出一种CMP集成控制系统的通讯模块，该CMP集成控制系统包括：主工控机、下位机组和二级工控机，该通讯模块用于实现主工控机与下位机组和二级工控机之间的通讯，其包括：OPC访问子模块和TCP/IP访问子模块，且两个子模块并行工作；主工控机通过OPC访问子模块从下位机组获取多个工艺单元的状态信息和过程参数，并向下位机组发送控制多个工艺单元运行的控制指令、工艺配方及工艺参数，以及通过TCP/IP访问子模块向二级工控机发送控制指令以便二级工控机控制被集成单元执行相应的动作，并接收二级工控机的反馈。本发明实施例的通讯模块具有安全、稳定及可靠的优点，且该通讯模块便于维护，可扩展性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103231303B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310180314.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光设备。所述化学机械抛光设备包括：用于存放晶圆的晶盒装载装置；用于输送晶圆的晶圆转移装置；第一机械手；化学机械抛光机；用于放置晶圆的晶圆过渡装置；第二机械手；晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括具有第一容纳腔的第一本体、设在第一容纳腔内的第一晶圆支撑组件和设在第一本体上的晶圆清洗组件；晶圆刷洗装置，晶圆刷洗装置包括具有第二容纳腔的第二本体以及设在第二容纳腔内的晶圆刷洗组件和第二晶圆支撑组件；晶圆干燥装置，晶圆干燥装置包括具有第三容纳腔的第三本体以及设在第三容纳腔内的晶圆干燥组件和第三晶圆支撑组件；和第三机械手。根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有清洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN103144027B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310113402.8
申请日：2013-04-02
Applicant: 清华大学
IPC: B24B41/047
Abstract: 本发明公开了一种用于抛光头的气缸。所述气缸包括缸体，缸体内具有腔室，缸体上设有第一和第二进气通道；活塞，活塞设在腔室内以将腔室分隔为上子腔室和下子腔室，其中第一进气通道与上子腔室连通且第二进气通道与下子腔室连通；和活塞杆，活塞杆设在腔室内且活塞杆的下端伸出缸体，活塞杆与活塞相连以便在活塞的带动下上下移动，其中腔室的顶壁和活塞杆的上表面中的一个上设有凹槽，腔室的顶壁和活塞杆的上表面中的另一个上设有配合在凹槽内的凸起，凹槽的形状与凸起的形状适配以便缸体带动活塞杆旋转。根据本发明实施例的用于抛光头的气缸不仅可以带动晶圆上下移动，而且可以传递较大的扭矩。
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公开(公告)号：CN102539539B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210018026.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种基于声发射的空蚀检测方法，包括以下步骤：使用声发射传感器采集空蚀发展过程中单位时间长度的声发射信号；对采集的所述声发射信号按照设定层数进行小波分解得到小波系数，并得到所述小波系数所在的频段与空蚀的相关程度，按照所述相关程度和设定层数对所述小波系数去噪；使用去噪后的所述小波系数进行信号重构，得到重构信号；设定所述重构信号的参数估计阈值和计数时间间隔；计算所述重构信号的声发射事件数和声发射事件平均能量；根据所述声发射事件数和所述声发射事件平均能量判断空蚀发展过程中塑性变形和质量损失情况。本发明针对声发射信号的特点去噪，使用简单的估计参数表征空蚀过程中塑性变形和质量损失的发展情况。
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公开(公告)号：CN102519413B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110452330.0
申请日：2011-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明公开一种用于晶圆台的晶圆膜厚度测量误差补偿的时空变换方法，包括如下步骤：测量系统误差并存入测量数据库；控制系统控制升降气缸升起以接收晶圆，控制电机旋转以检测电机的零位点，根据电机的零位点建立电机极坐标系，控制电机停止并退回至电机的零位点；吸盘对晶圆进行吸附并控制升降气缸下降；控制电机旋转360度以检测晶圆的缺口以及角度值，根据晶圆的缺口定位晶圆极坐标系，将晶圆的缺口处的角度值发送至测量数据库；晶圆测量系统对晶圆进行测量以获得晶圆的初始膜厚值并根据系统误差和晶圆的缺口处的角度值对初始膜厚值进行补偿，获得膜厚修正值。本发明可以实现对测量得到的晶圆的膜厚的误差补偿，得到更为精确的膜厚值。
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公开(公告)号：CN103679368A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310683737.3
申请日：2013-12-13
Applicant: 清华大学
IPC: G06Q10/06
Abstract: 本发明提出一种晶圆CMP加工信息管理系统，用于科学地管理每一片晶圆的CMP加工信息，方便工艺人员登录和访问数据库，包括：客户端，用于向服务器端发出访问请求建立连接并要求各项服务；以及服务器端，用于响应客户端的访问请求与客户端建立连接，并提供服务。客户端运行在上位机IPC中。服务器端，利用MySQL数据库管理系统建立数据库，用于记录和保存被提交的数据。数据库中，根据晶圆编号、晶圆状态、加工时间和工艺配方名称等主要字段，建立一系列完整的晶圆CMP加工信息数据表格。对于MySQL数据库的访问方法，本发明利用Qt的数据库访问接口，自行编译MySQL数据库驱动。数据库登陆成功后，客户端使用标准的SQL来对数据库进行操作。
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