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公开(公告)号：CN109071845B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201780025032.9
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , B32B27/16 , C08F2/50 , C08J7/04 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜在照射能量射线从而制成保护膜时，具有该保护膜的、按照JIS Z0237：2010以倾斜角30°测定的滚球粘性值为2以下的特性。
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公开(公告)号：CN111279463B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880068603.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/52 , B32B7/023 , B32B27/30 , B23K26/53 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜(13)，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜(13)与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，对所述保护膜形成用膜(13)照射紫外线而制成保护膜时，该保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上。
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公开(公告)号：CN109075046B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201780025391.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301
Abstract: 本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。
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公开(公告)号：CN110211912B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910444689.X
申请日：2015-05-18
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/24 , C09J7/30
Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
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公开(公告)号：CN115132638A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210305547.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L23/544 , H01L21/67 , H01L21/50 , C09J7/29 , C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种即使在经过回流焊处理等加热工序的情况下印字的识别性仍高的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及带保护膜的工件加工物、以及具备带保护膜的工件加工物等的装置的制造方法。所述保护膜形成膜用于形成保护膜，其中，保护膜形成膜具有印字贯穿层与印字识别层，在CIE1976L*a*b*色空间中，于260℃加热5分钟后的印字贯穿层与印字识别层的色差为50以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110092937B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201910265151.2
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN111093986B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201880059994.0
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , H01L21/301 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片中的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该树脂成分(X)的HSP的极性项δP为7.5MPa1/2以下，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。
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公开(公告)号：CN111279463A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880068603.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/52 , B32B7/023 , B32B27/30 , B23K26/53 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜(13)，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜(13)与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，对所述保护膜形成用膜(13)照射紫外线而制成保护膜时，该保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上。
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公开(公告)号：CN106062927B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201480076732.7
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J7/40
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN109072009A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023956.5
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09D201/00 , B32B7/02 , C09D4/02 , C09D7/40 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种即使在氧气存在下、也能够防止发生固化不良的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，这样的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在所述保护膜形成用膜中，掺合有波长365nm的吸光系数为4.0×101ml/(g·cm)以上的光自由基引发剂。所述光自由基引发剂优选为在1分子内具有3个以上的芳香环的夺氢型光自由基引发剂，优选为在1分子内具有2个以上的光分解性基团的光自由基引发剂。
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