公开(公告)号：CN1728397A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510087979.1

申请日：2005-07-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渕圭司 ,  浦崎俊一

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37457 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 在布线层侧形成微型焊点34，37的背照型MOS(金属氧化物半导体)固态图像拾取器件32和在布线层侧在与MOS型固态图像拾取器件的微型焊点34，37相对应的位置上形成微型焊点35，38的信号处理芯片33通过微型凸块36，39连接。在包括MOS型固态图像拾取器件的半导体模块中，在可以提高图像处理速度的同时，可以实现画面内的同时性和可以提高画面质量，可以简化制造工艺，并且可以提高成品率。此外，可以降低同时驱动所有像素或大量像素时所需的功耗。

公开(公告)号：CN1631034A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN03803743.2

申请日：2003-02-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 马渕圭司

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/357

Abstract: 如果在未选择时使浮动节点的电位处在0V，则电子从浮动节点泄漏到发光二极管，从而生成了噪声。MOS型固态成像装置具有以矩阵排列的单位像素(10)，并且每个单位像素具有发光二极管(11)、将发光二极管(11)的信号传送到浮动节点(N11)的传送晶体管(12)、将浮动节点(N11)的信号输出到垂直信号线(22)的放大晶体管(13)和将浮动节点(N11)复位的复位晶体管(14)。通过使用将P型MOS晶体管配置在接地端而形成的反向器结构作为驱动漏极线(23)的缓冲器末级(29)，有可能在未选择时使浮动节点(N11)的电位变成例如0.5V，并防止电子通过传送晶体管(12)泄漏到发光二极管(11)。