公开(公告)号：KR100613649B1

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020040019604

申请日：2004-03-23

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  이호선

IPC: H03H9/56

Abstract: 통과대역의 특성이 저하되지 않으면서 광대역화가 가능하고 집적화 및 소형화가 가능하도록, 복수의 체적탄성파 공진기를 직렬 및/또는 병렬로 배열 연결하여 이루어지는 체적탄성파 여파기와, 체적탄성파 여파기를 패키징하는 저온 동시소성 세라믹 공법으로 형성되는 패키지부재와, 패키지부재의 내부에 설치되고 체적탄성파 여파기와 연결되는 하나이상의 고주파 공진기를 포함하는 광대역 체적탄성파 여파기 모듈을 제공한다.
체적탄성파 여파기, 고주파 공진기, 저온 동시소성 세라믹, 캐패시터, 저지대역, 통과대역, 광대역, 인덕터

公开(公告)号：KR200413803Y1

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：KR2020060001498

申请日：2006-01-18

Applicant: 김형준

Inventor： 김형준

IPC: B42D3/12 ,  B42D3/18

CPC classification number: B42D3/12 ,  B42D3/18 ,  B43K29/12

Abstract: 본 고안은 필기구가 구비된 메모장에 관한 것으로, 내부에 일정량 구비되는 메모지(14)의 손상을 방지할 수 있도록, 메모지(14)의 외부에 형성되는 겉표지(15) 전면에 일측부는 트여지게 출입부(11)가 형성되고, 상기 출입부(11)의 타측으로는 소정의 폭과 깊이를 갖으며, 양측으로는 경사부(13)가 구비된 수납홈(12)을 구비하고, 상기 수납홈(12)에는 수납홈(12)과 동일한 폭과 두께로 몸체 중앙부에 필기부재(21)가 위치되며, 몸체 양측으로는 수납홈(12)의 경사부(13)와 동일한 경사각을 갖는 접지면(22)이 형성된 필기구(20)가 장착되므로, 메모시 별도의 필기구를 구비하지 않고도 편리하게 사용할 수 있는 것이다.
그러므로, 상품성 및 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 매우 유용한 고안인 것이다
메모장, 필기구와 메모장

公开(公告)号：KR200412552Y1

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR2020060001474

申请日：2006-01-18

Applicant: 김형준

Inventor： 김형준

IPC: E05B65/02 ,  E05B65/00

CPC classification number: E05B65/02 ,  E05B17/14 ,  E05B67/06 ,  E05Y2600/626

Abstract: 본 고안은 쇠톱이나 수동절단기에 의한 절단위험에서 벗어날 수 있고 걸고리가 없이도 잠글 수 있으며, 걸고리가 없는 미닫이문에도 적용할 수 있는 셔터용 자물쇠를 제공하기 위한 것이다.
U형 걸쇠를 가진 통상의 자물쇠에 있어서, 걸쇠의 축을 꽂던 자리를 없애고 U형 걸쇠의 자유단을 꽂아 잠그던 걸쇠공(2) 옆에 열쇠공(3)을 천공하며 상기 걸쇠공(2)과 열쇠공(3)이 뚫린 면에 걸쇠출입공(4a)과 열쇠출입공(4b) 및 양측단에 부착공(4c)을 뚫은 부착판(4)을 덧대어 고정한 자물쇠(1)와, 상기 걸쇠출입공(4a)을 통해 걸쇠공(2)에 꽂혀서 잠궈지는 잠금홈(6) 및 열쇠공 막이(7)를 선,후단에 형성 되고 잠궜을 때 셔터레일, 미닫이문 등의 외측 걸쇠출입공으로 전혀 드러나지 않게 꼭맞는 길이로 책정한 둥근 환봉상의 걸쇠(7)로 구성한 것을 특징으로 하고 있다
셔터전용잠금장치

公开(公告)号：KR200412019Y1

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：KR2020050036013

申请日：2005-12-22

Applicant: 김형준

Inventor： 김형준

IPC: A41D1/06 ,  A41F9/02

CPC classification number: A41D1/06 ,  A41D15/002 ,  A41D27/24 ,  A41D2400/38 ,  A41F9/025

Abstract: 본 고안은 일반적인 신사바지나 학생바지 즉, 교복 하의 허리길이를 다양한 허리둘레에 맞게 조절이 가능하도록 함으로서 착용자의 허리둘레의 변화에 신축적으로 대응할 수 있도록 함으로서 경제적인 효과를 도모하는 바지 허리길이 조절구조에 관한 것으로서,
본 고안인 바지 허리길이 조절구조의 구체적인 해결 적 수단은 양측으로 가이드부(110)가 형성된 허릿단(100)과;
상기 가이드부(110)의 내측에 고정되어 신축작용을 하는 탄성부재(210)가 일측에 고정된 당김부재(200)와;
일측으로 보조가이드부(320)를 형성하여 그 내측으로 보조탄성부재(310)가 고정되어 신축작용을 하고 타측은 상기 허릿단(100)의 가이드부(110)에 고정되는 보조당김부재(300)와 상기 보조당김부재(300) 하단부에 절개부(330)를 갖는 것을 특징으로 하여,
상기와 같이 구성된 본 고안인 바지 허리길이 조절구조는 허리길이를 다양하게 조절할 수 있도록 함으로서 착용자의 허리의 증폭에 맞추어 허리길이를 적절히 조절 가능하게 함으로서, 허리사이즈가 늘어날 경우 옷을 뜯어서 허리사이즈를 늘리는 불편함을 줄일 수 있고, 성인 허리의 성장에 의하여 새 바지를 구입하는 폐단을 방지할 수 있고 이는 특히 성장기에 있는 청소년이나 학생의 빠른 성장에 의한 경제적인 즉, 새 바지의 구입의 빈도를 줄이거나 방지할 수 있어 장기적으로 착용할 수 있는 것이다.
허릿단, 탄성부재, 허리둘레조절

公开(公告)号：KR3004027400000S

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：KR3020050008190

申请日：2005-03-14

Applicant: 문광모 ,  김형준

Designer： 김형준 ,  문광모

公开(公告)号：KR1020040089914A

公开(公告)日：2004-10-22

申请号：KR1020030023758

申请日：2003-04-15

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/56

CPC classification number: H03H9/56 ,  H01L41/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: PURPOSE: A FBAR(Film Bulk Acoustic wave Resonator) device and a fabricating method thereof are provided to improve c-axis orientation and a resonant characteristic of a piezoelectric layer by forming a thin bottom electrode and the piezoelectric layer on an etch stop layer. CONSTITUTION: An etch stop layer(10) corresponding to an edge of an acoustic reflection layer is fabricated by depositing an oxide of predetermined thickness or a nitride of predetermined thickness on a substrate. A bottom electrode(20) is formed by depositing conductive materials on the etch stop layer. A piezoelectric layer(30) is formed by depositing piezoelectric materials on a part of the bottom electrode and a part of the etch stop layer. A top electrode(40) is formed by depositing conductive materials on a part of the piezoelectric layer and a part of the etch stop layer.

Abstract translation: 目的：提供一种FBAR（薄膜体声波谐振器）装置及其制造方法，以通过在蚀刻停止层上形成薄的底部电极和压电层来改善压电层的c轴取向和谐振特性。 构成：通过将预定厚度的氧化物或预定厚度的氮化物沉积在衬底上来制造对应于声反射层的边缘的蚀刻停止层（10）。 通过在蚀刻停止层上沉积导电材料形成底部电极（20）。 通过在底部电极的一部分和蚀刻停止层的一部分上沉积压电材料来形成压电层（30）。 顶部电极（40）通过在导电材料的一部分上沉积导电材料和蚀刻停止层的一部分而形成。

公开(公告)号：KR100446937B1

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：KR1020010064992

申请日：2001-10-22

Applicant: 김형준 ,  정재경 ,  방욱

Inventor： 김형준 ,  정재경 ,  방욱

IPC: C23C16/44

Abstract: PURPOSE: A chemical vapor deposition apparatus capable of forming a deposition film of high quality on the surface of an object to be deposited such as substrate, and a process method for growing a single crystalline thin film of high quality are provided. CONSTITUTION: In an ordinary thin film deposition method for depositing a silicon carbide single crystalline thin film on the surface of an object to be deposited by reaction of silane and propane gases, the silicon carbide thin film deposition method is characterized in that a silicon carbide single crystalline thin film is deposited on the surface of the object to be deposited by reaction of the raw materials with bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O) that is an organic compound, wherein bubbled hydrogen is reacted with bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O) to smoothen deposition of the bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O), a 3C-SiC single crystalline thin film is deposited on a substrate of the object to be deposited at a low temperature of 1100 deg.C using the bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O), a single crystalline thin film is deposited on a 4H-SiC substrate to a low temperature of 1350 deg.C using the bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O), and a single crystalline thin film is deposited on a 6H-SiC substrate to a low temperature of 1350 deg.C using the bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O). In a deposition apparatus for depositing a silicon carbide single crystalline thin film on the surface of an object to be deposited by reaction of raw materials with bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O) that is an organic compound, the apparatus for depositing a silicon carbide thin film comprises a thermostat for containing water to constantly maintaining vapor pressure during reaction of the bis-trimethylsilyl methane (Si2C7H2O).

Abstract translation: 目的：提供一种能够在基板等被成膜物的表面上形成高品质的蒸镀膜的化学蒸镀装置以及用于生长高品质的单晶薄膜的处理方法。 本发明的碳化硅薄膜沉积方法的特征在于，在通过硅烷和丙烷气体的反应沉积待沉积物体的表面上的碳化硅单晶薄膜的常规薄膜沉积方法中， 通过使原料与作为有机化合物的双三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O）反应，将待结晶的薄膜沉积在待沉积的物体的表面上，其中鼓泡的氢与双三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O）反应以平滑沉积 的二 - 三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O），在1100℃的低温下，使用双三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O）将3C-SiC单晶薄膜沉积在要沉积的物体的衬底上， 使用双三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O），在4H-SiC衬底上将非晶态薄膜沉积到1350℃的低温，并且单晶薄膜 使用双三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O）在6H-SiC衬底上沉积至1350℃的低温。 在通过原料与作为有机化合物的二 - 三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O）反应沉积碳化硅单晶薄膜到要沉积的物体表面上的沉积设备中，沉积碳化硅薄膜 包括用于容纳水的恒温器，以在双三甲基甲硅烷基甲烷（Si 2 C 7 H 2 O）的反应过程中恒定保持蒸气压。

公开(公告)号：KR3003544360000S

公开(公告)日：2004-06-18

申请号：KR3020030020394

申请日：2003-07-21

Applicant: 문광모 ,  김형준

Designer： 문광모 ,  김형준

公开(公告)号：KR100434199B1

公开(公告)日：2004-06-04

申请号：KR1020010037953

申请日：2001-06-29

Applicant: 김차봉 ,  김형준

Inventor： 김차봉 ,  김형준 ,  서길수 ,  유성구 ,  정종훈

IPC: C09D5/16

Abstract: PURPOSE: Provided is an anticorrosive and antimicrobial epoxy coating composition containing a lacquer component excellent in salt-resistance, heat-resistance, waterproof property, antiseptic property, moth-proof property, and insulating property, which can be used for coating ships. CONSTITUTION: The anticorrosive epoxy coating composition comprises 100pts.wt. of a setting resin solid component comprising an epoxy resin and an amine-based curing agent, 2-80pts.wt. of the lacquer component, and 0-30pts.wt. of at least one lacquer drying agent selected from the group consisting of beeswax, malt, glycerin, ammonium acetate solution, cuprammonium double salt, and chromium trioxide. The epoxy resin contains at least two epoxy groups in one molecule and has an equivalent of 150-600.

Abstract translation: 用途：提供一种耐腐蚀和抗微生物的环氧涂料组合物，其含有可用于涂装船舶的耐盐性，耐热性，防水性，防腐性，防蛀性和绝缘性优异的漆组分。 构成：防腐蚀环氧涂料组合物包含100pts.wt。 的包含环氧树脂和胺基固化剂的固化树脂固体组分，2-80重量份。 的漆组分，和0-30pts.wt。 的至少一种选自蜂蜡，麦芽，甘油，醋酸铵溶液，铜铵复盐和三氧化铬的漆干燥剂。 环氧树脂在一个分子中含有至少两个环氧基团并具有150-600的当量。

公开(公告)号：KR1020030054244A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：KR1020010084380

申请日：2001-12-24

Applicant: 쌍신전자통신주식회사 ,  이재빈 ,  김형준

Inventor： 김형준 ,  이재빈 ,  김흥래 ,  여기봉 ,  이영수

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/25 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/173

Abstract: PURPOSE: A chip type resonator and a fabricating method thereof are provided to reduce a size of the resonator by using a photo-etching method and a deposition method to form a lower electrode, an upper electrode, and a piezoelectric layer. CONSTITUTION: A chip type resonator includes a substrate(2), an acoustically reflective layer(4), a lower electrode(6), a piezoelectric layer(10), an upper electrode(8), a couple of upper and lower lead lines(18,16), and a package member(20). The acoustically reflective layer is formed on the substrate. The lower electrode is formed on the acoustically reflective layer by using a conductive material. The piezoelectric layer is formed on the substrate and the lower electrode by using a piezoelectric material. The upper electrode is formed on the piezoelectric layer by using the conductive material. The upper lead line and the lower lead line are connected to the upper electrode and the lower electrode, respectively. The package member is used for covering the lower electrode, the upper electrode, and the piezoelectric layer.

Abstract translation: 目的：提供一种片式谐振器及其制造方法，通过使用光蚀刻法和沉积法形成下电极，上电极和压电层来减小谐振器的尺寸。 构成：芯片型谐振器包括基板（2），声反射层（4），下电极（6），压电层（10），上电极（8），上引线和下引线 （18,16）和包装件（20）。 在基板上形成声反射层。 下电极通过使用导电材料形成在声反射层上。 通过使用压电材料在基板和下电极上形成压电层。 上电极通过使用导电材料形成在压电层上。 上引线和下引线分别连接到上电极和下电极。 封装构件用于覆盖下电极，上电极和压电层。