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公开(公告)号：KR100790872B1
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：KR1020060030498
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J1/30 , G02F1/13357 , C01B31/02
Abstract: 전계방출형 백라이트 유닛 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 전계방출형 백라이트 유닛은, 하부기판; 하부기판 상에 형성되는 다수의 캐소드전극; 하부기판 및 캐소드전극들 상에 라인 형태로 형성되는 다수의 절연층; 절연층들 상에 형성되는 다수의 게이트전극; 및 절연층들 사이의 캐소드전극 상에 형성되는 것으로, 전자방출물질로 이루어진 적어도 하나의 에미터;를 구비한다.
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