극소수성 화합물이 도입된 금속산화물 반도체 전극. 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법

    公开(公告)号:KR101054250B1

    公开(公告)日:2011-08-08

    申请号:KR1020090034301

    申请日:2009-04-20

    Inventor: 박태호 권영수

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 극소수성 화합물이 도입된 금속산화물 반도체전극, 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 1종 또는 2종 이상의 극소수성 화합물이 염료와 함께 고르게 분포되어 있는 금속산화물 반도체전극을 포함한다.
    본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 산화-환원 유도체를 포함하는 용액전해질, 산화/환원 유도체를 포함하는 고형 또는 고형화되는 유기물 전해질 또는 산화-환원종 없이 p-형 유기 반도체의 정공전달 물질이 염료와 극소수성 화합물이 흡착된 금속산화물 반도체전극과 반대전극 사이에 주입될 수 있다.
    본 발명에 따른 염료감응 태양전지용 금속산화물 반도체전극에는 극소수성 화합물과 염료가 고르게 분산되어 염료분자끼리의 뭉침 현상을 방지할 수 있어서 염료분자 간 전자의 전이현상을 최소화하는 동시에 염료의 여기상태로부터 생성되어 TiO
    2 금속산화물의 플렛밴드에 있는 광전자가 산화된 염료, 전해질에 있는 산화된 화학종 또는 산화된 정공전달 물질에 있는 정공과의 재결합 반응을 최소화하고 친수성인 물의 접근을 막아 염료의 탈착을 방지하여 장기적인 안정성을 향상시킬 뿐만 아니라 전해질에 있는 산화-환원종의 접근까지도 용이하게 할 수 있다. 결국 고가의 염료 사용량을 획기적으로 감소시키고 개별적인 염료분자의 광전자 생산력을 극대화할 수 있어서 저가, 고효율, 고안정성의 광전기화학적 특성을 가진 태양 전지를 제공할 수 있다.
    반응성 염료

    극소수성 화합물이 도입된 금속산화물 반도체 전극. 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법
    72.
    发明公开
    극소수성 화합물이 도입된 금속산화물 반도체 전극. 이를 포함하는 염료감응 태양전지 및 그 제조 방법 失效
    包含超疏水化合物的金属氧化物半导体电极及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100115629A

    公开(公告)日:2010-10-28

    申请号:KR1020090034301

    申请日:2009-04-20

    Inventor: 박태호 권영수

    CPC classification number: Y02E10/542 Y02P70/521 H01L31/04

    Abstract: PURPOSE: A metal oxide semiconductor electrode with hyper-hydrophobic compounds, a dye sensitive solar cell including the same, and a manufacturing method thereof are provided to improve the stability of dye by preventing water through hydrophobic substituted materials on the surface of TiO2. CONSTITUTION: A dye sensitive solar cell includes a first conductive substrate, a metal oxide semiconductor layer, a semiconductor electrode(1), and a counter electrode(5). The metal oxide semiconductor layer is formed on the first substrate. The counter electrode includes a metal layer formed on the second substrate. An organic electrolyte or hole transmission materials(4) of a p-type organic semiconductor is injected between the semiconductor electrode and the counter electrode. Dye polymers and one or two kinds of hyper-hydrophobic compounds are absorbed on the metal oxide semiconductor layer.

    Abstract translation: 目的:提供具有超疏水性化合物的金属氧化物半导体电极,含有它们的染料敏感性太阳能电池及其制造方法,以通过防止水通过TiO 2表面上的疏水取代材料来改善染料的稳定性。 构成:染料敏感的太阳能电池包括第一导电基板,金属氧化物半导体层,半导体电极(1)和对电极(5)。 金属氧化物半导体层形成在第一基板上。 对电极包括形成在第二基板上的金属层。 在半导体电极和对电极之间注入有机电解质或p型有机半导体的空穴传输材料(4)。 染料聚合物和一种或两种超疏水化合物被吸收在金属氧化物半导体层上。

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