Abstract:
본 발명은 이온전도성 기체분리막을 통한 기체이온의 교환 및 전자 전도성 막에 의한 전자의 교환 반응을 통해 기체를 선택적으로 투과시키는 단락 분리막 모듈에 관한 것으로, 특히 평행하게 배열된 띠형태의 기체분리막 사이 공간에 위치한 띠 형태의 전자 전도성 막의 간격 및 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자 전도를 쉽게 변화 시킬 수 있어 최적의 산소 투과조건을 취할 수 있으며, 기체 분리막을 모듈의 프레임으로 취함으로써 기체분리막의 면적을 극대화할 수 있는 구조에 관한 것이다. 본 발명은 고온에서, 특히 CO 2 , H 2 O 분위기에서 화학적으로 안정한 형석(fluorite)계 이온전도성 기체분리막을 이용함으로써 탁월한 화학적, 기계적 내구성을 확보할 수 있으며, 외부에서 전압을 인가하지 않아도 내부 회로에 의해 기체투과가 일어나므로 저렴한 비용으로 순수한 기체를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한 기체분리막을 적층함으로써 콤팩트한 기체제조 분리막 모듈을 구성하기에 용이하고, 지지체의 간격, 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자의 전도도를 쉽게 변화시킬 수 있으므로, 기체 이온 투과도를 높일 수 있는 최적의 공정조건을 찾을 수 있다. 특히 전자전도성 막을 치밀구조 전자전도성 막으로하고, 기체분리막 재료와 동일한 종류의 이온전도성 전해질 재료와 전자전도성 금속산화물로 구성된 복합체를 사용할 수 있기 때문에 동시 소결시 기체분리막과 전자전도성 막 사이의 열팽창 계수 차이를 최소화할 수 있고, 구조의 특성에 따라 전해질의 두께를 줄일 수 있어 높은 투과율을 가지는 것이 가능하며, 지지체 및 전해질을 테이프 캐스팅(tape casting)으로 제작할 수 있어 제조 공정이 간단하다는 장점이 있다.
Abstract:
본 발명은 이온전도성 기체분리막을 통한 기체이온의 교환 및 전자 전도성 막에 의한 전자의 교환 반응을 통해 기체를 선택적으로 투과시키는 단락 분리막 모듈에 관한 것으로, 특히 기체분리막 공규에 접하여 있는 전자 전도성 막의 간격 및 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자 전도를 쉽게 변화 시킬 수 있어 최적의 산소 투과조건을 취할 수 있으며, 기체 분리막을 모듈의 프레임으로 취함으로써 기체분리막의 면적을 극대화할 수 있는 구조에 관한 것이다. 본 발명은 고온에서, 특히 CO 2 , H 2 O 분위기에서 화학적으로 안정한 형석(fluorite)계 이온전도성 기체분리막을 이용함으로써 탁월한 화학적, 기계적 내구성을 확보할 수 있으며, 외부에서 전압을 인가하지 않아도 내부 회로에 의해 기체투과가 일어나므로 저렴한 비용으로 순수한 기체를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한 기체분리막을 적층함으로써 컴팩트한 기체제조 분리막 모듈을 구성하기에 용이하고, 지지체 공규의 간격, 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자의 전도도를 쉽게 변화시킬 수 있으므로, 기체 이온 투과도를 높일 수 있는 최적의 공정조건을 찾을 수 있다. 특히 전자전도성 막 재료로, 치밀구조 전자전도성 막으로, 기체분리막 재료와 동일한 종류의 이온전도성 전해질 재료와 전자전도성 금속산화물로 구성된 복합체를 사용할 수 있기 때문에 동시 소결시 기체분리막과 전자전도성 막 사이의 열팽창 계수 차이를 최소화할 수 있고, 구조의 특성에 따라 전해질의 두께를 줄일 수 있어 높은 투과율을 가지는 것이 가능하며, 지지체 및 전해질을 테이프 캐스팅(tape casting)으로 제작할 수 있어 제조 공정이 간단하다는 장점이 있다.
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본 발명은 이온전도성 기체분리막을 통한 기체이온의 교환 및 전자 전도성 막에 의한 전자의 교환 반응을 통해 기체를 선택적으로 투과시키는 단락 분리막 모듈에 관한 것으로, 특히 기체분리막 공규에 접하여 있는 전자 전도성 막의 간격 및 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자 전도를 쉽게 변화 시킬 수 있어 최적의 산소 투과조건을 취할 수 있으며, 기체 분리막을 모듈의 프레임으로 취함으로써 기체분리막의 면적을 극대화할 수 있는 구조에 관한 것이다. 본 발명은 고온에서, 특히 CO 2 , H 2 O 분위기에서 화학적으로 안정한 형석(fluorite)계 이온전도성 기체분리막을 이용함으로써 탁월한 화학적, 기계적 내구성을 확보할 수 있으며, 외부에서 전압을 인가하지 않아도 내부 회로에 의해 기체투과가 일어나므로 저렴한 비용으로 순수한 기체를 제조할 수 있는 장점이 있다. 또한 기체분리막을 적층함으로써 컴팩트한 기체제조 분리막 모듈을 구성하기에 용이하고, 지지체 공규의 간격, 너비 등을 조절함으로써 투과기구에서 전자의 전도도를 쉽게 변화시킬 수 있으므로, 기체 이온 투과도를 높일 수 있는 최적의 공정조건을 찾을 수 있다. 특히 전자전도성 막 재료로, 치밀구조 전자전도성 막으로, 기체분리막 재료와 동일한 종류의 이온전도성 전해질 재료와 전자전도성 금속산화물로 구성된 복합체를 사용할 수 있기 때문에 동시 소결시 기체분리막과 전자전도성 막 사이의 열팽창 계수 차이를 최소화할 수 있고, 구조의 특성에 따라 전해질의 두께를 줄일 수 있어 높은 투과율을 가지는 것이 가능하며, 지지체 및 전해질을 테이프 캐스팅(tape casting)으로 제작할 수 있어 제조 공정이 간단하다는 장점이 있다.