公开(公告)号：KR1019990042553A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970063395

申请日：1997-11-27

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 장동훈 ,  박철순 ,  박경현 ,  이중기

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 광소자 제조 방법에 관한 것으로 특히, 집적형 광소자 제조에 필수적인 선택결정성장(Selective Area Growth)법에 있어서 선택결정성장층의 면 방향특성을 고려한 절연막 패턴을 이용하는 선택결정성장법에 관한 것으로, 선택결정성장층의 전기적 광학적 특성의 저하를 방지하기 위하여 절연막 패턴의 경계면에서의 결정성장의 면 방향 특성을 고려하여 결함의 발생을 억제할 수 있는 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장법으로 결정성장을 한다. 그 실시예로서, 직사각형 모양으로 이루어지되, 연속된 직각이등변삼각형의 빗변이 상기 직사각형의 두변을 이루어 길이 방향으로 가장자리에 산과 골이 반복되는 톱니모양을 갖는 두 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장을 실시한다.

公开(公告)号：KR1019980044611A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960062713

申请日：1996-12-07

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  박경현 ,  조호성 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/0941

Abstract: 본 발명은 기존의 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠에 의한 광출력의 방사 중심축 굴절 현상을 없앤 이온 주입 공정을 이용한 0.98㎛ 반도체 레이저 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 0.98㎛ 반도체 레이저에서 발생하는 밝은 띠의 제거는 반도체 레이저의 공진기를 따라 주기적으로 이득 변화를 주면 된다. 즉, 공진기 내에서의 밝은 띠 발생의 원인인 이득 분포를 다른 형태로 바꿈으로써 가능하게 된다. 본 발명에서는 활성층 위에 이온주입 공정을 통한 절연층을 형성시켜 활성층으로 주입되는 전하 밀도를 조절함으로써 공진기 길이 방향으로의 빛의 불균형 분포를 상쇄시키는 방법에 관하여 기술하였다.

公开(公告)号：KR1019980044007A

公开(公告)日：1998-09-05

申请号：KR1019960061998

申请日：1996-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  박경현 ,  이중기 ,  조호성 ,  박철순

IPC: H01S3/0947

Abstract: 본 발명은 고출력에서도 고차 모드의 발진을 억제하여 기본 모드로 동작 하므로서 안정된 광출력을 내는 고출력 반도체 레이저에 관한 것이다.
고출력화는 반도체 레이저 자체의 고출력화와 모듈로 제작 시 반도체 레이저와 부착 광섬유 사이의 광결합 효율을 높이는 문제로 나누어 생각 할 수 있다. 현재 반도체 레이저의 고출력화와 일반 반도체 레이저와 광섬유 사이의 광력합의 고 효율화는 크게 진전되어 있으나 양자를 결합하여 반도체 레이저 모듈을 제작할 때에는 반도체 레이저로부터 방사되는 광출력의 형태(방사 패턴)가 반도체 레이저의 동작조건에 따라 변함으로써 결과적으로 반도체 레이저 모듈의 성능을 나쁘게 하고 있다. 이와같은 광출력의 형태는 기본모드가 아닌 고차모드로 동작시 광결합 효율은 나빠지게 되므로 고출력 반도체 레이저에 있어서 고차모드의 발생 억제가 필수적이다. 따라서 본 발명은 고출력 동작시 고차모드의 발생을 억제하기 위하여 RWG 반도체 레이저의 Channel 부분에 Zn, Be, Si 등의 원소를 확산 또는 Implant 공정을 통하여 channel 부분과 Ridge 부분의 경계부를 일부 흔정화 시키므로서 급준한 유효굴절율 변화를 완화 시켜 고출력 동작시에도 고차모드 동작을 억제 시켜 고출력에서도 광결합 효율이 좋은 기본모드로 동작 하게 하는 구조의 제작에 있다.

公开(公告)号：KR1019970054969A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950052687

申请日：1995-12-20

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이중기 ,  조호성 ,  박경현 ,  장동훈 ,  박철순

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부에 형성된 제1도전형의 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1광도파로층과, 상기 제1광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성되어 공진기로 이용되는 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제2광도파로층과, 상기 제2광도파로층의 상부에 상기 형성된 제2도전형의 제2클래드층과, 상기 제2클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상술한 구조의 상기 활성층의 공진기의 길이 방향 양측면에 광의 출력을 높히기 위한 각각 형성된 무반사막 및 고반사막과, 상기 반도체기판의 하부 표면과 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 공긴기의 길이 방향과 수직인 방향으로 소정 폭으로 형성된 분리층에 의해 분리되고 소정의 저항 차이를 갖는 제1 및 제2P형 전극을 구비한다.
따라서, 공진기 내부의 전하 밀도와 이득 분포가 무반사막 및 고반사막 영역에 균일하게 분포시켜 공간 홀버닝 현상 및 다모드 발진을 방지하여 광출력을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970031123A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950042601

申请日：1995-11-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  박철순 ,  조호성

IPC: H01S5/10

Abstract: 본 발명은 고출력 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 상부 및 하부 표면을 갖는 제 1 도전형의 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상부 표면에 형성된 제 1 도전형의 제 1 클래드층과, 상기 제 1 클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제 1 광도파로층과, 상기 제 1 광도파로드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제 1 광도파로층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층 보다 광굴절률이 작은 상기 제 1 광도파로층과 동일한 물질로 형성된 제 2 클래드층과, 상기 제 2 광도파로층 상부에 소정 폭을 갖고 길이 방향으로 길게 형성되며 광굴절률이 제 2 광도파로 보다 작은 서브 릿지와, 상기 서브 릿지의 상부에 서브 릿지 보다 좁은 폭을 갖고 길이 방향으로 게 형성된 제 2 도전형의 제 2 클래드층과, 상기 제 2 클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제 2 도전형의 오믹접촉층과, 상기 반도체 기판의 하부 표면과 상기 릿지의 오믹접촉층에 형성된 제 1 및 제 2 도전형 전극을 포함한다. 따라서, 고출력 동작시 공진기 내의 광출력 밀도를 낮게하여 고차 모드 발생에 의한 방사 패턴의 변화를 방지하여 레이저 다이오드 모듈에서 출력되는 광량과 광출력의 안정도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960014732B1

公开(公告)日：1996-10-19

申请号：KR1019920025018

申请日：1992-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  유지범 ,  박경현 ,  김홍만 ,  장동훈 ,  이중기

IPC: H01S5/20

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2081

Abstract: an active layer(32) of a strained quantum well structure and a waveguide layer(33) formed on an InP substrate(31); a p-electrode metal stripe(38) having a width of "r" formed on a ridge comprising a cladding layer(34) and an ohmic contact layer(35); and a dielectric material(39) having an ohmic contact window stripe of "w" where, "w" is smaller than "r", and a p-side bonding pad metal(40) formed on the p-electrode metal stripe(38) in sequence.

Abstract translation: 应变量子阱结构的有源层（32）和形成在InP衬底（31）上的波导层（33）; 在包括覆层（34）和欧姆接触层（35）的脊上形成宽度“r”的p电极金属条（38）; 以及电介质材料（39），其中“w”小于“r”的欧姆接触窗条“w”，以及形成在p电极金属条（38）上的p侧接合焊盘金属 ） 按顺序。

公开(公告)号：KR1019960006752B1

公开(公告)日：1996-05-23

申请号：KR1019920024463

申请日：1992-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 장동훈 ,  이중기 ,  박경현 ,  김홍만

IPC: H01L33/00

Abstract: The integrated optical source of an optical converter includes a first conductivity type first isolation layer(2) formed on a semiconductor substrate(1), a first undoped multi-quantum well layer(3) having an energy gap narrower than that of the first isolation layer(2), formed on the first isolation layer(2), a first conductivity type second isolation layer(4) formed of the same material as the first isolation layer(2) on the first multi-quantum well layer(3), a second undoped multi-quantum well layer(5) having an energy gap narrower than that of the first multi-quantum well layer(3), formed on the second isolation region(4), a first conductivity type third isolation layer(6) formed on the second multi-quantum well layer(5), a second conductivity type clad layer(9) having an energy gap wider than those of the first, second and third isolation layers(2,4,6), formed on the third isolation layer(6), a heavily doped second conductivity type cap layer(10) formed on the clad layer(9), first and second electrodes(12) formed on a semiconductor laser region and optical converter region on the cap layer(10) and a common electrode(13) formed on the bottom of the substrate(1).

Abstract translation: 光转换器的集成光源包括形成在半导体衬底（1）上的第一导电类型的第一隔离层（2），具有比第一隔离窄的能隙的第一未掺杂多量子阱层（3） 形成在第一隔离层（2）上的由第一多量子阱层（3）与第一隔离层（2）相同的材料形成的第一导电类型的第二隔离层（4） 形成在第二隔离区域（4）上的具有比第一多量子阱层（3）的能隙窄的能隙的第二未掺杂多量子阱层（5），第一导电型第三隔离层（6） 形成在所述第二多量子阱层（5）上的第二导电型覆盖层（9），其具有比所述第一，第二和第三隔离层（2,4,6）的间隙宽的能隙， 隔离层（6），首先形成在覆盖层（9）上的重掺杂的第二导电型覆盖层（10） 以及形成在半导体激光器区域上的第二电极（12）和在盖层（10）上的光转换器区域和形成在基板（1）的底部上的公共电极（13）。