公开(公告)号：JP2008090261A

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：JP2007047090

申请日：2007-02-27

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： HIRANO SHUJI ,  KAWANISHI YASUHIRO ,  WADA KENJI

IPC: G03F7/039 ,  C08F12/22 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element using a high-energy line, X-ray, electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern profile and good line edge roughness, a positive resist composition having good contrast under exposure with EUV light and free from the problem of outgassing in exposure, and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive resist composition comprises a resin which comprises a styrene repeating unit having specific substituents and is insoluble or slightly soluble in an alkali developer and becomes soluble in the alkali developer under the action of an acid, and a specific triarylsulfonium compound generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. The pattern forming method uses the positive resist composition. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：为了解决使用高能量线，X射线，电子束或EUV光的半导体元件的微细加工中的性能改进技术的问题，并提供同时满足高的正性抗蚀剂组合物 灵敏度高，高分辨率，良好的图案轮廓和良好的线边缘粗糙度，在EUV光下曝光时具有良好对比度的正光刻胶组合物，并且不受曝光时的除气问题，以及使用其的图案形成方法。 解决方案：正型抗蚀剂组合物包括一种树脂，其包含具有特定取代基的苯乙烯重复单元，并且在碱性显影剂中不溶或微溶，并且在酸的作用下变得可溶于碱显影剂，并且特定的三芳基锍化合物 在用光化射线或辐射照射时产生酸。 图案形成方法使用正性抗蚀剂组合物。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008089872A

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：JP2006269650

申请日：2006-09-29

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： HIRANO SHUJI ,  KAWANISHI YASUHIRO ,  WADA KENJI

IPC: G03F7/039 ,  C08F12/14 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element using a high-energy line, X-ray, electron beam or EUV light, and to provide a positive resist composition which simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern profile and good line edge roughness, a positive resist composition having good contrast under exposure with EUV light and free from the problem of outgassing in exposure, and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive resist composition comprises a resin which comprises a styrene repeating unit having specific substituents and is insoluble or slightly soluble in an alkali developer and becomes soluble in the alkali developer under the action of an acid, and a specific sulfonium compound generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. The pattern forming method uses this positive resist composition. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 解决的问题：为了解决使用高能量线，X射线，电子束或EUV光的半导体元件的微细加工中的性能改进技术的问题，并提供同时满足高的正性抗蚀剂组合物 灵敏度高，高分辨率，良好的图案轮廓和良好的线边缘粗糙度，在EUV光下曝光时具有良好对比度的正光刻胶组合物，并且不受曝光时的除气问题，以及使用其的图案形成方法。 解决方案：正型抗蚀剂组合物包含一种树脂，其包含具有特定取代基的苯乙烯重复单元，并且在碱显影剂中不溶或微溶，并在酸的作用下变得可溶于碱显影剂，并且特定的锍化合物 在用光化射线或辐射照射时产生酸。 图案形成方法使用该正性抗蚀剂组合物。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008089871A

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：JP2006269648

申请日：2006-09-29

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KAMIMURA SATOSHI ,  SASAKI TOMOYA ,  WADA KENJI ,  KAWANISHI YASUHIRO

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems of a performance improving technique in microfabrication of a semiconductor element using an actinic ray or radiation such as a high-energy line, X-ray, electron beam or EUV light, and to provide a resist composition which suppresses pattern collapse as a problem incidental to a molecular resist without impairing high resolution expected from the molecular resist, and which is provided with such properties as high sensitivity, satisfactory line edge roughness and suppression of outgassing while maintaining the high resolution and suppression of pattern collapse, and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The resist composition contains a low molecular compound of a specific structure containing a group which forms an alkali-soluble group under the action of an acid and a polymer having a low molecular weight of 1,000-5,000 and solubility in an alkali developer increased by the action of an acid. The pattern forming method uses this resist composition. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决使用光化射线或诸如高能量线，X射线，电子束或EUV光的辐射的半导体元件的微细加工中的性能改进技术的问题，并且提供 抗蚀剂组合物，其抑制图案崩溃作为分子抗蚀剂附带的问题，而不损害从分子抗蚀剂预期的高分辨率，并且具有如下灵敏性，令人满意的线边缘粗糙度和抑制除气同时保持高分辨率和抑制 的图案折叠，以及使用其的图案形成方法。 解决方案：抗蚀剂组合物含有在酸的作用下形成碱溶性基团的基团的具体结构的低分子化合物和具有低分子量为1,000-5,000的聚合物和在碱中的溶解度 显影剂通过酸的作用而增加。 图案形成方法使用该抗蚀剂组合物。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007293250A

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：JP2006257965

申请日：2006-09-22

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KAMIMURA SATOSHI ,  SASAKI TOMOYA ,  KAWANISHI YASUHIRO ,  WADA KENJI

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition simultaneously satisfying high sensitivity, high resolution, excellent pattern shape and line edge roughness in micro-machining of a semiconductor device using high energy rays, X rays, electron rays or EUV light. SOLUTION: The positive resist composition comprises a compound generating a compound of a specific structure by action of active light or radiation, and the compound of the specific structure containing a group generating an alkali-soluble group by the action of an acid. A pattern forming method using the resist composition is provided. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在使用高能射线，X射线，电子射线或EUV光的半导体器件的微加工中同时满足高灵敏度，高分辨率，优异的图案形状和线边缘粗糙度的正型抗蚀剂组合物 。 解决方案：正性抗蚀剂组合物包含通过活性光或辐射的作用产生特定结构的化合物的化合物，以及含有通过酸作用产生碱溶性基团的基团的特定结构的化合物。 提供了使用抗蚀剂组合物的图案形成方法。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007256640A

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：JP2006081054

申请日：2006-03-23

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： YOSHIDA YUKO ,  WADA KENJI

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive composition excellent in line edge roughness and improved in pattern collapse even in the formation of a fine pattern of ≤100 nm and a pattern forming method using the same, with respect to a positive photosensitive composition for use in the production process of a semiconductor such as an IC, in the production of a circuit substrate of liquid crystal, a thermal head and the like or in other photofabrication processes and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive photosensitive composition contains (A) a resin which comprises a repeating unit having a group of a specific structure typified by ribonolactone (meth)acrylate and has solubility in an alkali developer increased by the action of an acid and (B) a compound which generates an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation. The pattern forming method using the positive photosensitive composition is also provided. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供线边缘粗糙度优异的正光敏组合物，甚至在形成≤100nm的精细图案时也能改善图案塌陷以及使用其的图案形成方法，相对于阳性 用于半导体（例如IC）的制造中的光敏组合物，液晶的电路基板，热敏头等的制造，或者其他的光加工工艺以及使用该组合物的图案形成方法。 解决方案：正型光敏组合物含有（A）包含具有以核糖内酯（甲基）丙烯酸酯为代表的具有特定结构的基团的重复单元的树脂，并且其在碱性显影剂中的溶解度通过酸的作用而增加， B）在用光化射线或辐射照射时产生酸的化合物。 还提供了使用正性感光性组合物的图案形成方法。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007246485A

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：JP2006075533

申请日：2006-03-17

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： WADA KENJI

IPC: C07D285/00 ,  C07D513/08 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition having an improved exposure latitude and pattern shape in normal exposure and in liquid immersion exposure and an improved sensitivity and dissolution contrast in EUV light exposure for use in a semiconductor manufacturing process, a process for manufacturing a circuit board used for a liquid crystal, a thermal head or the like and a photo-fabrication process other than the above, a pattern forming method using the photosensitive composition, and a chemical compound of a specific structure constituting the photosensitive composition. SOLUTION: A photosensitive composition comprising a chemical compound of a specific structure, a pattern forming method using the photosensitive composition, and a chemical compound of a specific structure constituting the photosensitive composition are disclosed. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供在正常曝光和液浸曝光中具有改善的曝光宽容度和图案形状的光敏组合物，以及用于半导体制造工艺的EUV曝光中改善的灵敏度和溶解对比度， 用于制造用于液晶，热敏头等的电路板和除上述之外的光制造工艺，使用该光敏组合物的图案形成方法和构成感光组合物的特定结构的化合物。 解决方案：公开了包含特定结构的化合物，使用该感光性组合物的图案形成方法和构成感光性组合物的具体结构的化合物的感光性组合物。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007199692A

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：JP2006342811

申请日：2006-12-20

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： WADA KENJI ,  KANDA HIROMI

IPC: G03F7/004 ,  C07C309/80 ,  C07D319/04 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive composition improved in exposure latitude and pattern profile in normal exposure and liquid immersion exposure, and improved also in sensitivity and dissolution contrast in exposure with EUV light, a pattern-forming method using the photosensitive composition and a compound having a specific structure in the photosensitive composition. SOLUTION: The photosensitive composition contains the compound having a specific structure. The pattern-forming method using the photosensitive composition and the compound having a specific structure in the photosensitive composition are also provided. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供在正常曝光和液浸曝光中曝光宽容度和图案轮廓改善的光敏组合物，并且在用EUV光曝光时也提高了灵敏度和溶解对比度，使用光敏的图案形成方法 组合物和在感光组合物中具有特定结构的化合物。 光敏组合物含有具有特定结构的化合物。 还提供了使用光敏组合物的图案形成方法和在感光组合物中具有特定结构的化合物。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007071978A

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：JP2005256514

申请日：2005-09-05

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： KODAMA KUNIHIKO ,  WADA KENJI

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive composition improved in exposure latitude and PEB temperature dependency and a pattern forming method using the same, with respect to a positive photosensitive composition used in a process of producing a semiconductor such as IC, in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like and in another photofabrication process and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive photosensitive composition contains (A) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation and (B) a resin having a group which is decomposed by the action of an acid to increase solubility in an alkali developer, wherein the component resin (B) is a resin having at least one methacrylate-based repeating unit, at least one acrylate-based repeating unit and at least one repeating unit (Ba) having a diamantane structure. The pattern forming method using the same is also provided. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供改善曝光宽容度和PEB温度依赖性的正性感光组合物和使用其的图案形成方法，关于用于制造诸如IC的半导体的方法中使用的正性感光性组合物， 在制造液晶电路板，热敏头等，以及另一光致制造工艺和使用其的图案形成方法中。 解决方案：正型光敏组合物含有（A）在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物和（B）具有通过酸作用分解的基团以增加溶解度的基团的树脂 碱性显影剂，其中组分树脂（B）是具有至少一个甲基丙烯酸酯基重复单元的树脂，至少一种丙烯酸酯基重复单元和至少一个具有双金刚烷结构的重复单元（Ba）。 还提供了使用该图案形成方法的图案形成方法。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2015000895A

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：JP2013125183

申请日：2013-06-14

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： TAKAHASHI KEITA ,  TAKADA YOSHIAKI ,  WADA KENJI

IPC: C08F283/06

CPC classification number: C08F20/30 ,  C08F297/026 ,  C08G81/025

Abstract: 【課題】金属含有量が少なく、光保存安定性に優れ、バッチでもマイクロリアクター中でもリビング重合して形成することができ、良好なミクロ相分離構造膜を経済合理的に製造できるブロック共重合体の提供。【解決手段】炭素数2〜20のアルキレン鎖を含むポリマー成分(A)とアルキレンオキサイド鎖を含むポリマー成分(B)が直接または連結基を介して共有結合によって結合し、ポリマー成分(A)が炭素数6〜50のメソゲン側鎖を有し、主鎖の少なくとも一方の末端が下記式で表される基を有するブロック共重合体(R1〜R3はそれぞれ独立にアリール基、アルキル基またはヘテロアリール基を表す。)。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有低金属含量和优异的光稳定性的嵌段共聚物，并且即使在间歇或微反应器中也可以通过活性聚合形成，并且可以从其获得良好的微相分离结构膜 经济合理地制造。解决方案：在嵌段共聚物中，含有碳原子数为2-20的亚烷基链的聚合物组分（A）和具有烯化氧链的聚合物组分（B）直接或通过共价键 连接组。 聚合物组分（A）具有碳原子数为6-50的介晶侧链，并且嵌段共聚物的主链的至少一个末端具有由下式表示的基团。 在该式中，Rto Reach独立地表示芳基，烷基或杂芳基。

公开(公告)号：JP2013230585A

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：JP2012103089

申请日：2012-04-27

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： WADA KENJI

IPC: B41N1/12 ,  B41C1/05

CPC classification number: B41C1/05 ,  B41N1/12

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser engraving resin composition by which a flexographic printing plate having superior rigidity of a relief layer, print resistance and organic solution resistance can be obtained.SOLUTION: A laser engraving resin composition is characterized by containing resin having a partial structure expressed by a (component A) formula (I). Rto Rare independently express a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic groove, Lindependently expresses a single bond or a bivalent linking group, two of more of Rto Rand Lmay form a ring by being coupled to each other, Rexpresses a hydrogen atom or a monovalent organic group, p expresses an integer of 0 to 6, q expresses 1 or 2, r expresses an integer of 0 to 6, p+q+r is an integer of 3 to 7, and a wavy line portion expresses a coupling position with the other structure.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种激光雕刻树脂组合物，通过该激光雕刻树脂组合物可以获得具有优异的浮雕层刚性的柔性版印刷版，可以获得耐印刷性和耐溶剂性。解决方案：激光雕刻树脂组合物的特征在于含有具有 由（组分A）式（I）表示的部分结构。 Rto Rare独立地表示氢原子，卤素原子或一价有机凹槽，Lind独立地表示单键或二价连接基团，两个多个Rto Rand Lmay通过彼此偶联形成环，重新形成氢原子或 一价有机基团，p表示0〜6的整数，q表示1或2，r表示0〜6的整数，p + q + r为3〜7的整数，波浪线部分表示耦合 与其他结构的位置。