自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN113346009A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110544112.3

    申请日:2017-10-24

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备:磁阻效应元件,其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层;自旋轨道转矩配线,其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,与所述第二铁磁性金属层接合,该自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状,该制造方法具有:形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序;将所述层叠体沿一个方向进行加工的工序;和将沿所述一个方向加工后的所述层叠体沿与所述一个方向交叉的另一个方向加工的工序。

    自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件、磁存储器及储备池元件

    公开(公告)号:CN113330582A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN201980089655.1

    申请日:2019-01-31

    Abstract: 本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备:第一绝缘层,其具有第一开口和第二开口;第一导电部,其形成于所述第一开口内;第二导电部,其形成于所述第二开口内;自旋轨道转矩配线,其位于所述第一绝缘层的第一方向,从所述第一方向观察,遍及所述第一导电部和所述第二导电部沿第二方向延伸;以及第一铁磁性层,其位于所述自旋轨道转矩配线的与所述第一绝缘层相反侧,所述第一导电部具有:第一面,其面向所述自旋轨道转矩配线;第二面,其与所述第一面相对且位于相较于所述第一面更远离自旋轨道转矩配线的位置;以及侧面,其将所述第一面和所述第二面相连,所述侧面具有:连续的主面;以及相对于所述主面倾斜或弯曲且相对于所述主面不连续的第三面。

    自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN108011038B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201711002917.5

    申请日:2017-10-24

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种磁记录性优异且磁化反转所需的电流量小的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备:磁阻效应元件,其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层;自旋轨道转矩配线,其沿相对于上述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸,与上述第二铁磁性金属层接合,上述第二铁磁性金属层的磁化的朝向为上述磁阻效应元件的层叠方向,上述第二铁磁性金属层具有形状各向异性,沿着上述第一方向的长度比沿着与上述第一方向及上述层叠方向正交的第二方向的长度更长。

    磁阻效应器件
    76.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107887503B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201710896926.7

    申请日:2017-09-28

    Inventor: 佐佐木智生

    Abstract: 本发明提供一种安装有耐电压性优异的磁阻效应元件的磁阻效应器件。该磁阻效应器件具备贯通层间绝缘层和上述层间绝缘层且至少在一面露出的贯通电极、层叠于上述贯通电极上的磁阻效应元件,层叠上述磁阻效应元件的层叠面上的上述层间绝缘层和上述贯通电极的维氏硬度差为3GPa以下。

    磁阻效应元件
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111864055A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN202010894087.7

    申请日:2017-09-28

    Inventor: 佐佐木智生

    Abstract: 本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体,该层叠体中按顺序层叠有:基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层,所述基底层由氮化物构成,所述隧道势垒层由非磁性绝缘材料构成,所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5%以内。

    磁畴壁移动型磁记录元件和磁记录阵列

    公开(公告)号:CN111052349A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201780094298.9

    申请日:2017-10-26

    Abstract: 本发明提供一种该磁畴壁移动型磁记录元件,其具有:含有铁磁性体的第一铁磁性层;磁记录层,其在与所述第一铁磁性层的层叠方向交叉的第一方向上延伸,包含磁畴壁;非磁性层,其被夹在所述第一铁磁性层与所述磁记录层之间,所述磁记录层在侧面具有用于约束磁畴壁的凹部或凸部,在从所述层叠方向俯视时的与所述第一方向正交的第二方向上,所述第一铁磁性层的宽度比所述磁记录层的最小宽度窄。

    储备池元件和神经形态元件

    公开(公告)号:CN110895953A

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201910858790.X

    申请日:2019-09-11

    Abstract: 本发明的一个方式的储备池元件包括:包含非磁性的导电体的自旋传导层;相对于自旋传导层位于第1方向,且在从上述第1方向俯视时彼此隔着间隔地配置的多个铁磁性层;和与上述自旋传导层的上述铁磁性层电连接的多个连通配线。

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