Lateral mos transistor
    77.
    发明专利
    Lateral mos transistor 审中-公开
    横向MOS晶体管

    公开(公告)号:JP2003037263A

    公开(公告)日:2003-02-07

    申请号:JP2002172971

    申请日:2002-06-13

    CPC classification number: H01L29/0692 H01L29/4175

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lateral MOS transistor for intermediate power for which access resistance to a source and a drain is reduced.
    SOLUTION: A MOS power transistor is formed in an epitaxial layer of a first conductivity type. The MOS power transistor is formed on the front surface of a heavily-doped substrate of the first conductivity-type and includes alternate drain and source arrays of a second conductivity-type separated by a channel, conductive fingers, covering source fingers and drain fingers and a second metal layer connecting all drain metal fingers and covering the entire source/drain structure. Each source finger includes a heavily-doped region of the first conductivity-type, in contact with the epitaxial layer and with the corresponding source finger, and the rear surface of the substrate is coated with a source metallization.
    COPYRIGHT: (C)2003,JPO

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种用于对源极和漏极的访问电阻降低的中间功率的横向MOS晶体管。 解决方案:MOS功率晶体管形成在第一导电类型的外延层中。 MOS功率晶体管形成在第一导电类型的重掺杂衬底的前表面上,并且包括由沟道隔离的第二导电类型的交替漏极和源极阵列,导电指状物,覆盖源极指和漏极指,以及 连接所有漏极金属指并覆盖整个源极/漏极结构的第二金属层。 每个源极指包括与外延层和相应的源极指接触的第一导电类型的重掺杂区,并且衬底的后表面涂覆有源金属化。

    Photodetector
    78.
    发明专利
    Photodetector 审中-公开
    照相机

    公开(公告)号:JP2002369085A

    公开(公告)日:2002-12-20

    申请号:JP2002132608

    申请日:2002-05-08

    Inventor: CAZAUX YVON

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodetector whose structure is simple, and whose manufacturing costs are low capable of preventing the deterioration of an image picture.
    SOLUTION: A light detector is provided with a photodiode whose anode is connected to a reference voltage, an initialization MOS transistor connected between the cathode of the photodiode and a first power supply voltage for setting the cathode as the first power supply voltage in an initialization phase, and a means for setting the cathode of the photodiode as a saturation voltage near the reference voltage just before the initialization phase for measuring the voltage of the cathode of the photodiode.
    COPYRIGHT: (C)2003,JPO

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种结构简单并且制造成本低的能够防止图像图像劣化的光电检测器。 解决方案:光检测器设置有阳极连接到参考电压的光电二极管,连接在光电二极管的阴极之间的初始化MOS晶体管和用于将阴极设置为初始化阶段的第一电源电压的第一电源电压 以及用于将光电二极管的阴极设置为刚好在用于测量光电二极管的阴极的电压的初始化阶段之前的参考电压附近的饱和电压的装置。

    COMMUTATEUR OPTIQUE INTÉGRÉ
    79.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2019043301A1

    公开(公告)日:2019-03-07

    申请号:PCT/FR2017/052295

    申请日:2017-08-29

    CPC classification number: H01L31/08

    Abstract: Commutateur optique intégré réalisé dans et sur un substrat semi-conducteur, comportant un corps photoconducteur (PC) comprenant une première extrémité (1) configurée pour recevoir un signal électrique d'entrée et une deuxième extrémité (2) configurée pour délivrer un signal électrique de sortie, le corps photoconducteur (PC) ayant un état électriquement passant activé par la présence d'un signal optique (SO) et un état électriquement bloqué activé par l'absence du signal optique (SO), dans lequel la direction allant de la première extrémité vers la deuxième extrémité définit une direction longitudinale (D3), et le corps photoconducteur a une section transversale orthogonale à la direction longitudinale (D3) diminuant progressivement selon la direction longitudinale (D3) depuis la première extrémité (1) vers la deuxième extrémité (2).

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