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公开(公告)号：CN104734006A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410754275.4
申请日：2014-12-10
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 今井保贵
CPC classification number: H01S5/42 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18327 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18352 , H01S5/18355 , H01S5/3201 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提供面发光激光器以及原子振荡器。面发光激光器能够实现偏振方向的稳定化。面发光激光器包括基板以及设置于基板上方的层叠体，层叠体包括：设置于基板上方的第一反射镜层、设置于第一反射镜层上方的活性层、以及设置于活性层上方的第二反射镜层，在俯视观察下，层叠体具有：第一变形施加部(2a)、第二变形施加部(2b)、以及设置于第一变形施加部与第二变形施加部之间并使在活性层产生的光共振的共振部(2c)，第一变形施加部的侧面(106)与基板的上表面(12)所成的角度(α1)以及第二变形施加部的侧面(116)与基板的上表面所成的角度(α2)，比共振部的侧面(64)与基板的上表面所成的角度(β)大。
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公开(公告)号：CN102957091B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210285225.7
申请日：2012-08-10
Applicant: 阿科恩科技公司
IPC: H01S5/30
CPC classification number: H01S5/187 , B82Y20/00 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/1808 , H01L33/34 , H01S5/125 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3201 , H01S5/3223 , H01S5/3224 , H01S5/3427 , Y02E10/547
Abstract: 提供了张应变锗，其被充分张应变，以提供近乎直接带隙材料或完全直接带隙材料。与锗区域接触的承受压应力或拉伸应力的应力源材料在锗区域中引起单轴或双轴张应变。应力源材料可以包括氮化硅或硅锗。所产生的应变锗结构可被用于发射或检测光子，包括例如在谐振腔中产生光子以提供出激光器。
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公开(公告)号：CN104106185A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201380007558.6
申请日：2013-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01S5/187
CPC classification number: H01S5/18377 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/187 , H01S5/3201 , H01S5/3213 , H01S5/3432 , H01S2301/176
Abstract: 一种垂直共振腔面发射激光器(10)，其具备量子阱的活性层(50)、夹着该活性层(50)的第一包层(40)以及第二包层(60)、在第一包层(40)的与活性层(50)相反侧配置的第一多层膜反射层(30)、在第二包层(60)的与活性层(50)相反侧配置的第二多层膜反射层(80)、在第一多层膜反射层(30)的与第一包层(40)相反侧配置的第一电极(91)、以及在第二多层膜反射层(80)的与第二包层(60)相反侧配置的第二电极(92)。在第一包层(40)以及第二包层(60)的至少一方具备低活性能量层(42、62)，该低活性能量层(42、62)成为比用于形成活性层(50)的量子阱的锁光层的最小带隙小且比量子阱的带隙大的带隙。
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公开(公告)号：CN102422496B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080020499.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3201 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供可减少由晶格弛豫引起的载流子阻挡性能降低的氮化物半导体发光元件。支撑基体(13)的六方晶系GaN的c轴向量VC相对于主面(13a)的法线轴Nx朝X轴方向倾斜。在半导体区域(15)中，有源层(19)、第一氮化镓基半导体层(21)、电子阻挡层(23)及第二氮化镓基半导体层(25)在支撑基体(13)的主面(13a)上沿法线轴Nx排列。p型覆层(17)包含AlGaN，电子阻挡层(23)包含AlGaN。电子阻挡层(23)承受X轴方向的拉伸应变。第一氮化镓基半导体层(21)承受X轴方向的压缩应变。界面(27a)处的错配位错密度低于界面(27b)处的错配位错密度。由于压电极化而使界面(27a)对电子的势垒升高。
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公开(公告)号：CN103222072A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180056609.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/26 , H01L21/02381 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02543 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L2924/0002 , H01L2933/0091 , H01S5/3201 , H01S2301/173 , H01L2924/00
Abstract: 说明了一种用于制造具有基于材料系统AlInGaP的半导体层堆叠（1）的光电子半导体芯片（10）的方法，其中提供生长衬底（2），所述生长衬底具有硅表面。将压缩松弛的缓冲层堆叠（3）施加在所述生长衬底（2）上。将半导体层堆叠（1）变质地外延生长在缓冲层堆叠（3）上。半导体层堆叠（1）具有被设置为生成辐射的活性层。还说明了一种借助于这样的方法制造的半导体芯片（10）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103190041A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180051842.4
申请日：2011-10-26
Applicant: 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01L29/045 , B82Y20/00 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/12
Abstract: 制造半极性III-氮化物装置的基底的方法，包括图案化半极性III-氮化物基底或外延层的表面并在其上形成一个或多个台面，由此形成包括各台面的半极性III-氮化物基底或外延层的图案表面，各台面沿着穿透位错滑移的方向具有尺寸l，其中穿透位错滑移由基底或外延层的非图案表面上异质外延地和共格地沉积的III-氮化物层产生。
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公开(公告)号：CN103026561A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180026342.5
申请日：2011-05-26
Applicant: 康宁股份有限公司
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S2301/173
Abstract: 提供了一种GaN基边缘发射激光器，它包含半极性GaN衬底10、有源区20、N侧波导层30、P侧波导层40、N型包覆层50和P型包覆层60。GaN衬底的特征是穿透位错密度约为1x106/cm2。N侧波导层的应变-厚度积超过其应变弛豫临界值。此外，对于在弛豫的N侧波导层30上的生长，所计算的有源区20的累计应变-厚度积小于其应变弛豫临界值。结果，N型包覆层50与N侧波导层30之间的N侧界面70包含一组N侧错配位错75，而P型包覆层60与P侧波导层40之间的P侧界面80包含一组P侧错配位错85。
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公开(公告)号：CN102804416A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080065555.4
申请日：2010-10-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 折田贤儿
CPC classification number: H01L33/0045 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/2201 , H01S5/3201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明的半导体发光元件，具备在基板(1)的上表面所设置、且包括活性层(6)的氮化物半导体多层膜。在与活性层(6)的下表面接触的层或者活性层(6)上，形成有凹部(2)、段差和突状部之中至少1种；在氮化物半导体多层膜的上部，形成具有前端面和后端面、且构成光波导路的脊条，从脊条的宽度方向的中心至凹部(2)、段差或突状部的宽度方向的中心之距离，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化；活性层(6)的带隙能量，从前端面朝向后端面连续性地或阶段性地变化。
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公开(公告)号：CN101467314B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780021136.9
申请日：2007-06-04
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/1833 , H01S5/18372 , H01S5/3201 , H01S5/423
Abstract: 本发明提供一种面发光型半导体激光管，其能够以低成本容易地制造并能够将激光的偏振方向稳定在一个方向及增大输出。该半导体激光管包括发光单元(20)，所述发光单元具有依次层叠在基板(10)上的下第一DBR镜层(12)、下第二DBR镜层(13)、下隔离层(14)、具有发光区域(15A)的有源层(15)、上隔离层(16)、电流限制层(17)、上DBR镜层(18)和接触层(19)。下第一DBR镜层(12)包括氧化部分(30)，该氧化部分(30)围绕对应于发光区域(15A)的区域设置并在围绕发光区域(15A)旋转的方向上非均匀分布。氧化部分(30)由通过氧化低折射率层(12A)获得的一对多层膜(31、32)形成。这在有源层(15)中产生对应于多层膜(31、32)的不均匀分布的各向异性应力。
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公开(公告)号：CN102292884A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200980155417.2
申请日：2009-12-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种氮化物半导体发光元件，其包括设置在具有半极性面的GaN支撑基体上的发光层，可抑制因错配位错导致的发光效率的降低。氮化物半导体发光元件(11)包括：包含六方晶系氮化镓的支撑基体(13)；包含InX1AlY1Ga1-X1-Y1N(0＜X1＜1，0＜Y1＜1，X1+Y1＜1)层(21)的n型氮化镓系半导体层(15)；发光层(17)；及p型氮化镓系半导体层(19)。该InAlGaN层(21)设置在半极性主面(13a)和发光层(17)之间。InAlGaN层(21)的带隙(E)为氮化镓的带隙(E)以上，因此可提供向发光层(17)的载流子及光的封闭效果。虽InAlGaN层(21)的c面(Sc2)相对于法线轴(AX)倾斜，但以c面为主的滑移面的错配位错的密度相比AlGaN有所降低。
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