公开(公告)号：JP2021176190A

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JP2021010781

申请日：2021-01-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 瀬尾 哲史 ,  鈴木 恒徳 ,  橋本 直明

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50

Abstract: 【課題】利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供する。 【解決手段】第1の電極と、第2の電極と、第1の層と、を有する発光デバイスであって、第1の層は、発光性の材料、第1の材料および第2の材料を含む。なお、第1の材料は第1のアントラセン骨格および第1の置換基を備え、第1の置換基は第1のアントラセン骨格と結合し、第1の置換基は複素芳香環を含む。また、第2の材料は、第2のアントラセン骨格、第2の置換基および第3の置換基を備え、第2の置換基は第2のアントラセン骨格と結合し、第2の置換基は環構造が炭素で構成された芳香環を含み、第3の置換基は第2のアントラセン骨格と結合し、第3の置換基は環構造が炭素で構成された芳香環を含み、第3の置換基は、前記第2の置換基とは異なる構造を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021176151A

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JP2021122233

申请日：2021-07-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 井上 信洋 ,  木村 佳 ,  片庭 佐智子 ,  田島 亮太

IPC: H01M4/13 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01M4/36

Abstract: 【課題】リチウムイオン電池またはリチウムイオンキャパシタの充放電の繰り返しにおい て、充放電の副反応として生じる電解液等の分解反応を最小限に抑えることで、長期的な リチウムイオン電池またはリチウムイオンキャパシタのサイクル特性を向上させる。 【解決手段】負極集電体と、負極集電体上の、複数の粒状の負極活物質を有する負極活物 質層と、を有する蓄電装置用負極であって、粒状の負極活物質は、表面の一部に第1の無 機化合物を成分として含む無機化合物膜を有する。また、負極活物質層は、一部の負極活 物質の露出部及び無機化合物膜に接する被膜を有する。上記被膜は、有機化合物及び第2 の無機化合物を成分として含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021175706A

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：JP2021122245

申请日：2021-07-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 廣橋 拓也 ,  足立 駿介

IPC: C01B32/194 ,  C01B32/182

Abstract: 【課題】電気機器に用いることのできる、リチウムイオンを透過するグラフェンを提供す る。 【解決手段】グラフェン中に、環員数が9以上の炭素環を設ける。環員数が9以上の炭素 環は、リチウムイオンに対する最大ポテンシャルがほぼ0電子ボルトであるため、リチウ ムイオンが透過する間隙として機能させることができる。このようなグラフェンを電極や 活物質表面に被覆すると、リチウムイオンの移動を妨げずに、電極や活物質と電解液との 反応を抑制できる。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6957670B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2020068056

申请日：2020-04-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 瀬尾 哲史 ,  渡部 剛吉 ,  渡部 智美

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/12 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50

公开(公告)号：JP6957668B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2020063200

申请日：2020-03-31

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 神長 正美 ,  相原 大和 ,  栃林 克明 ,  荒川 徹

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP6957582B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2019213950

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 荻田 香 ,  鈴木 恒徳 ,  瀬尾 哲史

IPC: C09K11/06 ,  H01L51/50

公开(公告)号：JP6957210B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2017109847

申请日：2017-06-02

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 黒川 義元

IPC: H04N5/225 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H04N5/374

公开(公告)号：JP6956784B2

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：JP2019523202

申请日：2018-05-29

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 池田 隆之

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/3745

公开(公告)号：JPWO2020084415A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：JPIB2019058888

申请日：2019-10-18

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  高橋 絵里香 ,  福島 邦宏 ,  栃林 克明 ,  方堂 涼太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336

Abstract: 信頼性が良好な半導体装置を提供する。酸化物半導体を形成し、酸化物半導体に接する第1の絶縁体を成膜し、第1の絶縁体上に、第2の絶縁体を成膜し、第2の絶縁体上に、第3の絶縁体を成膜し、第3の絶縁体、第2の絶縁体、および第1の絶縁体に、開口部を形成し、開口部内を洗浄し、洗浄された開口部内に導電体を埋め込み、第1の絶縁体は、過剰酸素領域を含むように形成され、第2の絶縁体は、第1の絶縁体よりも、酸素、水素、または水に対する高いバリア性を有するように形成され、開口部は、円柱、または逆円錐の形状になるように加工する。

公开(公告)号：JPWO2020084406A1

公开(公告)日：2021-10-28

申请号：JPIB2019058842

申请日：2019-10-17

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平 ,  神保 安弘 ,  石川 純 ,  手塚 祐朗 ,  掛端 哲弥

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。第1の酸化物と、第1の酸化物上の第1の導電体および第2の導電体と、第1の導電体上の第1の絶縁体と、第2の導電体上の第2の絶縁体と、第1の絶縁体および第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第1の酸化物上で、第1の導電体と第2の導電体の間に配置される第2の酸化物と、第2の酸化物上の第4の絶縁体と、第4の絶縁体上の第3の導電体と、第3の絶縁体の上面、第2の酸化物の上面、第4の絶縁体の上面、および第3の導電体の上面に接する、第5の絶縁体と、第1の絶縁体、第3の絶縁体、第5の絶縁体に形成された開口に埋め込まれ、第1の導電体に接する、第4の導電体と、第2の絶縁体、第3の絶縁体、第5の絶縁体に形成された開口に埋め込まれ、第2の導電体に接する、第5の導電体と、を有し、第3の絶縁体は、第4の導電体との界面近傍、および第5の導電体との界面近傍に、第3の絶縁体の他の領域より窒素濃度が高い領域を有する。