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公开(公告)号:JP2012517035A
公开(公告)日:2012-07-26
申请号:JP2011548748
申请日:2010-02-03
Applicant: エコール ポリテクニックEcole Polytechnique
Inventor: イスラエル ヴェイユー , ニコラ オリヴィエ , デルフィーヌ マルヴィーナ ダニエル マリー ドゥバール , エマニュエル ジャン=マルク ボールペール , ジャン=ルイ マルタン
IPC: G02B21/00
CPC classification number: G02B21/002 , G02B21/0048
Abstract: 本発明は、
集束された光学的励起ビームを測定すべき対象物に対して移動させて、前記ビームの焦点が前記対象物の容積内の既定の経路の少なくとも1つを進むようにする段階と;
取得パラメータの少なくとも1つに従って前記経路に沿って光学的測定信号を取得する段階と;
を含む、レーザ走査顕微鏡法による信号の取得方法であって、
連続的な取得の間、前記励起ビームによる通過を受ける媒体の少なくとも一部の光学的特性の変化が実質的に最小化されるように励起ビームの経路を決定すること、及び前記励起ビームの移動の間に、前記取得パラメータのうちの少なくとも1つの取得パラメータを調節すること、
を特徴とする前記方法に関する。 本発明は、前記方法を実施するデバイスにも関する。-
公开(公告)号:JP2011172954A
公开(公告)日:2011-09-08
申请号:JP2011097380
申请日:2011-04-25
Applicant: Epfl Ecole Polytechnique Federale De Lausanne , Univ De Geneve , ウペエフエル・エコル・ポリテクニック・フェデラル・ドゥ・ローザンヌEpfl Ecole Polytechniquefederale De Lausanne , ユニヴェルシテ・ドゥ・ジュネーブUniversite De Geneve
Inventor: DESCOUTS PIERRE , ARONSSON BJOERN-OWE , GRAETZEL MICHAEL , VIORNERY CARINE , PECHY PETER
IPC: A61C13/10 , A61L27/00 , A61B17/58 , A61C8/00 , A61F2/00 , A61F2/28 , A61F2/30 , A61L27/06 , A61L27/10 , A61L27/32 , A61L27/34 , C07F9/38 , C07F9/40
CPC classification number: A61F2/28 , A61C8/0012 , A61C2008/0046 , A61F2/0095 , A61F2/30767 , A61F2310/00017 , A61F2310/00023 , A61F2310/00029 , A61F2310/00047 , A61F2310/00053 , A61F2310/00059 , A61F2310/00089 , A61F2310/00095 , A61F2310/00131 , A61F2310/00401 , A61F2310/00407 , A61F2310/00413 , A61F2310/00431 , A61F2310/00443 , A61F2310/00449 , A61F2310/00485 , A61F2310/00491 , A61F2310/00544 , A61F2310/00598 , A61F2310/00616 , A61F2310/0073 , A61F2310/00748 , A61F2310/00796 , A61F2310/00856 , A61F2310/0088 , A61F2310/00928 , A61F2310/00976 , A61L27/06 , A61L27/10 , A61L27/32 , A61L2430/02 , C07F9/3808 , C07F9/3843 , C07F9/3865 , C07F9/3873 , C07F9/4046 , C07F9/5721 , C07F9/582 , C07F9/65061 , C07F9/6561
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an endosseous implant which can be used as a prosthesis in order to fix a denture and a bone anchored hearing aid in dentistry. SOLUTION: The endosseous implant is applied to a human or animal bone. The implant has a surface made from selected metal, selected metal alloy or ceramic. Each of the metal and the metal alloy is selected from chromium, niobium, tantalum, vanadium, zirconium, aluminum, cobalt, nickel, stainless steel or an alloy thereof. The surface has smooth or rough texture. The surface is processed with at least one pharmaceutically allowable organic compound which holds at least one phosphonic acid group or a derivative thereof, preferably the pharmaceutically allowable salt, ester, or amide. Further, a method for manufacturing the implant is provided. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题:提供可以用作假体的骨内植入物,以便将义齿和骨锚固助听器固定在牙科中。 解决方案:将骨内植入物施用于人或动物骨骼。 植入物具有由选定的金属,选定的金属合金或陶瓷制成的表面。 金属和金属合金各自选自铬,铌,钽,钒,锆,铝,钴,镍,不锈钢或其合金。 表面光滑或粗糙。 表面用至少一种保留至少一种膦酸基团或其衍生物,优选药学上可允许的盐,酯或酰胺的药学上可接受的有机化合物进行处理。 此外,提供了一种用于制造植入物的方法。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP2010508674A
公开(公告)日:2010-03-18
申请号:JP2009535601
申请日:2007-10-26
Inventor: デ ムーレンドル,ティボー ケルヴィン , ダイネカ,ドゥミトゥリ , ダオ,ティエン,ハイ , デカン,ピエール , バルキン,パヴェル , リンポール,パトリック , アイ カバロカス,ペレ ロカ
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/028 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: A method is disclosed for forming a film of an amorphous material, for example amorphous silicon, on a substrate (14), by deposition from a plasma. A substrate is placed in an enclosure having a defined volume, and a film precursor gas, for example silane, is introduced into the enclosure through pipes (20). Unreacted and dissociated gas is extracted from the enclosure through exit (22) so as to provide a low pressure in the enclosure. Microwave energy is introduced into the gas within the enclosure to produce a plasma therein by distribution electron cyclotron resonance, and cause material to be deposited from the plasma on the substrate. The normalised precursor gas flow rate, defined as the precursor gas flow rate, divided by the area of the distributed plasma source, is greater than or equal to 700sccm/m 2 , and the gas residence time, defined as the volume of the reactor divided by the effective precursor gas pumping rate, is not more than 30ms.
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84.
公开(公告)号:JP2010508446A
公开(公告)日:2010-03-18
申请号:JP2009535598
申请日:2007-10-26
Inventor: デ ムーレンドル,ティボー ケルヴィン , ダイネカ,ドゥミトゥリ , デカン,ピエール , バルキン,パヴェル , リンポール,パトリック , アイ カバロカス,ペレ ロカ
IPC: C23C16/511 , C23C16/24 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32678 , H01L31/03762 , H01L31/065 , H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: A method is described of forming a film of an amorphous material on a substrate by deposition from a plasma. The substrate is placed in an enclosure, a film precursor gas is introduced into the enclosure, and unreacted and dissociated gas is extracted from the enclosure so as to provide a low pressure therein. Microwave energy is introduced into the gas within the enclosure to produce a plasma therein by distributed electron cyclotron resonance (DECR) and cause material to be deposited from the plasma on the substrate. The said flow rate of the film precursor gas is altered during the course of deposition of material, so as to cause the bandgap to vary over the thickness of the deposited material.
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公开(公告)号:JP2010508445A
公开(公告)日:2010-03-18
申请号:JP2009535597
申请日:2007-10-26
Inventor: デ ムーレンドル,ティボー ケルヴィン , ダイネカ,ドゥミトゥリ , デカン,ピエール , バルキン,パヴェル , リンポール,パトリック , アイ カバロカス,ペレ ロカ
IPC: C23C16/511 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32366 , H01J37/32678
Abstract: A plasma excitation device is described for use in depositing a film on a substrate from a plasma formed by distributed electron cyclotron resonance. The device comprises a microwave antenna having an end from which microwaves are emitted, a magnet disposed in the region of the said antenna end and defining therewith an electron cyclotron resonance region in which a plasma can be generated, and a gas entry element having an outlet for a film precursor gas or a plasma gas. The outlet is arranged to direct gas towards a film deposition area situated beyond the magnet, as considered from the microwave antenna.
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公开(公告)号:JP2010508444A
公开(公告)日:2010-03-18
申请号:JP2009535596
申请日:2007-10-26
Inventor: デ ムーレンドル,ティボー ケルヴィン , ダイネカ,ドゥミトゥリ , デカン,ピエール , バルキン,パヴェル , リンポール,パトリック , アイ カバロカス,ペレ ロカ
IPC: C23C16/511 , C23C16/455 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32678 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H05H1/46
Abstract: An apparatus is described for depositing a film on a substrate from a plasma. The apparatus comprises an enclosure (1), a plurality of plasma generator elements (4,5) disposed within the enclosure, and means (10,12), also within the enclosure, for supporting the substrate, Each plasma generator element comprises a microwave antenna (4) having an end from which microwaves are emitted, a magnet (5) disposed in the region of the said antenna end and defining therewith an electron cyclotron resonance region in which a plasma can be generated, and a gas entry element (20) having an outlet (21) for a film precursor gas or a plasma gas. The outlet is arranged to direct gas towards a film deposition area situated beyond the magnet, as considered from the microwave antenna, the outlet being located above the ends of the magnets nearest the film deposition area, and thus being located in, or above, the hot electron confinement envelope.
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公开(公告)号:JP2006501289A
公开(公告)日:2006-01-12
申请号:JP2004540766
申请日:2003-10-01
Inventor: キンダーマン,マイク , ジョンソン,カイ , ビエリ,クリストフ
IPC: C07D473/18 , C07D209/48 , C07D239/02 , C07D333/28 , C07D473/16 , C07D519/00 , C07H19/06 , C07H19/16 , C07J19/00 , C09B11/28 , C12Q1/48
CPC classification number: C07D209/48 , C07D333/28 , C07D473/16 , C07D473/18 , C07H19/06 , C07H19/16 , C12Q1/48
Abstract: 本発明は、標識を新規基質からO
6 −アルキルグアニン−DNAアルキルトランスフェラーゼ(AGT)及びO
6 −アルキルグアニン−DNAアルキルトランスフェラーゼ融合タンパク質に転移させる方法、並びに、そのような方法において適切な新規基質に関する。 目的とするタンパク質をAGT融合タンパク質に組み入れ、得られたAGT融合タンパク質を標識を有している特定のAGT基質と接触させ、並びに、該標識を認識及び/又は操作できるように設計されているシステム内で該標識を用いて、該AGT融合タンパク質を検出し、及び、場合により、さらに操作する。 本発明の方法で使用する特定のAGT基質は、O
6 −置換グアニン誘導体又は関連する窒素含有ヒドロキシ−ヘテロ環及びそれらの硫黄類似体(ここで、該O
6 −置換基は、グアニン又は対応するヘテロ環からAGTへ移動するのに適する活性化されたメチル誘導体である)であり、さらに、1つの標識又は複数の同一であるか若しくは異なっている標識を有している。 本発明は、さらに、そのような新規AGT基質自体にも関し、また、そのような新規基質の製造方法及びそのような新規AGT基質の合成において有用な中間体にも関する。-
公开(公告)号:JP2004517656A
公开(公告)日:2004-06-17
申请号:JP2002542444
申请日:2001-11-19
Applicant: エコル・ポリテクニック・フェデラル・ドゥ・ローザンヌEcole Polytechnique Federale De Lausanne , ユニヴェルシテ・ドゥ・ジュネーブUniversite De Geneve
Inventor: アロンソン,ビェーン−オーウェ , ヴィオルヌリー,カリーヌ , グレツェル,ミハエル , デスクー,ピエール , ペシー,ペーター
IPC: A61C13/10 , A61B17/58 , A61C8/00 , A61F2/00 , A61F2/28 , A61F2/30 , A61L27/00 , A61L27/06 , A61L27/10 , A61L27/32 , A61L27/34 , C07F9/38 , C07F9/40
CPC classification number: A61F2/28 , A61C8/0012 , A61C2008/0046 , A61F2/0095 , A61F2/30767 , A61F2310/00017 , A61F2310/00023 , A61F2310/00029 , A61F2310/00047 , A61F2310/00053 , A61F2310/00059 , A61F2310/00089 , A61F2310/00095 , A61F2310/00131 , A61F2310/00401 , A61F2310/00407 , A61F2310/00413 , A61F2310/00431 , A61F2310/00443 , A61F2310/00449 , A61F2310/00485 , A61F2310/00491 , A61F2310/00544 , A61F2310/00598 , A61F2310/00616 , A61F2310/0073 , A61F2310/00748 , A61F2310/00796 , A61F2310/00856 , A61F2310/0088 , A61F2310/00928 , A61F2310/00976 , A61L27/06 , A61L27/10 , A61L27/32 , A61L2430/02 , C07F9/3808 , C07F9/3843 , C07F9/3865 , C07F9/3873 , C07F9/4046 , C07F9/5721 , C07F9/582 , C07F9/65061 , C07F9/6561
Abstract: ヒトまたは動物の骨に適用される骨内インプラントであって、インプラントの表面がチタンまたはチタン合金で製造されており、前記インプラントは滑らかなまたは粗い表面テキスチャを有し、前記表面が少なくとも1つの選択された有機ホスホン酸化合物またはその薬学的に許容されるその塩もしくはエステルもしくはアミドで処理されていることを特徴とする。 また前記インプラントの製造方法である。
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89.
公开(公告)号:JP2004163269A
公开(公告)日:2004-06-10
申请号:JP2002329615
申请日:2002-11-13
Applicant: Asahi Kasei Corp , Ecole Polytechnique Federale De Lausanne , エコール ポリテクニック フェデラル デ ローザンヌ , 旭化成株式会社
Inventor: GIRAUT HUBERT H , SANECHIKA KENICHI , SHISHIDO JUNICHI
IPC: G01N27/447 , G01N37/00
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin microchip having a microchannel having a transparent flow passage of low absorption in an ultraviolet area sealed with a fine upper substrate of excellent surface smoothness and high dimensional precision. SOLUTION: This microchip for conducting electric and/or optical measurement for a liquid sample has at least a lower substrate having a micro flow passage through which the liquid sample flows, and the upper substrate. In the microchip, at least the lower substrate comprises a transparent hydrocarbon polymer expressed by formula (1), and a relative element concentration of oxygen by X-ray photoelectron spectrometry (XPS) analysis is 5at% or more at least on the surface on the side having the flow passage of the lower substrate. COPYRIGHT: (C)2004,JPO
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种具有微通道的树脂微芯片,该微通道具有在具有优异的表面平滑度和高尺寸精度的细上层基板密封的紫外区域中具有低吸收的透明流道。 解决方案:用于对液体样品进行电和/或光学测量的微芯片具有至少一个具有液体样品流过的微流通道的下基板和上基板。 在微芯片中,至少下基板包含由式(1)表示的透明烃聚合物,X射线光电子能谱(XPS)分析的氧相对元素浓度至少在表面上为5at%以上 一侧具有下基板的流动通道。 版权所有(C)2004,JPO
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公开(公告)号:JP2021530700A
公开(公告)日:2021-11-11
申请号:JP2021502484
申请日:2019-07-17
Applicant: エコール ポリテクニック , ECOLE POLYTECHNIQUE , サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィック
Inventor: プレイラ、パスカル , リッチリィ、マクシミリアン , ブジーグ、セドリック , アレクサンドロウ、アンティゴーニ , ギャコワン、ティエリー
IPC: G01N21/64 , G01N33/536 , G01N33/53 , G01N33/569 , G01N33/02 , G01N33/15 , G01N21/78
Abstract: 本発明は、式A 1−x Ln x VO 4(1−y) (PO 4 ) y (II)のフォトルミネッセンス無機ナノ粒子をプローブとして使用して、毛細管現象試験によって、液体サンプル中の目的の生物学的または化学的物質を検出および/または定量化するためのインビトロ方法に関し、式中、Lnは、ユウロピウム(Eu)、ジスプロシウム(Dy)、サマリウム(Sm)、ネオジム(Nd)、エルビウム(Er)、イッテルビウム(Yb)、ツリウム(Tm)、プラセオジム(Pr)、ホルミウム(Ho)、およびそれらの混合物から選択され、Aは、イットリウム(Y)、ガドリニウム(Gd)、ランタン(La)、ルテチウム(Lu)、およびそれらの混合物から選択され、0
(51)Int.Cl. FI テーマコード(参考) G01N 33/02 (2006.01) G01N 33/53 M G01N 33/15 (2006.01) G01N 33/53 Z C09K 11/82 (2006.01) G01N 33/569 A G01N 33/569 B G01N 33/569 G G01N 33/02 G01N 33/15 Z C09K 11/82 (81)指定国・地域 AP(BW,GH,GM,KE,LR,LS,MW,MZ,NA,RW,SD,SL,ST,SZ,TZ,UG,ZM,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,RU,T J,TM),EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,R O,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GQ,GW,KM,ML,MR,NE,SN,TD,TG),AE,AG,AL,AM,AO,AT,AU,AZ, BA,BB,BG,BH,BN,BR,BW,BY,BZ,CA,CH,CL,CN,CO,CR,CU,CZ,DE,DJ,DK,DM,DO,DZ,EC,EE,EG,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,G T,HN,HR,HU,ID,IL,IN,IR,IS,JO,JP,KE,KG,KH,KN,KP,KR,KW,KZ,LA,LC,LK,LR,LS,LU,LY,MA,MD,ME,MG,MK,MN,MW,MX ,MY,MZ,NA,NG,NI,NO,NZ,OM,PA,PE,PG,PH,PL,PT,QA,RO,RS,RU,RW,SA,SC,SD,SE,SG,SK,SL,SM,ST,SV,SY,TH,TJ,TM, TN,TR,TT (特許庁注:以下のものは登録商標) 1.iPhone 2.TWEEN (72)発明者 プレイラ、パスカル フランス共和国、サビニー − シュル − オルジュ、アブニュ ガブリエル ペリ 112 (72)発明者 リッチリィ、マクシミリアン フランス共和国、パリ、リュ ハーシェル 4 (72)発明者 ブジーグ、セドリック フランス共和国、パリ、リュ ドゥ ラ トール 23 (72)発明者 アレクサンドロウ、アンティゴーニ フランス共和国、パレゾー、リュ シャルル ペギー 22 (72)発明者 ギャコワン、ティエリー フランス共和国、ビュール シュル イベット、リュ ドゥ ゴメツ 4 Fターム(参考) 2G043 AA01 AA04 BA14 BA16 BA17 CA03 DA05 EA01 FA01 FA03 FA06 FA07 KA02 KA03 KA05 KA09 LA02 LA03 MA01 NA01 NA04 NA06 2G054 AA07 AA10 AB04 AB05 BB07 CA20 CA22 CA23 CA30 CE02 EA03 EB01 EB02 FA12 FA29 FA32 FA33 GA02 GA03 GA04 GA05 GB02 GB10 GE06 JA01 JA02 JA11 4H001 XA08 XA15 XA23 XA39 XA57 XA64 XA71 YA59 YA60 YA62 YA63 YA66 YA67 YA68 YA69 YA70
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