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公开(公告)号:WO2005015965A1
公开(公告)日:2005-02-17
申请号:PCT/JP2004/010702
申请日:2004-07-28
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: H05K1/09
CPC classification number: H05K3/244
Abstract: 本発明の回路基板(100)は、基体(101)上に、Cu、AlまたはAgのいずれかにより構成された導電層(102)により回路が形成された回路基板(100)であって、該導電層(102)上に、ルテニウムにより構成されるルテニウム層(103)が形成されていることを特徴としている。
Abstract translation: 电路板(100)具有通过由Cu,Al或Ag构成的导电层(102)在基板(101)上形成的电路,其特征在于,在导电性材料上形成由钌构成的钌层(103) 层(102)。
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公开(公告)号:WO2005005142A1
公开(公告)日:2005-01-20
申请号:PCT/JP2004/009424
申请日:2004-07-02
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: B32B9/00
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01Q1/38 , H05K1/115 , H05K2201/0979 , H01L2924/00
Abstract: 本発明の導電性シート(1)は、絶縁性基体(2)の表裏両面に導電層が直接形成され、その表裏両面に存在する1以上の導電層が該絶縁性基体(2)を貫通するようにして開孔されているスルホールまたはビアホール(4)を介して他方の面に存在する導電層と電気的に接続されている導電性シート(1)であって、該絶縁性基体(2)の表裏両面にはその同一の表面内の他の導電層(3b,3c)とは電気的に接続していない導電層(3a)が少なくとも1以上形成されており、該導電層の1以上が形成されている絶縁性基体(2)の相当部分において、スルホールまたはビアホール(4)を2以上形成したことを特徴としている。
Abstract translation: 一种导电片(1),其中导电层直接形成在绝缘基板(2)的两侧上,并且存在于一侧的一个或多个导电层与存在于另一侧的导电层通过通孔或 打开以穿透绝缘基板(2)的通孔(4)。 导电片(1)的特征在于,在绝缘基板(2)的任一侧上,形成不与同侧的其它导电层(3b,3c)电连接的至少一个导电层(3a),并且 在绝缘基板(2)的形成有一个或多个导电层的部分中形成多于一个的通孔或通孔(4)。
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公开(公告)号:WO2004032590A1
公开(公告)日:2004-04-15
申请号:PCT/JP2003/012293
申请日:2003-09-25
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: H05K9/00
CPC classification number: H05K9/0084 , C23C14/20
Abstract: 本発明の電磁波シールド材は、ポリマーフィルム(101)の表面に、厚さが1~8μmであり、かつNi、Fe、Co、Ti、Zn、Cr、Sn、Cuおよびこれらの金属を少なくとも1種含む合金からなる群から選ばれる少なくとも1種からなるシールド層(103)が、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかの方法により1層または2層以上形成されていることを特徴としている。
Abstract translation: 一种电磁屏蔽材料,其特征在于,具有1〜8μm厚度的屏蔽层(103),其由选自Ni,Fe,Co,Ti,Zn,Cr,Sn,Cu中的至少一种构成 并且通过溅射法,气相沉积法或电镀法以单层或两层以上的形式在聚合物膜(101)的表面上形成含有至少一种这些金属的合金。
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公开(公告)号:WO2006043578A1
公开(公告)日:2006-04-27
申请号:PCT/JP2005/019177
申请日:2005-10-19
Inventor: 三浦 茂紀
CPC classification number: C22C13/00 , B23K35/262 , C25D3/60 , H01C1/14 , H01G4/228
Abstract: 本発明のSn-Ag-Cu三元合金薄膜を形成する方法は、該三元合金薄膜を電気めっきにより形成するものであり、めっき浴はSn化合物とAg化合物とCu化合物と無機系キレート剤と有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は重合リン酸塩系キレート剤または以下の化学式(I)で表されるキレート剤のいずれかであり、該有機系キレート剤は、ポルフィリン類、ジピバロイルメタン、フタロシアニン類または以下の化学式(II)で表される化合物のいずれかであることを特徴とする。 MF X (X-Y)- ・・・(I) (上記化学式(I)中、Mは任意の金属を示し、Xは任意の自然数を示し、YはMの酸化数を示す。) R-(CH 2 CH 2 O) n -A・・・(II) (上記化学式(II)中、Rは炭素数8~30のアルキル基を示し、AはCH 2 COONaまたはCH 2 SO 4 Naを示し、nは自然数を示す。)
Abstract translation: 公开了一种形成通过电镀形成三元合金薄膜的Sn-Ag-Cu三元素合金薄膜的方法。 该方法的特征在于镀浴含有Sn化合物,Ag化合物,Cu化合物,无机螯合剂和有机螯合剂; 无机螯合剂是由下列化学式(I)表示的聚合磷酸盐螯合剂或螯合剂; 有机螯合剂是卟啉,二新戊酰甲烷,酞菁,或下述化学式(II)表示的化合物之一。 (X-Y) -
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公开(公告)号:WO2004113065A1
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:PCT/JP2004/008715
申请日:2004-06-21
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: B32B9/00
CPC classification number: H05K1/0287 , H05K1/0393 , H05K3/426 , H05K2201/09609
Abstract: 本発明の導電性シート(7)は、絶縁性基体(1)の表裏両面に導電層(6)が形成され、その表裏両面の導電層(6)が該絶縁性基体(1)を貫通するようにして開孔されているスルホール(2)を介して互いに電気的に接続されているものであって、該絶縁性基体(1)の表裏両面と該スルホール(2)の壁面とにおいて同一の構成を有する導電層(6)が形成されていることを特徴としている。
Abstract translation: 本发明的导电片(7)在绝缘基板(1)的前表面和后表面上形成有导电层(6),前表面和后表面上的导电层(6)电连接到 彼此通过打开以穿过绝缘基板(1)的通孔(2),导电片的特征在于,在绝缘基板的前表面和后表面中形成相同布置的导电层(6) (1)和通孔(2)的壁表面。
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公开(公告)号:WO2004052642A1
公开(公告)日:2004-06-24
申请号:PCT/JP2003/015195
申请日:2003-11-27
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: B32B9/00
CPC classification number: C23C14/024 , C23C14/20
Abstract: 本発明の導電性シート(100)は、表面粗化処理がされていない表面を有し、かつ水分を含む揮発性成分の含有率が1質量%以下である絶縁性フィルムを基体シート(101)とし、該基体シート(101)の表裏少なくとも一方の表面にSi含有層(102)を形成し、該Si含有層(102)上に導電層(103)を形成したことを特徴とする。
Abstract translation: 导电片(100)的特征在于,在基片(101)的前侧和后侧的至少一个上形成含Si层(102),并且在含Si的层 层(102)。 基片(101)是含有不超过1质量%的包含水的挥发性成分的绝缘膜,并且基片(101)的表面不进行表面粗糙化处理。
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公开(公告)号:WO2004038065A1
公开(公告)日:2004-05-06
申请号:PCT/JP2003/012851
申请日:2003-10-07
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: C23C28/00
CPC classification number: B32B15/08 , B32B7/12 , B32B15/017 , B32B15/20 , B32B2309/105 , B32B2311/24 , C23C14/165 , C23C28/023 , C23C30/00 , C25D5/10 , C25D5/50 , Y10T428/12438 , Y10T428/12569 , Y10T428/12736
Abstract: 表面が少なくともアルミニウムで構成される薄膜(102)の全面に、金属で構成される厚み0.001~1μmの安定化層(103)をスパッタリング法、蒸着法またはイオンプレーティング法のいずれかの方法により積層してなるアルミニウム安定化積層体(101)に関する。
Abstract translation: 一种稳定化的铝层压体(101),其包括至少相对于其表面由铝构成的薄膜(102),并且通过溅射,气相沉积或离子镀法在其整个表面上层压稳定层(103 )由金属构成,厚度为0.001〜1μm。
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公开(公告)号:WO2004030907A1
公开(公告)日:2004-04-15
申请号:PCT/JP2003/012294
申请日:2003-09-25
Inventor: 三浦 茂紀
IPC: B32B15/01
CPC classification number: B32B15/018 , C23C14/16 , H01H1/02 , H01H2011/046 , H05K3/24
Abstract: 本発明は、銀で構成される表面の全面に、金、錫およびこれらを含む合金のいずれかにより構成される厚み1μm未満の安定化層を積層してなる銀安定化積層体に関する。また、上記安定化層は、スパッタリング法、蒸着法またはめっき法のいずれかにより積層することができる。
Abstract translation: 具有稳定的银层的层压体,其包含银的表面,并且整体上形成包含金,锡和含有金或锡的合金中的至少一种并且具有小于1μm的厚度的稳定层。 可以通过使用溅射法,蒸镀法或金属电镀法将稳定层层叠在银的表面上。
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