公开(公告)号：TW200836883A

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：TW096148770

申请日：2007-12-19

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 勞夫 布爾 BAUER, RALPH ,  瑪格麗特L 史考朗 SKOWRON, MARGARET L.

IPC: B24D ,  C04B ,  C09K

CPC classification number: B24D3/14 ,  B24D3/16 ,  B24D3/342 ,  B24D18/00 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/119 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9661 ,  C09K3/1409

Abstract: 本發明提供一種高溫經黏著研磨劑,其包括氧化鋁研磨砂粒及玻璃質黏著基質,該等氧化鋁研磨砂粒分布於該玻璃質黏著基質中,該玻璃質黏著基質具有一不小於1000℃之固化溫度。該等氧化鋁研磨砂粒包括具有一精細結晶微結構之多晶���-氧化鋁,其特徵在於一不大於500 nm之���-氧化鋁平均域大小,且該等氧化鋁研磨砂粒進一步包括銷定劑,該銷定劑為一在該多晶���-氧化鋁中之分散相。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种高温经黏着研磨剂,其包括氧化铝研磨砂粒及玻璃质黏着基质,该等氧化铝研磨砂粒分布于该玻璃质黏着基质中,该玻璃质黏着基质具有一不小于1000℃之固化温度。该等氧化铝研磨砂粒包括具有一精细结晶微结构之多晶���-氧化铝,其特征在于一不大于500 nm之���-氧化铝平均域大小,且该等氧化铝研磨砂粒进一步包括销定剂,该销定剂为一在该多晶���-氧化铝中之分散相。

公开(公告)号：TWI300062B

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：TW094124805

申请日：2005-07-22

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 奧利維爾 西堤 CITTI, OLIVIER ,  詹姆士A A 威廉斯 WILLIAMS, JAMES A. A. ,  查爾斯N 麥格瑞 MCGARRY, CHARLES N.

IPC: C04B ,  H01B ,  C03B

CPC classification number: C04B35/457 ,  C03B5/027 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  H05B3/03

Abstract: 本發明揭示一種以氧化錫為主之電極,其係由包含主要
成分SnO2之組合物所形成。該組合物包含添加劑,該等添
加劑包含aCuO、bZnO、及cSb2O3,其中a、b、及c代表個
別成分之重量百分率,及0.2≦(a+b)/c

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种以氧化锡为主之电极,其系由包含主要 成分SnO2之组合物所形成。该组合物包含添加剂,该等添 加剂包含aCuO、bZnO、及cSb2O3,其中a、b、及c代表个 别成分之重量百分率,及0.2≦(a+b)/c<1.0。

公开(公告)号：TWI288454B

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：TW093106956

申请日：2004-03-16

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 理查F 柏克利 BUCKLEY, RICHARD F. ,  安德魯G 海爾 HAERLE, ANDREW G. ,  漢C 張 CHANG, HAN C.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/67326

Abstract: 本發明揭示一種用於支撐複數個晶圓之晶圓載體，其包括提供於一托架內的複數個槽，該托架由碳化矽形成並具有覆蓋該碳化矽之一氧化層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于支撑复数个晶圆之晶圆载体，其包括提供于一托架内的复数个槽，该托架由碳化硅形成并具有覆盖该碳化硅之一氧化层。

公开(公告)号：TW200736349A

公开(公告)日：2007-10-01

申请号：TW095141167

申请日：2006-11-07

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 凱瑟琳 班契 BIANCHI, CATHERINE ,  夏姆查德 諾爾 NOOR, SHAMSHAD ,  克里斯多夫L 米利 MIRLEY, CHRISTOPHER L. ,  勞夫 布爾 BAUER, RALPH ,  朶路克 亞爾 YENER, DORUK

IPC: C09C

CPC classification number: C09C1/407 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/32 ,  C08K7/00 ,  C08K9/04 ,  Y10T428/249924 ,  Y10T428/2991 ,  C08L23/10

Abstract: 本發明係關於一種複合材料,其包括聚合物基質及分散於該聚合物基質中之顏料。該顏料包括水合氧化鋁顆粒材料及染料。該染料係共價結合於水合氧化鋁顆粒材料之表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种复合材料,其包括聚合物基质及分散于该聚合物基质中之颜料。该颜料包括水合氧化铝颗粒材料及染料。该染料系共价结合于水合氧化铝颗粒材料之表面。

公开(公告)号：TWI236681B

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：TW093114528

申请日：2004-05-21

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 馬修A 辛普森 SIMPSON, MATTHEW A.

IPC: H01B

CPC classification number: C04B35/6455 ,  C04B35/117 ,  C04B35/119 ,  C04B35/488 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/597 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/34 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96

Abstract: 本發明之態樣可見於一種具有一穩定氧化鋯基底、介於1×105及1×1012歐姆/平方間之表面電阻率及至少2體積％之散射材料之靜電耗散陶瓷元件。穩定氧化鋯之含量可在60至95重量％之間。本發明之另外態樣可見於一種具有穩定氧化鋯、電阻率調節劑及散射材料之靜電耗散陶瓷材料。穩定氧化鋯之含量可介於陶瓷材料之60及95重量％之間。電阻率調節劑之含量可介於5及30重量％之間。散射材料可包含至少2體積％之靜電耗散陶瓷材料。該元件可用於製造諸如硬碟驅動器等電子元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之态样可见于一种具有一稳定氧化锆基底、介于1×105及1×1012欧姆/平方间之表面电阻率及至少2体积％之散射材料之静电耗散陶瓷组件。稳定氧化锆之含量可在60至95重量％之间。本发明之另外态样可见于一种具有稳定氧化锆、电阻率调节剂及散射材料之静电耗散陶瓷材料。稳定氧化锆之含量可介于陶瓷材料之60及95重量％之间。电阻率调节剂之含量可介于5及30重量％之间。散射材料可包含至少2体积％之静电耗散陶瓷材料。该组件可用于制造诸如硬盘驱动器等电子组件。

公开(公告)号：TW200523227A

公开(公告)日：2005-07-16

申请号：TW093128872

申请日：2004-09-23

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 米蘭 寇塔 KOKTA, MILAN ,  珍妮佛 史東 桑伯格 STONE-SUNDBERG, JENNIFER ,  傑瑞 庫克 COOKE, JEFFREY ,  羅那德 亞克曼 ACKERMAN, RONALD ,  宏 翁 ONG, HUNG ,  艾蜜莉 寇里干 CORRIGAN, EMILY

IPC: C04B

CPC classification number: C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/26

Abstract: 本發明揭示單晶尖晶石晶塊、晶圓、基材及含此等之有源裝置。在一具體實施例中，此等物件具有由所改良產率代表的經降低機械應力及／或應變。此外，本發明揭示具有非化學計量組合物且在約400奈米至約800奈米波長範圍具有透明窗之單晶尖晶石材料。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示单晶尖晶石晶块、晶圆、基材及含此等之有源设备。在一具体实施例中，此等对象具有由所改良产率代表的经降低机械应力及／或应变。此外，本发明揭示具有非化学计量组合物且在约400奈米至约800奈米波长范围具有透明窗之单晶尖晶石材料。

公开(公告)号：TW200415259A

公开(公告)日：2004-08-16

申请号：TW092119130

申请日：2003-07-14

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 王尤虎 YUHU WANG

IPC: C09G ,  C25D

CPC classification number: C09G1/02 ,  C03C19/00 ,  C09K3/1445

Abstract: 一種顆粒粉末，包含一陶瓷核心及沈積於其上之二氧化鈰塗層，其可提供用於玻璃拋光配方之經濟且有效研磨劑。

Abstract in simplified Chinese: 一种颗粒粉末，包含一陶瓷内核及沉积于其上之二氧化铈涂层，其可提供用于玻璃抛光配方之经济且有效研磨剂。

公开(公告)号：TW200305479A

公开(公告)日：2003-11-01

申请号：TW092108806

申请日：2003-04-16

Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 里奧E 甘乃迪 LEO E. KENNEDY ,  歐 杭 鄺 OH-HUN KWON ,  馬修A 辛普森 MATTHEW A. SIMPSON ,  史丹利C 史密斯 STANLEY C. SMITH

IPC: B24B

CPC classification number: B24B37/30 ,  B24B37/048 ,  C04B35/488

Abstract: 揭露一種用於加工一列磁阻元件的研磨載具。此研磨載具包括多數個可移動元件，該可移動元件終止在一外表面以形成一大致平坦的鑲覆面給一列磁阻元件使用。該研磨載具是由一陶瓷材料構成的。亦揭露一種研磨或加工一列磁組元件的方法。

Abstract in simplified Chinese: 揭露一种用于加工一列磁阻组件的研磨载具。此研磨载具包括多数个可移动组件，该可移动组件终止在一外表面以形成一大致平坦的镶覆面给一列磁阻组件使用。该研磨载具是由一陶瓷材料构成的。亦揭露一种研磨或加工一列磁组组件的方法。

公开(公告)号：TWI697554B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW107117920

申请日：2018-05-25

Applicant: 美商聖高拜陶器塑膠公司 ,  SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 沃德 道格拉斯艾德文 ,  WARD, DOUGLAS EDWIN ,  夏爾拉克 傑森A ,  SHERLOCK, JASON A. ,  奎朋 安杰拉瓦米納 ,  KWAPONG, ANGELA WAMINA

IPC: C09K3/14 ,  B28B11/08 ,  C04B41/53 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

公开(公告)号：TWI681004B

公开(公告)日：2020-01-01

申请号：TW105142542

申请日：2016-12-21

Applicant: 美商聖高拜陶器塑膠公司 ,  SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.

Inventor： 戴德凡德 納茲拉 ,  DADVAND, NAZILA ,  納哈斯 納比勒 ,  NAHAS, NABIL

IPC: C08K9/04 ,  C08K3/28 ,  C08K3/34 ,  C08K3/38 ,  C08J3/20 ,  C09C3/08 ,  C09C1/00