脱臭殺菌装置
    82.
    发明专利
    脱臭殺菌装置 审中-公开
    除臭和灭菌装置

    公开(公告)号:JP2015047173A

    公开(公告)日:2015-03-16

    申请号:JP2013178520

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 【課題】圧力損失を抑制し効率的に脱臭殺菌を行うことができる、コンパクトな脱臭殺菌装置を提供する。【解決手段】回転軸を中心として放射状に取り付けられたアームを有する回転駆動可能なファンを備え、アーム表面に第一電極が形成され、回転軸を円中心とするファンの回転軌道と同心円上にアーム先端部と離間させて第二電極が配置され、第一電極と第二電極との少なくともいずれか一方の表面に誘電体層が形成される脱臭殺菌装置である。上記の脱臭殺菌装置は、アームを有する回転駆動可能なファンの、アーム表面の空気流入面側に脱臭部が形成され、アーム表面の脱臭部形成領域と異なる領域に第一電極が形成されることが好ましい。上記の脱臭部は、光触媒を含有する脱臭部が好ましく、空気流入側のアーム表面に光源を備えることが好ましい。また上記の脱臭部は、多孔質体を含有することも好ましい。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够抑制压力损失以有效地进行除臭和灭菌的紧凑型除臭消毒装置。解决方案:在除臭消毒装置中,设置有可旋转地驱动并具有径向安装的臂的风扇 旋转轴,第一电极形成在臂表面上,第二电极与臂尖部分分离并与旋转轴为中心的风扇的旋转轨道同心地布置,并且介电层形成在 所述第一和第二电极中的至少一个。 在除臭消毒装置中,优选在风扇的各个臂面的空气流入面侧形成除臭部,该除尘器能够旋转驱动并具有臂,第一电极形成在与 臂表面的除臭部分形成区域。 除臭部优选为含有光催化剂的除臭部,优选在空气流入侧臂表面设置有光源。 除臭部优选含有多孔材料。

    画像特徴抽出装置、画像特徴抽出方法、画像特徴抽出プログラム及び画像処理システム
    83.
    发明专利
    画像特徴抽出装置、画像特徴抽出方法、画像特徴抽出プログラム及び画像処理システム 审中-公开
    图像特征提取装置,图像特征提取方法,图像特征提取程序和图像处理系统

    公开(公告)号:JP2015036929A

    公开(公告)日:2015-02-23

    申请号:JP2013168830

    申请日:2013-08-15

    Inventor: HORIUCHI TOMOJI

    Abstract: 【課題】誤った画像特徴の抽出を抑えることが可能な画像特徴抽出装置、画像特徴抽出方法、画像特徴抽出プログラム及び画像処理システムを提供する。【解決手段】画像特徴抽出装置100は、輝度とノイズの関係を示す関数と、入力画像における注目画素周辺の周辺画素の輝度とに基づいてしきい値を決定するしきい値算出部110と、決定したしきい値と前記周辺画素に基づいてバイナリコード特徴量を算出するバイナリコード算出部120と、を備えるものである。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供可以抑制错误图像特征提取的图像特征提取装置,图像特征提取方法,图像特征提取程序和图像处理系统。解决方案:图像特征提取装置100包括阈值计算单元 110,其基于表示亮度和噪声之间的关系的函数以及输入图像中的目标像素周围的周边像素的亮度来确定阈值;以及二进制码计算单元120,其计算二进制码特征 基于所确定的阈值和外围像素的数量。

    撮像装置、表示装置、撮像方法及び撮像プログラム
    84.
    发明专利
    撮像装置、表示装置、撮像方法及び撮像プログラム 审中-公开
    成像设备,显示设备,成像方法和成像程序

    公开(公告)号:JP2015033056A

    公开(公告)日:2015-02-16

    申请号:JP2013162642

    申请日:2013-08-05

    Inventor: MATSUO TAKESHI

    Abstract: 【課題】撮影者の意図した通りの3Dの画像を撮影又は表示することが可能な撮像装置、表示装置、撮像方法及び撮像プログラムを提供すること【解決手段】本発明にかかる撮像装置は、観視者の右眼に与える右眼用画像および左眼に与える左眼用画像を撮像する。撮像装置は、レンズ部を通過する光の一部を選択的に遮断して右眼用の光及び左眼用の光を前記撮像装置内に入射させる光遮断部と、撮影者の視差方向を検出する視差方向検出部と、前記視差方向検出部が検出した視差方向に基づき前記光遮断部が光を遮断する領域を選択し、前記右眼用画像又は左眼用画像を撮像するタイミングにおいて前記光遮断部に前記左眼用の光又は右眼用の光を遮断させて、前記右眼用画像及び左眼用画像を異なるタイミングで前記撮像装置に撮像させる撮像制御部を備える。撮像装置は、撮像した前記右眼用画像及び左眼用画像に、視差方向に関する情報を関連付けて記録する。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够根据成像人,成像方法和成像程序来预期地捕获或显示3D图像的成像装置和显示装置。解决方案:成像装置将右眼图像捕获为 给予观察者的右眼和给予左眼的左眼图像。 成像装置包括:遮光部,其选择性地屏蔽通过透镜部分的一部分光,并使右眼光和左眼光入射到成像装置中; 用于检测成像人物的视差方向的视差方向检测部分; 以及成像控制部,其根据视差方向检测部检测出的视差方向,选择遮光部遮蔽光的区域,使遮光部遮挡左眼光或右眼 拍摄右眼图像或左眼图像的定时的光,并且使成像装置以不同的定时捕获右眼图像和左眼图像。 成像装置在将与视差方向有关的信息相关联的同时记录拍摄的右眼和左眼图像。

    映像処理装置及び方法
    87.
    发明专利
    映像処理装置及び方法 有权
    图像处理装置和方法

    公开(公告)号:JP2015022761A

    公开(公告)日:2015-02-02

    申请号:JP2014132858

    申请日:2014-06-27

    Abstract: 【課題】 CPUとGPUを同時に活用する並列演算を用いてレンダリング演算を効率かつ高速に行う。【解決手段】映像処理装置のサンプリング部は、直接光源の視点から少なくとも1つの第1VPL(Virtual Point Light)をサンプリングする。サンプリング部は、前記直接光源の視点と独立的に3D空間上に第2VPLをサンプリングする。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:通过并行计算有效和快速地执行渲染计算,同时使用CPU和GPU。解决方案:图像处理设备的采样器从直接光源视图中采样至少一个第一虚拟点光源(VPL) 。 采样器在独立于直接光源视图的3D空间中采样第二个VPL。

    超音波画像装置及びその制御方法
    88.
    发明专利
    超音波画像装置及びその制御方法 审中-公开
    超声图像装置及其控制方法

    公开(公告)号:JP2015020062A

    公开(公告)日:2015-02-02

    申请号:JP2014105508

    申请日:2014-05-21

    Abstract: 【課題】超音波画像の復元に必要な点拡散関数を正確で迅速に推定できる超音波画像装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】対象体の目標部位に超音波を照射し、反射された超音波エコーを受信して超音波信号を出力するプローブ230と、超音波信号をビームフォーミングし、ビームフォーミングされた超音波信号を出力する受信ビームフォーマ260と、ビームフォーミングされた超音波信号に対して状況変数別に予め取得された点拡散関数及び状況変数別に予め設定された位相パラメータを含む点拡散関数データベース280と、ビームフォーミングされた超音波信号に基づいて点拡散データベースから点拡散関数及び位相パラメータを選択し、選択された点拡散関数及び位相パラメータに基づいて推定された点拡散関数を用いてデコンボリューションを行って画像を生成する画像生成部270と、を備える。【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够准确且快速地估计超声波图像的恢复所需的点扩展函数的超声波图像装置及其控制方法。解决方案:超声波图像装置包括:照射的探针230 具有超声波的物体的目标位置并接收反射的超声波回波以输出超声波信号; 接收波束形成器260,其执行超声波信号的波束形成以输出经受波束形成的超声波信号; 点扩散函数数据库280,其包括先前为条件变量获取的点扩展函数和相对于经受波束形成的超声波信号而变化的条件的先前设定的相位参数; 以及图像生成部270,其通过基于经受波束形成的超声波信号从点扩展数据库中选择点扩展函数和相位参数来生成图像,并使用基于估计的点扩展函数进行去卷积 对所选择的点扩展函数和相位参数。

    半導体装置及びその製造方法
    90.
    发明专利
    半導体装置及びその製造方法 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:JP2015005746A

    公开(公告)日:2015-01-08

    申请号:JP2014123561

    申请日:2014-06-16

    Abstract: 【課題】小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、互いに隣接して配置された第1メモリセル領域MC1及び第2メモリセル領域MC2が定義された基板100、基板100の第1メモリセル領域MC1及び第2メモリセル領域MC2の境界に順次に積層されて配置されたアクティブベース(active base)110及びSTI(Shallow Trench Isolation)160、STI160の両側に配置され、アクティブベース110から突出した形状に形成された第1アクティブフィン120及び第2アクティブフィン(active fin)120と、アクティブベース110の少なくとも一側に配置されたDTI(Deep Trench Isolation)150を含む。【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题:提供允许小型化的半导体器件及其制造方法。解决方案:半导体器件1包括:基板100,第一存储单元区域MC1和第二存储单元区域MC2相邻地限定 对彼此; 在衬底100上的第一存储单元区域MC1和第二存储单元区域MC2之间的边界处依次层叠的有源基极110和浅沟槽隔离(STI)160; 第一活动翅片120和第二活动翅片120,其设置在STI 160的两侧并形成为从活动基座110突出的形状; 以及设置在活动基座110的至少一侧上的深沟槽隔离(DTI)150。

Patent Agency Ranking