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公开(公告)号：TWM580258U
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107216010
申请日：2018-11-26
Applicant: 美商吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 馬帝 摩森 H , MARDI, MOHSEN H. , 林 力輝 , LIM, LIK HUAY , 劉 金勇 , LEW, KING YON , 威德加加 安迪 , WIDJAJA, ANDY
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公开(公告)号：TWI647715B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103107399
申请日：2014-03-05
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 奇里弗 梵希利 , KIREEV, VASSILI
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公开(公告)号：TWM563076U
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106216917
申请日：2017-11-14
Applicant: 美商吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 拉菲 阿魅德 賈馬爾 , REFAI-AHMED, GAMAL , 瑞瑪林嘉 蘇芮戌 , RAMALINGAM, SURESH , 馬帝 摩森H , MARDI, MOHSEN H. , 李 天雨 , LEE, TIEN-YU , 包柏 艾佛G , BARBER, IVOR G. , 張 慶煌 , CHANG, CHEANG-WHANG , 甘地 賈斯匹利特 辛格 , GANDHI, JASPREET SINGH
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公开(公告)号：TWI627746B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103131311
申请日：2014-09-11
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 哈特 麥克J , HART, MICHAEL J. , 卡普 詹姆士 , KARP, JAMES
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公开(公告)号：TW201816966A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106124781
申请日：2017-07-24
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 卡麥羅塔 拉法爾C , CAMAROTA, RAFAEL C.
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本發明方法和設備描述使用複數個不同的線寬以策略性地配置積體電路(IC)封裝的導電元件(例如焊球)(以及用於與所屬IC封裝電連接的電路板之相應的導電襯墊)。一範例性積體電路(IC)封裝通常包含積體電路晶粒和耦接到所述積體電路晶粒的導電元件的佈局。在所述佈局的至少一個區域中，所述導電元件被配置以在所述佈局的第一維度中具有第一線寬以及在所述佈局的第二維度中具有第二線寬，並且所述第二線寬不同於所述第一線寬。一給定區域的所述線寬可根據機械、PCB佈線及/或訊號完整性考慮。
Abstract in simplified Chinese: 本发明方法和设备描述使用复数个不同的线宽以策略性地配置集成电路(IC)封装的导电组件(例如焊球)(以及用于与所属IC封装电连接的电路板之相应的导电衬垫)。一范例性集成电路(IC)封装通常包含集成电路晶粒和耦接到所述集成电路晶粒的导电组件的布局。在所述布局的至少一个区域中，所述导电组件被配置以在所述布局的第一维度中具有第一线宽以及在所述布局的第二维度中具有第二线宽，并且所述第二线宽不同于所述第一线宽。一给定区域的所述线宽可根据机械、PCB布线及/或信号完整性考虑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI533340B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW101123671
申请日：2012-07-02
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 吳昭穎 , WU, ZHAOYIN D. , 尤帕德海亞 帕瑞格 , UPADHYAYA, PARAG , 姜學文 , JIANG, XUEWEN
IPC: H01G4/005
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公开(公告)号：TWI485789B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101136771
申请日：2012-10-05
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 羅鑫勝 , LOW, SHIN S. , 辛格 英德吉特 , SINGH, INDERJIT
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4899 , H01L2224/48997 , H01L2224/49171 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3862 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
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公开(公告)号：TWI480557B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW102123781
申请日：2013-07-03
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 龔宇清 , GONG, YUQING , 劉恆立 , LIU, HENLEY , 金明燮 , KIM, MYONGSEOB , 帕拉瑪斯偉朗 蘇芮戌P , PARAMESWARAN, SURESH P. , 張慶煌 , CHANG, CHEANG-WHANG , 安格 布恩Y , ANG, BOON Y.
CPC classification number: G01R31/31926 , G01R31/2812 , G01R31/31717 , G01R31/31723 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
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公开(公告)号：TW201513305A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103128935
申请日：2014-08-22
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 林 琪云 , LIN, QI , 潘宏志 , PAN, HONG TSZ , 吳雲 , WU, YUN , 阮 冷秋 , NGUYEN, BANG-THU
IPC: H01L27/092 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/0928 , H01L21/8238 , H01L21/823842 , H01L21/823871 , H01L27/092
Abstract: 本發明揭示一種反相器，其係包括：一PMOS，該PMOS包括：一P型源極區域，一P型汲極區域，一P通道區域，其係介於該P型源極區域和該P型汲極區域之間，以及一PMOS金屬閘極區域；一NMOS，該NMOS包括：一N型源極區域，一N型汲極區域，一N通道區域，其係介於該N型源極區域和該N型汲極區域之間，以及一NMOS金屬閘極區域；一絕緣層，其係在該P通道區域和該N通道區域上方，其中該PMOS金屬閘極區域和該NMOS金屬閘極區域係在該絕緣層上方；以及一閘極接點，其係介於該NMOS金屬閘極區域和該PMOS金屬閘極區域之間。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种反相器，其系包括：一PMOS，该PMOS包括：一P型源极区域，一P型汲极区域，一P信道区域，其系介于该P型源极区域和该P型汲极区域之间，以及一PMOS金属闸极区域；一NMOS，该NMOS包括：一N型源极区域，一N型汲极区域，一N信道区域，其系介于该N型源极区域和该N型汲极区域之间，以及一NMOS金属闸极区域；一绝缘层，其系在该P信道区域和该N信道区域上方，其中该PMOS金属闸极区域和该NMOS金属闸极区域系在该绝缘层上方；以及一闸极接点，其系介于该NMOS金属闸极区域和该PMOS金属闸极区域之间。
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公开(公告)号：TWI474351B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW098139289
申请日：2009-11-19
Applicant: 吉林克斯公司 , XILINX, INC.
Inventor： 鍾 禎 路得衛克 , JONG, JAN LODEWIJK DE , 拜耳 史帝芬 , BAIER, STEVEN
IPC: H01G2/02
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L27/0207 , H01L27/0805 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
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