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公开(公告)号：KR101576545B1
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140049769
申请日：2014-04-25
Applicant: (주) 파루
Abstract: 전자파차폐필름을이용한발열매트가개시된다. 본발명의발열매트는일면에도전성실버잉크로서인쇄되어상기전원부에서공급된전원에의하여발열되는하나이상의실버발열선이인쇄되는기판과, 상기기판의일면에적층되어상기실버발열선을보호하고전자파를차폐하고, 상기기판의반대면에적층되는 TPU필름층과, 상기각각의 TPU필름층의상부에각각적층되는전도성원단, 및상기발열선에서발생되는전자파를차폐시키는 TPU 전자파차폐필름층을포함하여구성함으로써, 전자파차폐효과와주파수잡음에대한흡수에효과적인면상발열체를제작할수 있는효과가있다
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公开(公告)号：KR1020150118641A
公开(公告)日：2015-10-23
申请号：KR1020140044271
申请日：2014-04-14
Applicant: (주) 파루
CPC classification number: H05B3/34 , H05B2203/017 , H05B2203/02 , H05B2214/03 , H05K1/167
Abstract: 그라비아용 PTC 잉크를이용한 PTC 면상발열체제조방법이개시된다. 본발명은그라비아장비를이용해전도성실버잉크와 PTC 카본잉크를인쇄기반으로제작된유연성면상발열체를제작함으로써, 카시트히터나, 핸들히터, 성에제거용미러히터, 난방필름, 전기장판등여러가지난방및 히터분야에사용할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于制造用于凹版印刷的PTC油墨的PTC平面加热器的方法。 根据本发明，使用凹印设备制造基于使用导电银墨和PTC碳墨的印刷操作的柔性平面加热器，从而可用于各种加热和加热领域，例如汽车座椅加热器，方向盘加热器 ，用于除霜的镜面加热器，房间加热膜和电垫。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101499075B1
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020130092609
申请日：2013-08-05
Applicant: (주) 파루
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 유전막 표면 개질용 저전압 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 기판 상에 R2R 그라비아 공정을 이용해 인쇄된 표면개질제로 구성된 자기조립분자막(Self-assembled monolayer: SAM)과, 상기 SAM의 상부에 인쇄된 탄소나노튜브층(Carbon nanotube;CNT)으로 구성된 활성층과, 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 덮도록 인쇄된 유전체층와 상기 인쇄된 유전체층의 상부에 연속으로 인쇄된 게이트전극을 포함하여 유전막 표면 개질용 저전압 트랜지스터를 구성함으로써, 유전막 표면 개질을 통한 트랜지스터의 성능을 향상시키고 저전압인 5V로 구동시킬 수 있는 트랜지스터를 제조할 수가 있다.
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公开(公告)号：KR1020150017035A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020130092609
申请日：2013-08-05
Applicant: (주) 파루
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/0669 , H01L29/66742 , H01L51/0048
Abstract: 유전막 표면 개질용 저전압 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 기판 상에 R2R 그라비아 공정을 이용해 인쇄된 표면개질제로 구성된 자기조립분자막(Self-assembled monolayer: SAM)과, 상기 SAM의 상부에 인쇄된 탄소나노튜브층(Carbon nanotube;CNT)으로 구성된 활성층과, 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 드레인 전극을 덮도록 인쇄된 유전체층와 상기 인쇄된 유전체층의 상부에 연속으로 인쇄된 게이트전극을 포함하여 유전막 표면 개질용 저전압 트랜지스터를 구성함으로써, 유전막 표면 개질을 통한 트랜지스터의 성능을 향상시키고 저전압인 5V로 구동시킬 수 있는 트랜지스터를 제조할 수가 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于重整电介质膜表面的低压晶体管及其制造方法。 用于重整介电膜表面的低压晶体管包括通过使用R2R凹版印刷印刷的自组装单层（SAM），其由表面改性剂，印刷在 SAM由分别印刷在有源层上的碳纳米管（CNT），源电极和漏电极构成，印刷以覆盖源电极和漏电极的电介质层和栅电极， 连续印刷在印刷电介质层的上侧。 因此，本发明通过重整电介质膜的表面来改善晶体管的性能，并制造以5V为低电压驱动的晶体管。
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公开(公告)号：KR1020150004042A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020130076981
申请日：2013-07-02
Applicant: (주) 파루
IPC: G06K19/077 , G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0717 , G06K19/077 , H03M1/12
Abstract: 인쇄공정을 이용한 플렉시블 CMOS 형태의 저전압용 구동 집적 회로 제조 방법 및 이를 이용한 RFID 태그가 개시된다. 본 발명의 집적회로 제조방법은 인쇄방법을 사용하여 p형 단일벽 탄소나노튜브(SWNT;Single-wall Nanotube) 기반 트랜지스터(TR;transistor)를 인쇄한 다음, 인쇄된 SWNT 기반 TR의 표면에 전구체와 올리고머가 용해된 N형 도핑 잉크를 사용하여 트랜지스터 채널에 중첩 인쇄하여 소정의 P형 SWNT 기반 TR을 N형 SWNT 기반 트랜지스터로 전환하여 CMOS(Complementary metal oxide semiconductor)형태의 트랜지스터로 변환하여 구성함으로써, 기존 Si에 기반한 스마트폰 및 그 외의 이동식 단말기와 상호 감응이 가능하도록 하여 RFID 및 USN 분야를 실제적으로 모든 생활과 산업에 활용할 수 있도록 하는 효과가 있다.
Abstract translation: 公开了使用印刷方法制造柔性互补金属氧化物半导体（CMOS）型低压驱动集成电路的方法和使用其的RFID标签。 根据本发明的集成电路的制造方法通过使用印刷方法印刷基于p型单壁纳米管（SWNT）的晶体管（TR）来实现与现有的Si基智能手机和其它移动终端的互感， 使用其中溶解前体和低聚物的n型掺杂油墨，在印刷的基于SWNT的TR的表面上重复打印晶体管通道，并将预定的基于p型SWNT的TR转换为n型SWNT- 基于TR配置CMOS型晶体管。
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公开(公告)号：KR1020150000043A
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020130071389
申请日：2013-06-21
Applicant: (주) 파루
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/02282 , H01L29/0669 , H01L29/51
Abstract: 유전막 표면 개질용 트랜지스터 및 이의 제조 방법이 개시된다. 본 발명은 기판 상에 형성된 게이트전극과 상기 기판상에서 상기 게이트전극을 덮도록 인쇄된 유전체층과, 상기 인쇄된 유전체층의 상부에 연속으로 R2R 그라비아 공정을 이용해 인쇄된 표면개질제로 구성된 자기조립분자막(Self-assembled monolayer: SAM)과, 상기 SAM의 상부에 인쇄된 탄소나노튜브층(Carbon nanotube)으로 구성된 활성층(SWNT;Single-Wall ), 및 상기 활성층 상에서 서로 이격되어 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하여 유전막 표면 개질용 트랜지스터를 구성함으로써, 유전막 표면 개질을 통한 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수가 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于重整电介质膜表面的晶体管及其制造方法。 本发明通过包括用于对电介质膜的表面进行重整的晶体管，通过包括形成在基板上的栅电极，印刷到 覆盖基板上的栅电极，由印刷电介质膜的上侧连续使用R2R凹版印刷印刷的表面重整剂组成的自组装单层（SAM），单壁（SWNT） 由形成在SAM的上侧的碳纳米管构成的源极和漏极分别印刷在有源层上。
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公开(公告)号：KR101467469B1
公开(公告)日：2014-12-02
申请号：KR1020130036172
申请日：2013-04-03
Applicant: (주) 파루
IPC: G06K19/077 , G06K19/07 , G06K17/00
Abstract: 인쇄메모리회로장치및 이를이용한 RFID 태그가개시된다. 본발명은클록신호를발생시키는클럭신호발생기의클럭신호를이용하여링 카운터의 2배의출력특성을얻기위한존슨링 카운터와존슨링 카운터의출력신호로 NAND 게이트와 NOR 게이트를사용하여메모리제어신호를생성하는디코딩게이트와디코딩게이트의신호로부터 1킬로비트의신호를저장할수 있는 NAND 형식의메모리를포함하여구성함으로써, 저성능의동일형(n형또는 p형) 트랜지스터만을이용하여태그의정보신호를생성할수 있을뿐만아니라높은비트의태그인쇄시트랜지스터의개수를감소시켜제한된사이즈내에서도회로구현이가능해진다.
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