平板显示器及其制备方法

    公开(公告)号:CN100485907C

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200610106394.4

    申请日:2006-07-14

    CPC classification number: H01L27/283 H01L27/3244 H01L51/0545

    Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法,包括如下步骤:制备绝缘基板;在绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域;在源电极和漏电极上形成第一钝化层;在第一钝化层上形成具有对应于沟道区域的开口的金属层;通过使用金属层作为掩模在第一钝化层中形成沉积开口来通过第一钝化层上的开口暴露沟道区域;在沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层;以及去除金属层、有机半导体层和第二钝化层,允许形成在沉积开口中的这些层保留。

    控制内电压电平的内部电压发生电路和基准电压发生电路

    公开(公告)号:CN100449643C

    公开(公告)日:2009-01-07

    申请号:CN200310118713.X

    申请日:2003-12-02

    CPC classification number: G05F3/242

    Abstract: 提供一种控制内部电压电平的内部电压发生电和基准电压发生电路,其中基准电压发生电路包括配电单元、箝位控制单元以及控制单元;配电单元响应于外部电源电压产生低于外部电源电压的电压电平,通过输出端子输出根据工作模式变化的基准电压;箝位控制单元连接在输出端子和地电压之间,响应于比基准电压电平低的控制电压电平,箝位基准电压电平在恒定电平;控制单元响应于第一和第二工作模式信号增加或减少基准电压的电压电平;控制单元包括第一控制晶体管和第二控制晶体管;基准电压发生电路根据半导体存储器件的工作模式控制基准电压电平,这样,半导体存储器件的工作特性在一些工作模式下将提高,而在另一些工作模式下它的功耗将降低。

    宽带无线通信系统中用于压缩首标的装置和方法

    公开(公告)号:CN101057461A

    公开(公告)日:2007-10-17

    申请号:CN200580038434.X

    申请日:2005-11-15

    CPC classification number: H04L47/10

    Abstract: 提供了一种在宽带无线通信系统中压缩首标的发送装置和方法。一旦从上层接收到添加了实时传输协议(RTP)首标、用户数据报协议(UDP)首标和因特网协议(IP)首标的分组,首标压缩协议层在初始发送时不压缩所述首标而发送所接收分组,并且从下次发送开始,根据在因特网技术中提供的压缩方案压缩所述首标。首标压缩汇聚子层根据从所述首标压缩协议层接收的初始首标信息对所述分组分类,存储用于所述分组分类的映射信息,并且利用所述映射信息对首标压缩的分组执行分组分类。

    非易失性存储器件和包括其的存储系统

    公开(公告)号:CN119789420A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411349989.7

    申请日:2024-09-26

    Abstract: 一种非易失性存储器件包括:外围电路结构,包括外围电路和外围电路上的下绝缘结构;单元阵列结构,具有单元区域和外围连接区域并包括:与下绝缘结构接触的上绝缘结构;单元堆叠,在上绝缘结构上在单元区域中;公共源极线层,在单元堆叠上并具有公共源极开口;多个单元沟道结构,在单元堆叠中沿垂直方向延伸并延伸到公共源极线层中;以及支撑结构,在单元堆叠中在垂直方向上延伸并且延伸到公共源极开口中;以及焊盘图案,在单元阵列结构上从外围连接区域延伸到单元区域并且在垂直方向上与支撑结构重叠。

    竖直存储器器件
    90.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110838493B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN201910757657.5

    申请日:2019-08-15

    Abstract: 一种竖直存储器器件,包括:具有外围电路结构的衬底;第一栅极图案,具有从衬底竖直地堆叠的第一栅极焊盘区域;竖直沟道结构,穿透第一栅极图案;第一栅极接触结构,每个第一栅极接触结构竖直地延伸到对应第一栅极焊盘区域;模制图案,从所述衬底彼此竖直地堆叠,其中,每个所述模制图案被定位在距所述衬底的与对应栅极图案相同的高度处;外围接触结构,穿透所述模制图案以连接到所述外围电路结构;第一块分离结构,设置在所述第一栅极接触结构与所述外围接触结构之间;以及第一外围电路连接布线,跨所述第一块分离结构而延伸,以将所述第一栅极接触结构中的一个第一栅极接触结构连接到所述外围接触结构中的一个外围接触结构。

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