公开(公告)号：CN102482763A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201180003595.0

申请日：2011-06-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  别所邦彦 ,  岛田隆司

IPC: C23C14/24 ,  H01M4/1395

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/54 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/139

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其可以避免成膜开始前不必要的成膜材料的飞散和沉积，并且可以实现使用喷嘴方式的蒸发源的稳定高效率的成膜。将蒸发室(16)和成膜室(17)真空排气，在通过传导可变结构(34)能够在两室间确保压差的状态，向蒸发室(16)中导入非反应气体，将该蒸发室内的压力调整至规定压力以上，抑制上述成膜材料的蒸发，在该状态下，向成膜室(17)中导入非反应气体，将该成膜室内的压力调整至规定压力以上，使传导可变结构(34)运行，将该状态解除后，通过移动机构(35)使蒸发源(19)移动，使开放面(14)接近基板(21)，使两室内的压力下降至低于规定压力，解除上述成膜材料的蒸发抑制，开始成膜。

公开(公告)号：CN102378826A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014488.3

申请日：2010-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 篠川泰治 ,  涩谷聪 ,  本田和义 ,  岛田隆司 ,  神山游马 ,  山本昌裕

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/50 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/541

Abstract: 在使用气体冷却的成膜方法中，一边实现充分的冷却效果一边避免因气体导入导致成膜率下降和/或对真空泵施加过大的载荷。本发明的薄膜形成装置，具备：在薄膜形成区域(9)具有与基板(7)的背面接近的冷却面(10s)的冷却体(10)；以及向冷却面(10s)和基板(7)的背面之间导入气体的气体导入单元，冷却面在基板的宽度方向剖面中具有中央部比两端部向基板7的背面突出的形状。优选的是，冷却面具有在基板的宽度方向剖面中左右对称的形状，更优选地，具有由悬垂曲线表示的形状。

公开(公告)号：CN101507022B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780031200.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 伊藤修二 ,  古结康隆 ,  岩本和也 ,  本田和义 ,  山本泰右 ,  上山康博 ,  大原敬介 ,  片山仁

IPC: H01M4/70 ,  H01M4/02 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66 ,  H01M4/662 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明涉及一种集电体，其具有有平坦面的基材部、从平坦面突出的第1突起和从第1突起的顶部突出的第2突起。另外，本发明涉及一种集电体，其具有有平坦面的基材部和从平坦面突出的第1突起，所述第1突起的顶部的粗化率为3～20。通过使用这样的集电体，在使用高容量的、锂离子吸藏时的膨胀较大的活性物质时，可抑制活性物质从集电体剥离。

公开(公告)号：CN101485011B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200780024942.1

申请日：2007-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 柏木克巨 ,  本田和义 ,  长谷川正树 ,  宇贺治亚弥 ,  古结康隆 ,  伊藤修二

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/13 ,  H01M4/386 ,  H01M4/40 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/025 ,  H01M2004/027

Abstract: 本发明提供一种负极以及包含该负极的非水电解质二次电池。所述负极是使用Li嵌入性元素作为负极活性物质的负极，可以防止负极的变形或负极活性物质层从负极集电体的剥离，锂不会向负极集电体析出，循环特性、大电流放电特性和低温的放电特性优良。本发明的负极具备：在厚度方向的表面形成有凹部和凸部的集电体；和形成集电体表面朝向集电体的外部生长、包含多个含有嵌入和脱嵌锂离子的负极活性物质的柱状体的负极活性物质层。本发明的负极的特征进一步在于，所述柱状体相对于垂直于集电体表面的方向有角度地倾斜，并且所述柱状体的倾斜角度对应于负极活性物质对锂离子的嵌入和脱嵌而可逆地变化。

公开(公告)号：CN102113162A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130297.0

申请日：2009-07-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木弘雅 ,  本田和义

IPC: H01M10/40 ,  H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/50 ,  H01M4/52

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/382 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/027 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: 在负极集电体(1)上形成含有选自硅、锗和锡中的至少一种元素的负极活性物质层(3)。通过在负极活性物质层(3)上形成锂金属层而准备负极(11)。准备具有在正极集电体(5)上形成有正极活性物质层(6)的构成的正极(11)，所述正极活性物质层(6)含有由通式Li1-xMO2表示的复合氧化物，其中，0.2≤x≤0.6，M包含选自钴、镍和锰中的至少一种过渡金属。使用负极(13)、正极(11)和隔板(4)组装锂二次电池(100)。

公开(公告)号：CN102037155A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200980118186.8

申请日：2009-05-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈崎祯之 ,  本田和义

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/1391 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C14/562 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/1395 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种如下的薄膜的制造方法：通过预测在基板产生的孔缺陷和裂缝的扩大来防止基板断裂，提高生产数量。薄膜的制造方法包括：一边在第1辊和第2辊之间进行基板的卷取行进，一边在蒸镀区域将蒸镀材料蒸镀在基板表面，形成薄膜的工序；在第1辊和第2辊之间，在蒸镀区域之前和/或之后的地点，对基板表面的预定地方照射电磁波或粒子射线，检测透过基板或从基板反射的电磁波或粒子射线的工序；存储与检测出的电磁波或粒子射线以及预定地方相关的信息的工序；基于检测出的电磁波或粒子射线，判定在预定地方的基板的缺陷是否增加的判定工序；根据在判定工序判定的结果实行基板的切断防止措施的防止工序。

公开(公告)号：CN101395741B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200780007948.8

申请日：2007-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 武泽秀治 ,  佐藤俊忠 ,  本田和义

IPC: H01M4/04 ,  H01G9/058 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01M4/0428 ,  H01G11/28 ,  H01G11/50 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/485 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/4235 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/49108 ,  Y10T29/49115

Abstract: 电化学元件用电极的制造方法具有：在集电体上设置活性物质层的A步骤、对该活性物质层赋予锂的B步骤。而且，在连续的空间中实施A步骤和B步骤。

公开(公告)号：CN101952998A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200880125713.3

申请日：2008-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小川裕子 ,  本田和义

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/70

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/133 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/1393 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种电化学元件用电极的制造方法，包括：准备表面具有高度为3μm以上10μm以下的多个凸部(4A)的片状集电体(4)的工序、和在集电体(4)的各凸部(4A)上分别形成具有叠层结构的活性物质体的工序，形成活性物质体的工序包括：通过使蒸发出的蒸镀原料从相对于集电体(4)的法线H倾斜的方向入射到集电体(4)的表面，在各凸部(4A)上形成各活性物质体的位于最靠集电体的一侧的第1层(101a)的第1层蒸镀工序；和通过使蒸发出的蒸镀原料从相对于集电体(4)的法线(H)在与第1层蒸镀工序中的蒸镀原料的入射方向相反的一侧倾斜的方向入射到集电体(4)的表面，在第1层(101a)的至少一部分上形成第2层(102a)的第2层蒸镀工序，在第1层蒸镀工序中，一边使集电体(4)向相对于集电体(4)的法线(H)的蒸镀原料的入射角度(ω)变小的方向移动一边进行蒸镀。

公开(公告)号：CN101932748A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103569.8

申请日：2009-02-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 冈崎祯之 ,  本田和义

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  H01M4/04

CPC classification number: C23C14/225 ,  C23C14/562 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058

Abstract: 本发明提供一种同时形成锂二次电池的集电引线形成部和电极活性物质部、批量生产性优异的真空蒸镀装置。在将闸门(12a、12b)关闭的状态下，将卷绕于第一辊(3)的基板(4)送出，向第二辊(8)搬送，直至到达第一和第二能够蒸镀区域(60a、60b)时停止。在此，打开闸门(12a)，使蒸发源(9)的坩埚内的蒸镀原料蒸发，向位于第一能够蒸镀区域(60a)的基板(4)的表面供给。由此，在基板(4)的表面形成第一层蒸镀膜。以规定时间在基板(4)进行蒸镀之后，关闭闸门(12a)。接着再次搬送基板(4)，使在第一能够蒸镀区域(60a)蒸镀形成的部分停止于第二能够蒸镀区域(60b)的位置。打开闸门(12a、12b)，再次进行蒸镀，在第一能够蒸镀区域(60a)形成第一层，并且在第二能够蒸镀区域(60b)，在第一层之上形成与第一层成长方向不同的第二层蒸镀膜。

公开(公告)号：CN101849033A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880114890.1

申请日：2008-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  神山游马 ,  柳智文 ,  篠川泰治 ,  山本昌裕

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  C23C16/463 ,  C23C16/466 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明提供能够均匀且充分地冷却基板的薄膜形成装置和薄膜形成的方法。本发明的薄膜形成装置在真空中、在长条的基板上形成薄膜，该薄膜形成装置包括：在开口部(31)接近搬送中的基板背面配置的冷却体(1)、向冷却体(1)与基板(21)之间导入气体的气体导入部件、在开口部(31)对移动中的基板的宽度方向两端附近进行约束的基板约束部件(3)。