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公开(公告)号：CN103871330A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410124306.8
申请日：2010-04-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/1423 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/344 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14
Abstract: 本发明涉及在操纵柔性面板时破坏驱动电路的风险小的并且具有简化的结构的电子器件（例如电子书阅读器）。该电子器件包括：多个柔性显示面板（4311、4322），每个显示面板均包括显示部分（4301、4307）和扫描线驱动电路（4321a、4321b、4322a、4322b）；信号线驱动电路（4323）；以及被配置为固定该多个柔性显示面板的结合部分（4308），其中信号线驱动电路被设置于结合部分之内。
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公开(公告)号：CN102317996B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201080007997.3
申请日：2010-04-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G06F1/1652 , G02F1/133305 , G02F1/13452 , G02F1/1368 , G06F1/1616 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1647 , G06F3/1423 , G06F3/147 , G09G3/20 , G09G3/2096 , G09G3/3225 , G09G3/344 , G09G3/3648 , G09G5/003 , G09G2300/08 , G09G2310/0218 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G09G2310/0281 , G09G2330/02 , G09G2330/021 , G09G2360/144 , G09G2380/02 , G09G2380/14
Abstract: 本发明涉及在操纵柔性面板时破坏驱动电路的风险小的并且具有简化的结构的电子器件(例如电子书阅读器)。该电子器件包括：多个柔性显示面板(4311、4322)，每个显示面板均包括显示部分(4301、4307)和扫描线驱动电路(4321a、4321b、4322a、4322b)；信号线驱动电路(4323)；以及被配置为固定该多个柔性显示面板的结合部分(4308)，其中信号线驱动电路被设置于结合部分之内。
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公开(公告)号：CN103400843A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310349668.2
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , H01L27/12
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在衬底上的半导体膜，形成在半导体膜上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上的电荷累积层，形成在电荷累积层上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的导电膜，其中，半导体膜包括包含In、Ga和Zn的化合物半导体。
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公开(公告)号：CN101064348B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200710102497.8
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 本发明的目的在于减少半导体膜的沟道形成区域的端部的特性对于晶体管的特性造成的影响。在本发明中，在衬底上形成按顺序层叠了半导体膜、栅极绝缘膜和第一导电膜的叠层体；通过选择性地除去叠层体来形成设置为岛状的多个叠层体；覆盖设置为岛状的叠层体地形成绝缘膜；使与第一导电膜的表面的高度共同延伸地除去绝缘膜的一部分，以使第一导电膜的表面露出；在第一导电膜上及残留下的第一绝缘膜上形成第二导电膜；以及在第二导电膜上形成抗蚀剂，并且以该抗蚀剂作为掩模、选择性地除去第一导电膜及第二导电膜。
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公开(公告)号：CN101064320B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200710102484.0
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/76264 , H01L27/1214
Abstract: 提供了一种半导体器件，它包括位于绝缘表面上的半导体层以及位于该半导体层上的绝缘层。该半导体层包括至少两个元件区域以及一个元件隔离区域。该元件隔离区域被设置在这两个元件区域之间。元件隔离区域包括选自氧、氮和碳中的至少一种杂质元素。与上述两个元件区域之一中所包括的第一源极和漏极区域以及上述两个元件区域中的另一个元件区域中所包括的第二源极和漏极区域相比，元件隔离区域具有更高的阻抗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102931240A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210459210.8
申请日：2008-11-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/02 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/0687 , H01L31/0725
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/02008 , H01L31/03762 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/1892 , H01L2224/73253 , H01L2924/12044 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光电转换装置及其制造方法。在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。
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公开(公告)号：CN102693919A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210162478.5
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/42368 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/13 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/78609 , H01L29/78618 , H01L29/7881
Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。
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公开(公告)号：CN101652867B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200880011362.3
申请日：2008-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/0201 , H01L31/022433 , H01L31/0504 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1896 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的要点是提供一种光伏器件，其中设置在具有绝缘表面的基板或绝缘基板上的单晶半导体层用作光电转换层，且单晶半导体层设置有所谓的SOI结构，其中单晶半导体层接合到基板且绝缘层插入其间。作为具有光电转换层功能的单晶半导体层，使用通过单晶半导体基板的外层部分的分离和转移获得的单晶半导体层。
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公开(公告)号：CN102509733A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110320098.5
申请日：2006-08-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/14645 , H01L27/3227 , H01L27/3253 , H01L27/3288 , H01L2227/326 , Y10S257/918
Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法。为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。
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公开(公告)号：CN101097391B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200710138449.4
申请日：2003-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/167
CPC classification number: G02F1/167 , G02B26/026 , G02F1/133305 , G02F1/1368 , G02F1/1676 , G02F1/1681 , G02F2001/1678 , G02F2201/123 , G09F9/372 , G09G3/344 , H01L51/0097 , H01L51/0545
Abstract: 显示器件及其制作方法本发明的目的是提供一种宜于大量生产，重量轻和可弯曲的显示器件。显示器件包括含有TFT的象素单元，TFT的有源层包括用于在绝缘层的开口部分内形成沟道部分的有机半导体材料，安排成与栅电极相符合。象素单元还包括形成在连接到TFT的电极上方的根据施加的电场改变反射率的对比介质；或者包括根据施加的电场改变反射率的含有带电粒子的一些微胶囊。象素单元由塑料衬底夹住，包括无机绝缘材料的阻挡层提供在塑料衬底和象素单元之间。
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