压电器件
    81.
    发明公开
    压电器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN115349226A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202180023499.6

    申请日:2021-04-05

    Abstract: 压电器件(100)具备支承基板(110)、配置在支承基板上的中间层(140)、配置在中间层上的压电层(130)、形成在压电层上的功能元件(120)、绝缘层(150)、和布线电极(160)。绝缘层在支承基板上配置为与由中间层以及压电层形成的层叠体(105)的侧面相接。布线电极从绝缘层上形成到压电层上,并与功能元件连接。绝缘层包含第1区域(AR1)以及第2区域(AR2)。第1区域形成得比层叠体的厚度薄。第2区域将第1区域和层叠体相连,具有从第1区域朝向压电层的上表面(131)倾斜的部分。绝缘层的第2区域不到达压电层上。

    弹性波装置
    82.
    发明公开
    弹性波装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115211035A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180017482.X

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 减少在比为了得到特性而使用的激励模式靠低频侧的频带产生的瑞利模式的杂散、以及在比上述激励模式靠高频侧的频带产生的高阶模式的杂散。弹性波装置(1)具备支承基板(2)、层叠体(3)以及IDT电极(6)。层叠体(3)包括被层叠的钽酸锂压电体层及铌酸锂压电体层,并且设置于支承基板(2)。IDT电极(6)设置于层叠体(3),具有多个电极指(63)。在将由多个电极指(63)的间距(P1)决定的弹性波的波长设为λ时,层叠体3的厚度为0.66λ以下。

    弹性波装置
    83.
    发明公开
    弹性波装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114467258A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202080066156.3

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 提供一种弹性波装置,能够应对高频化且能够提高线性度。弹性波装置(1)具备压电体层(4)、第一电极(51)以及第二电极(52)。第一电极(51)和第二电极(52)在与压电体层(4)的厚度方向(D1)交叉的方向(D2)上对置。弹性波装置(1)利用厚度剪切一阶模的体波。压电体层(4)的材料为铌酸锂或钽酸锂。压电体层(4)设置在硅基板(2)的第一主面(21)上。弹性波装置(1)还具有陷获区域(10)。陷获区域(10)设置在压电体层(4)的第二主面(42)侧。

    弹性波装置以及滤波器装置
    84.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114430885A

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202080066070.0

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明提供一种即使在推进了小型化的情况下也能够提高Q值且能够容易地进行频率的调整的弹性波装置。弹性波装置(1)具备:压电层(2),包含铌酸锂或者钽酸锂,具有相互对置的第1主面(2a)以及第2主面(2b);至少一对电极(3、4)(第1电极、第2电极),设置在压电层(2)的第1主面(2a)上;和附加膜(10),设置在电极(3、4)中的至少一个电极上或者压电层(2)上,使得在俯视下与形成有电极(3、4)的区域以及各电极(3、4)彼此之间的区域中的至少一个区域重叠,电极(3、4)是彼此相邻的电极,将压电层(2)的厚度设为d,将电极(3、4)的中心间距离设为p,在该情况下,d/p为0.5以下。

    弹性波滤波器
    85.
    发明公开
    弹性波滤波器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114402530A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202080064475.0

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 本发明提供一种即使在促进了小型化的情况下也能够兼顾横模纹波的抑制和滤波器特性的陡峭性的提高的弹性波滤波器。弹性波滤波器具备:多个弹性波谐振器,具有压电基板和构成在压电基板上的IDT电极,各弹性波谐振器具有相互交错对插的第1电极指、第2电极指,在将第1电极指和第2电极指在弹性波传播方向上相互重叠的区域设为交叉区域时,交叉区域具有中央区域和在第1电极指、第2电极指延伸的方向上配置在中央区域的两个外侧的第1边缘区域、第2边缘区域,使第1边缘区域、第2边缘区域中的声速低于中央区域中的声速,多个弹性波谐振器具有:第1弹性波谐振器,使第1边缘区域、第2边缘区域中的宽度大于中央区域中的宽度;以及第2弹性波谐振器,包含层叠了声速降低膜的结构以及在中央区域层叠了提高声速的声速提高膜的结构中的至少一者,使得第1边缘区域、第2边缘区域中的声速低于中央区域中的声速。

    弹性波装置、滤波器装置以及多工器

    公开(公告)号:CN114391221A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202080064721.2

    申请日:2020-09-17

    Abstract: 提供一种能抑制IMD且能抑制接收灵敏度劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备压电性基板(2)、第1IDT电极(3)、设置在第1IDT电极(3)的弹性波传播方向两侧的反射器(4A、4B)和设置为夹着反射器(4A)而与第1IDT电极(3)对置且构成了第2IDT(5A)的第2IDT电极(5)。第1、第2IDT电极(3、5)具有多个电极指在弹性波传播方向上相互重叠的第1、第2交叉区域(A、B)。第1、第2交叉区域(A、B)在弹性波传播方向上相互重叠。第2IDT电极(5)的第3汇流条(16)与第1IDT电极(3)的第1汇流条(12)连接,第2IDT电极(5)的第4汇流条(17)与接地电位连接。包括第2IDT电极(5)的部分的谐振频率包含于干扰波信号的频带。

    弹性波装置
    87.
    发明公开
    弹性波装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114270707A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202080059195.0

    申请日:2020-08-21

    Abstract: 本发明提供一种弹性波装置,具有弹性波谐振器和纵向耦合型弹性波谐振器滤波器,能够更加有效地抑制横模。弹性波装置(1)具备弹性波谐振器(5)和纵向耦合型弹性波谐振器滤波器(6),IDT电极中的第1、第2边缘区域(C1、C2)的作为沿着电极指(21、22)延伸的方向的尺寸的长度在纵向耦合型弹性波谐振器滤波器(6)中设得比弹性波谐振器(5)的情况短。

    弹性波装置
    88.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113678371A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202080025868.0

    申请日:2020-04-03

    Inventor: 大门克也

    Abstract: 一种弹性波装置,能够有效地抑制高次模式。本发明的弹性波装置(1)具备作为硅基板的支承基板(4)、设置在支承基板(4)上的氮化硅膜(5)、设置在氮化硅膜(5)上的氧化硅膜(6)、设置在氧化硅膜(6)上且使用了Y切割X传播的钽酸锂的压电体层(7)及设置在压电体层(7)上且具有多个电极指的IDT电极(3)。将由IDT电极(3)的电极指间距规定的波长设为λ时,压电体层(7)的膜厚为1λ以下,压电体层(7)的欧拉角为(0±5°的范围内,θ,0±5°的范围内)或(0±5°的范围内,θ,180±5°的范围内),压电体层(7)的欧拉角中的θ为相互等效的95.5°≤θ<117.5°或‑84.5°≤θ<‑62.5°,压电体层(7)的欧拉角中的θ与氮化硅膜(5)的膜厚的关系为表1或表2所示的组合。

    弹性波装置及复合滤波器装置

    公开(公告)号:CN113541639A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110374862.0

    申请日:2021-04-07

    Abstract: 提供一种弹性波装置及复合滤波器装置,能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时,氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为‑20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。

    弹性波装置
    90.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113454912A

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN202080015501.0

    申请日:2020-03-11

    Inventor: 大门克也

    Abstract: 提供一种能够抑制高阶模式的弹性波装置。弹性波装置(1)具备支承基板(3)、设置在支承基板(3)上的第一高声速膜(4)、设置在第一高声速膜(4)上的低声速膜(5)、设置在低声速膜(5)上的第二高声速膜(6)、设置在第二高声速膜(6)上的压电体层(7)以及设置在压电体层(7)上的IDT电极(8),在低声速膜(5)传播的体波的声速比在压电体层(7)传播的体波的声速低,在第一高声速膜(4)传播的体波的声速比在压电体层(7)传播的弹性波的声速高,在第二高声速膜(6)传播的体波的声速为在第一高声速膜(4)传播的体波的声速以上。

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