シリコン単結晶の製造方法
    81.
    发明专利
    シリコン単結晶の製造方法 有权
    制造硅单晶的方法

    公开(公告)号:JP2015131765A

    公开(公告)日:2015-07-23

    申请号:JP2015089367

    申请日:2015-04-24

    Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのコーナー部においてもシリコン単結晶の引き上げを適切に行うことを可能にするシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン融液の液面がコーナー部に到達した後のシリコン単結晶の引き上げ条件が、シリカガラスルツボの内表面の三次元形状に基づいて決定される。内表面の表面粗さの三次元分布は、シリカガラスルツボの内表面に沿って非接触で内部測距部を移動させ、移動経路上の複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボの内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって、内部測距部と内表面の間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と、内表面距離を関連付けることによって求められる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种制造硅单晶的方法,其中即使在石英玻璃坩埚的拐角处也可以适当地提升硅单晶。解决方案:硅单晶的升高条件在 基于石英玻璃坩埚的内表面的三维形状确定硅熔体到达角部。 内表面的表面粗糙度的三维分布通过以下方式来发现:沿着不接触的石英玻璃坩埚的内表面移动内部距离测量部分; 利用来自内部测距部的激光将运动路径上的多个测量点倾斜地照射到石英玻璃坩埚的内表面; 测量激光的反射光并改变内部距离测量部分和内表面之间的距离以及激光的发射方向,使得观察到两个峰值; 测量在两个峰之间的内表面侧上的峰的位置处的内部距离测量部分和内表面之间的内表面距离; 并将各测量点的三维坐标与内表面距离相关联。

    シリカガラスルツボの評価方法、シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法

    公开(公告)号:JP2019119618A

    公开(公告)日:2019-07-22

    申请号:JP2017253106

    申请日:2017-12-28

    Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明は、シリコン単結晶の引き上げを行った後、内表面側に設けられ、鉱化剤によってシリカガラスが結晶化された結晶層と、結晶層と接する非結晶層とが形成されるシリカガラスルツボの評価方法であって、記結晶層の表面のラマンスペクトルである第1ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における結晶層側のラマンスペクトルである第2ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における非結晶層側のラマンスペクトルである第3ラマンスペクトルを取得する工程と、第1ラマンスペクトル、第2ラマンスペクトルおよび第3ラマンスペクトルに基づきシリカガラスルツボの良否を判定する工程と、を備える。 【選択図】図9

Patent Agency Ranking