公开(公告)号：CN1296049A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00109525.0

申请日：2000-06-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  金硕珍 ,  李在锡 ,  张斗远

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,它由A12O3/SiO2复合体基金属氧化物粉末、去离子水和添加剂组成,所述金属氧化物粉末包括A12O3/SiO2复合体作为主要组份。本发明抛光组合物具有很高的去除速率,并在抛光后不产生微划痕,适用于器件晶片表面的全面平整化。

公开(公告)号：CN1285384A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00105586.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  李在锡 ,  金硕珍 ,  张斗远

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01B13/145 ,  C01B33/1417 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/22 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件化学机械抛光(CMP)的金属氧化物浆料的制备方法。在预定的压力下,将水中的金属氧化物悬浮物通过分散室的孔口分散,同时使用两个增压泵使作用于分散室的压力保持恒定,其结果限制或降低了大于或等于1微米的大颗粒的产生。金属氧化物浆料的颗粒尺寸是均匀的,其颗粒尺寸分布范围窄,显示了极好的抛光性能,显著地降低了微划痕出现的几率,适用于超集成半导体器件的CMP方法。