公开(公告)号：CN104569065B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510078344.9

申请日：2015-02-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘显明 ,  赖伟 ,  陈伟民 ,  雷小华 ,  臧志刚 ,  唐孝生

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明涉及一种大功率LED器件固晶层散热性能的快速评估方法，属于半导体器件测试技术领域。包括以下步骤：步骤一：搭建用于测量大功率LED器件瞬态电压的测试系统；步骤二：利用所述测试系统测量大功率LED器件加热电流切换至测量电流的冷却电压曲线；步骤三：对电压曲线进行归一化处理；步骤四：对归一化的电压曲线进行等效数学变换，获得时间常数谱；步骤五：对时间常数谱进行分析，提取表征固晶层的特征参数以实现其散热性能的评估；本方法利用归一化的电压曲线得到的时间常数谱的特征参量进行固晶层的散热性能评估，无需进行K系数的标定和耗散热功率的测试，因此操作简单，省时，便于(56)对比文件Péter Szabó等.SHORT TIME DIE ATTACHCHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTORDEVICES《.THERMINIC》.2007,Thomas Dannerbauer等.Inline RthControl: Fast Thermal TransientEvaluation for High Power LEDs.《THERMINIC》.2013,

公开(公告)号：CN104263362B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201410476147.8

申请日：2014-09-17

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐孝生 ,  祖之强 ,  陈威威 ,  臧志刚 ,  朱涛

IPC: C09K11/62

Abstract: 本发明公开了Ag-In-Zn-S四元合金纳米棒，所述纳米棒直径为2-10nm，长度为20-35nm，所述纳米棒中Ag、In、Zn、S四种元素的摩尔比为1：0.95-1.05：3.7-6.9：5.8-9.0。本发明制备Ag-In-Zn-S纳米棒的方法，首先配制含醋酸铟、硝酸银、油酸、三甲基氧化磷、十二硫醇和十八烯的混合溶液，然后配制硫前驱体溶液和锌前驱体溶液，接着将硫前驱体溶液和锌的前驱体溶液滴加到混合溶液，最后高速离心即得产品。本发明的Ag-In-Zn-S纳米棒，颗粒均匀，结晶程度高，光学性能优异，运用前景广阔。本发明制备Ag-In-Zn-S纳米棒的方法，整体只需两步即可完成，工艺简单，适用于工业生产。

公开(公告)号：CN105428493A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201610006255.8

申请日：2016-01-06

Applicant: 重庆大学

Inventor： 唐孝生 ,  臧志刚 ,  魏靖 ,  叶颖

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/22 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED，通过在普通的LED出光面上镀上一层ZnO薄膜，因为ZnO的折射率在2.0左右，处于空气与GaN折射率之间，使有源层发出的光更易出射，本发明同时结合表面粗化和制备周期性结构排布的微孔图案来实现LED光提取效率的显著提高。本发明还公开了上述GaN基LED结构的制备方法。

公开(公告)号：CN104569049A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510079413.8

申请日：2015-02-13

Applicant: 重庆大学

Inventor： 刘显明 ,  赖伟 ,  陈伟民 ,  雷小华 ,  唐孝生 ,  臧志刚

IPC: G01N25/72

Abstract: 本发明涉及一种无冷板的大功率LED器件固晶层散热性能快速评估方法，包括以下步骤：1)将器件放置于恒温装置，并通入正向电流，依次改变恒温装置的温度，待热平衡后，记录每个温度下器件两端的正向电压，利用电压-温度关系曲线得到K系数；2)搭建用于测量结到空气瞬态电压的测试系统；3)利用测试系统测得瞬态电压参数，并根据测得的K系数得到器件的瞬态结温响应；4)对瞬态结温进行等效数学变换，获得时间常数谱；5)对时间常数谱进行分析，提取表征固晶层的特征参数以实现其散热性能的评估。本方法利用静止空气中LED器件瞬态结温响应得到的时间常数谱进行固晶层的散热性能评估，无需将器件人工贴附于任何散热器或者控温冷板，操作简单、省时，且待测器件重复使用时无需清洗。