公开(公告)号：KR1019970018185A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950033009

申请日：1995-09-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영

IPC: H01L21/306

Abstract: 반도체 소자 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법을 개시하고 있다. 본 발명에 따른 식각 장치는, 식각챔버, 상기 식각챔버의 일 면에 설치되고, 상기 식각챔버를 접지시키기 위한 제1전극, 상기 제1전극과 대응하는 제2전극, 상기 식각챔버 내부에 장착되고 상기 제2전극 상에 설치되어 식각이 진행될 웨이퍼, 식각부산물의 양을 검출하기 위해 상기 식각챔버 내에 설치된 센서, 상기 센서와 접속되는 식각종말점 검출 장치, 상기 식각챔버를 진공으로 유지하기 위한 진공 펌프, 및 상기 식각종말점 검출 장치와 연결되는 주파수 조절장치를 구비한다. 따라서, 하부막질의 손상을 감소시키고 식각선택비를 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019950023163A

公开(公告)日：1995-07-28

申请号：KR1019930028408

申请日：1993-12-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조형민 ,  정우영

IPC: H04Q9/00

Abstract: 리모콘 휴대장치의 원격호출회로 및 방법에 관한 것으로, 특히 가전기기의 리모콘 휴대장치가 놓여진 위치를 파악할 수 있도록 본체에서 호출스위치를 눌러 리모콘 휴대장치로부터 경보음을 발생시키는 회로 및 방법에 관한 것이다.
가전기기의 리모콘 휴대장치가 놓여진 위치를 감지하기 위해 가전기기 본체에서 리모콘 휴대장치를 무선으로 원격호출하여 경보음을 발생하므로 리모콘 휴대장치의 위치를 감지한다.

公开(公告)号：KR100903055B1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：KR1020070034328

申请日：2007-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영 ,  김영민

IPC: H03L7/08

Abstract: 차지 펌프, 전압-전류 컨버터 및 전류 제어 발진기를 포함하는 위상 고정 루프가 개시된다. 차지 펌프는 바이어스 전압 및 위상차 검출 신호에 기초하여 제어 전압을 조절하기 위한 펌프 전류를 발생한다. 전압-전류 컨버터는 셀프-바이어스되고 바이어스 전압을 발생하고 제어 전압을 컨버터 전류로 변환한다. 전류 제어 발진기는 바이어스 전압에 기초하여 발진기 전류를 발생하고 발진기 전류에 상응하는 주파수를 갖는 출력 신호를 발생한다. 분주비 및 PVT 요인의 변화에 둔감한 특성을 가지며 소형화 및 저전력화에 유리한 위상 고정 루프가 구현될 수 있다.
위상 고정 루프, 전류 제어 발진기, 차지 펌프, phase-locked loop (PLL),current-controlled oscillator (CCO)

公开(公告)号：KR100630342B1

公开(公告)日：2006-09-29

申请号：KR1020040058592

申请日：2004-07-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영

IPC: H03L7/087 ,  H03L7/095

CPC classification number: H03L7/095 ,  H03L7/0891 ,  Y10S331/02

Abstract: 락 검출 기능을 구비한 위상동기루프 회로 및 위상동기루프 회로의 락 검출방법이 개시된다. 위상동기루프 회로는 락 검출회로를 구비한다. 락 검출회로는 락 윈도우 진입 검출회로 및 락 검출신호 발생회로를 구비한다. 락 윈도우 진입 검출회로는 위상/주파수 검출기에 의해 발생된 업 신호 또는 다운 신호를 락 윈도우만큼 지연시킨 신호의 선단에서 업 신호 또는 다운 신호의 상태를 검출하고, 락 윈도우 진입 검출신호를 발생시킨다. 락 검출신호 발생회로는 위상동기루프의 입력신호를 카운트하여 락 윈도우 진입 검출신호의 인에이블 상태가 소정 시간동안 계속되었을 때 락 검출신호를 발생시킨다. 위상동기루프 회로는 위상동기루프 회로의 동작영역들의 특성을 이용하여 위상동기가 충분히 이루어진 후에 락 검출신호를 출력할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050071786A

公开(公告)日：2005-07-08

申请号：KR1020040000100

申请日：2004-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영 ,  류충렬 ,  박창현

IPC: H01L21/24

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/823418

Abstract: 반도체 소자의 엘리베이티드 샐리사이드 제조방법을 제공한다. 소오스·드레인 영역의 상부와 게이트의 상부에 샐리사이드를 형성한 후, 폴리실리콘을 증착하고 열처리하여 이미 형성된 샐리사이드 위에 엘리베이티드 샐리사이드를 형성한다. 이에 의하여 콘택 영역의 저항을 줄일 수 있을 뿐 아니라 단채널 효과를 감소시키고 소오스·드레인 영역의 접합 누설 전류의 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050007907A

公开(公告)日：2005-01-21

申请号：KR1020030047539

申请日：2003-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조상연 ,  정우영

IPC: G06F12/08

CPC classification number: G06F12/0888

Abstract: PURPOSE: A cache memory device having a buffer dynamically allotted or deallocated regardless of an address and a size, a digital data processing device equipped with the same, and a method thereof are provided to allow a system using a cache memory to efficiently access the cache memory by dynamically allocating a part of the cache memory as the buffer or deallocating it. CONSTITUTION: The cache memory(120) is equipped with a tag memory and a data memory, and is used as a floating buffer by dynamically allocating or deallocating partial blocks of the tag memory and the corresponding data memory. A cache controller(123) controls allocation or deallocation when a processor(130) accesses the cache memory. The cache controller is equipped with a controlling part generating a buffer block allocating or deallocating control signal and an index storing register/mode setting circuit. When the processor accesses the cache memory, the index storing register/mode setting circuit generates a buffer block allocating or deallocating request signal and outputs one of a preset index address or mode.

Abstract translation: 目的：提供具有动态分配或释放缓冲区而不管地址和大小如何的缓冲存储器件，配备有缓冲存储器的数字数据处理设备及其方法，以允许使用高速缓冲存储器的系统有效地访问高速缓存 通过动态地将高速缓冲存储器的一部分动态地分配为缓冲器或释放它来进行存储。 构成：高速缓冲存储器（120）配备有标签存储器和数据存储器，并且通过动态地分配或取消分配标签存储器和对应的数据存储器的部分块而用作浮动缓冲器。 当处理器（130）访问高速缓冲存储器时，高速缓存控制器（123）控制分配或解除分配。 高速缓存控制器配备有产生分配或取消分配控制信号的缓冲块的控制部分和索引存储寄存器/模式设置电路。 当处理器访问高速缓冲存储器时，索引存储寄存器/模式设置电路产生分配或解除分配请求信号的缓冲器块，并输出预设索引地址或模式之一。

公开(公告)号：KR100437380B1

公开(公告)日：2004-06-25

申请号：KR1020020008561

申请日：2002-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영

IPC: B41J2/175

Abstract: PURPOSE: An ink jet printer and a method for adjusting heating voltage of the same are provided to properly maintain the ambient temperature of an ink cartridge by adjusting heating voltage of the ink jet printer. CONSTITUTION: An ink jet printer includes an ink cartridge(11), a temperature sensing section(12), a control circuit section(13), a heating voltage adjusting section(14) and a heating voltage supplying section(15). The temperature sensing section(12) detects the ambient temperature of the ink cartridge(11) so as to transmit temperature data to the control circuit section(13). The control circuit section(13) has a plurality of nodes. The heating voltage adjusting section(14) includes a plurality of transistors, a plurality of resistors, and a variable resistor. When an output value of the node is high, the transistor is turned on. When the output value of the node is low, the transistor is turned off.

Abstract translation: 目的：提供一种喷墨打印机及其调节加热电压的方法，以通过调节喷墨打印机的加热电压来适当地保持墨盒的环境温度。 本发明的喷墨打印机包括墨盒（11），温度检测部分（12），控制电路部分（13），加热电压调节部分（14）和加热电压供应部分（15）。 温度感测部分（12）检测墨盒（11）的环境温度，以便将温度数据传送到控制电路部分（13）。 控制电路部分（13）具有多个节点。 加热电压调节部分（14）包括多个晶体管，多个电阻器和可变电阻器。 当节点的输出值为高时，晶体管导通。 当节点的输出值较低时，晶体管关闭。

公开(公告)号：KR100280730B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019980038177

申请日：1998-09-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영

IPC: B41J2/21

Abstract: 본 발명은 2펜 잉크젯프린터의 경우 2개의 컬러 카트리지를 장착하여 한가지 색이 소진되면 나머지 두 가지 색과 새로 장착한 카트리지에서 나머지 한 색상을 추출하여 컬러 인쇄를 하므로써 컬러 카트리지의 잔여 잉크를 재활용하고 소모품비를 절감하기 위하여, 2펜 잉크젯프린터에 있어서; 캐리지에 장착된 카트리지의 장착 유무 및 카트리지의 종류를 비교판단하는 단계와, 컬러 카트리지와 모노 카트리지가 장착된 것으로 판단시 평상시 인쇄 작업을 수행하는 단계와, 2개의 카트리지가 모두 컬러인 것으로 판단시 윈도즈 상에서 키보드나 마우스의 입력장치를 통하여 소진된 색상을 입력하는 단계와, 소진된 색상이 입력되면 각 카트리지에서 출력할 색상에 따라 인쇄하는 단계와, 카트리지 미장착으로 판단시 카트리지 미장착 메세지를 출력하는 단계로 이루어진다.

公开(公告)号：KR100269308B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019970049093

申请日：1997-09-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/768

Abstract: PURPOSE: A method for forming the HSG(Hemi Spherical Grain) silicon film of a semiconductor device is provided to minimize the difference in the capacitance of a cell capacitor in the case that a conducting pattern is used as a storage node by forming a uniform HSG film on the surface of the conducting pattern to enlarge the surface area of the conducting pattern. CONSTITUTION: A conducting layer(44a) is formed on a semiconductor substrate(40). A photosensitive film is formed on the conducting layer(44a). By using the photosensitive film pattern as an etching mask and using source gas including fluoric radical(CxFy), the conducting layer(44a) is patterned. The photosensitive film pattern is removed by using oxygen gas including the fluoric radical(CxFy). An HSG silicon film(48) is formed on the patterned conducting layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体器件的HSG（半球形晶粒）硅膜的方法，以便在通过形成均匀的HSG将导电图案用作存储节点的情况下，最小化电池电容器的电容的差异 导电图案的表面上的膜，以扩大导电图案的表面积。 构成：在半导体衬底（40）上形成导电层（44a）。 在导电层（44a）上形成感光膜。 通过使用感光膜图案作为蚀刻掩模并且使用包括氟基（CxFy）的源气体，对导电层（44a）进行图案化。 通过使用包括氟基（CxFy）的氧气除去感光性膜图案。 在图案化的导电层上形成HSG硅膜（48）。

公开(公告)号：KR1020000013468A

公开(公告)日：2000-03-06

申请号：KR1019980032337

申请日：1998-08-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정우영

IPC: H01L21/8242

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of SRAM(Static Random Access Memory) device is provided to reduce a step difference and simplify a manufacturing process by making a plurality of overlapped contact holes at a time. CONSTITUTION: The manufacturing method comprises the steps of: forming a gate insulation layer on a semiconductor substrate in which an active region is defined; forming a gate after evaporating and patterning a first conduction layer; sequentially evaporating a first insulation layer and a second conduction layer on the gate insulation layer; forming a gate of a thin film transistor by patterning the second conduction layer; forming a second insulation layer which is used as a gate insulation layer of the thin film transistor on the second conduction layer including the gate of a thin film transistor; forming a contact hole exposing the second, first conduction layers and active region by etching the second and first insulation layer; and forming a channel of the thin film transistor by evaporating and patterning a third conduction layer on the second insulation layer including the contact hole.

Abstract translation: 目的：提供一种SRAM（静态随机存取存储器）的制造方法，以通过一次形成多个重叠的接触孔来减小阶梯差并简化制造过程。 构成：制造方法包括以下步骤：在限定有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘层; 在蒸发并图案化第一导电层之后形成栅极; 在栅极绝缘层上依次蒸发第一绝缘层和第二导电层; 通过图案化第二导电层形成薄膜晶体管的栅极; 在包括薄膜晶体管的栅极的第二导电层上形成用作薄膜晶体管的栅极绝缘层的第二绝缘层; 通过蚀刻所述第二和第一绝缘层形成暴露所述第二导电层和有源区的接触孔; 以及通过在包括所述接触孔的所述第二绝缘层上蒸发并构图第三导电层来形成所述薄膜晶体管的沟道。