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公开(公告)号：KR100208784B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019940029357
申请日：1994-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종호
IPC: G11B7/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
광자기 디스크의 미디어의 특성에 따른 재생 레이저 파워를 일정하게 되도록 제어하는 레이저 파워 제어 회로에 관한 것이다.
2. 발명에 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 레이저 파워 제어 장치는 단순히 디스크의 반사율 차만을 보완하는 정도에 지나지 않았다. 따라서, 미디어의 미세한 특성을 가지는 기록 가능한 광자기 디스크상에 기록된 정보를 재생시에는 에러가 빈번히 발생된다. 본 발명은 미디어의 특성에 따라 레이저 출력 파워를 조절하는 회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
미디어상으로부터 픽업된 고주파 출력 신호의 신호레벨을 디스크 재생시에 연속적으로 검출한다. 그리고, 상기 검출된 RFO의 신호레벨과 미리 설정된 기준 레벨을 비교한다. 상기 미리 설정된 기준 레벨 보다 큰 RFO의 신호 레벨 구간에 따라 자동 레이저 파워 제어 회로로 공급되는 PWM펄스의 듀티를 조절하여 재생 레이저의 파워가 일정하게 조절한다.
4. 발명의 중요한 용도
광기록 재생 장치. 레이저 픽업 장치.-
公开(公告)号：KR100200094B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950033233
申请日：1995-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/00
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
컴팩트 디스크
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
컴팩트 디스크에 데이터를 기록할 시 일반 기록모드와 확장 기록모드를 수행하여 디스크에 데이터를 효과적으로 기록한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
일반 기록모드 및 확장 기록모드를 구비하는 디스크 레코더에서 트랙 정보를 기록하는 디스크의 레이아웃 구조가, 일반 기록모드시 순차적으로 디스크의 내주에서 외주로 위치되는 피씨에이 영역, 피엠아이 영역, 리드인 여역, 프로그램 영역, 리드-아웃 영역들로 구성되고, 확장 기록모드 시 상기 리드-아웃 영역에 이어져 외주 방향으로 확장 피씨에이 영역, 확장 피엠에이 영역, 확장 리드-인 영역, 확장 프로그램 영역, 확장 리드-아웃 영역들이 순차적으로 위치시켜, 일반 기록모드 수행 후 블랭크 량이 많으면 확장 기록모드를 수행하여 블랭크 위치에 데이터를 추가 기록한다.
4. 발명의 중요한 용도
컴팩트 디스크에서 일반 기록모드를 수행한 후, 블랭크가 많으면 확장 기록모드를 수행하여 블랭크 위치에 데이터를 추가 기록하므로써, 디스크에 데이터를 효과적으로 기록한다.-
公开(公告)号：KR100164779B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019940033732
申请日：1994-12-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종호
IPC: G11B19/28
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
광디스크의 기록 및 재생시스템
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
피이딩 서보의 불안정 및 속도 개선을 위한 기술에 관한 것이다.
3. 발명의 해결방법의 요지
피이딩계의 이동속도의 기구적인 특성의 차이를 트랙 크로스 신호로써 판단하여 피이딩계의 최적 게인을 설정함으로써 피딩모터의 제어시 기구적인 피이딩계의 특성 차이를 최대한 반영한다.
4. 발명의 중요한 용도
광디스크의 기록 및 재생을 위한 피이딩 모터 제어용-
公开(公告)号：KR1019990015597A
公开(公告)日：1999-03-05
申请号：KR1019970037793
申请日：1997-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 플로팅 게이트와 콘트롤 게이트 사이의 층간절연막에 의한 커패시턴스를 증가시키기 위하여 플로팅 게이트와 콘트롤 게이트의 접촉면적을 증가시킨 불휘발성 메모리장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 불휘발성 메모리장치는 제2 도전형의 웰 및 제1 도전형의 웰이 차례로 형성된 제1 도전형의 반도체기판 상에 위치하고 그 상부면이 오목하게 식각되어 언더컷(undercut)을 구비한 제1 및 제2 필드산화막, 상기 제1 및 제2 필드산화막 사이의 반도체기판 상에 형성된 절연막, 상기 제1 필드산화막의 언더컷된 가장자리, 상기 절연막, 및 상기 제2 필드산화막의 언더컷된 가장자리 상에 걸쳐 형성된 제1 도전층, 상기 제1 도전층의 상부면과 측면과 상기 언더컷(undercut)에 의하여 노출된 하부면 및 상기 제1 도전층 사이에서 노출되어 있는 상기 제1 및 제2 필드산화막을 덮음으로써 상기 제1 도전층 사이에 홈을 구비하도록 형성된 층간절연막, 및 상기 홈을 매립하도록 상기 제2 절연막 상에 형성된 제2 도전층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 불휘발성 메모리장치는 플로팅 게이트와 콘트롤 게이트 사이의 층간절연막의 커패시턴스가 증가하므로 종래의 불휘발성 메모리장치에 비하여 프로그램 전압과 소거전압을 저하시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990012244A
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：KR1019970035585
申请日：1997-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/32
Abstract: 마스크 롬(Mask ROM) 반도체 장치 제조 방법을 개시한다. 본 발명은, 반도체 기판 상에 실리콘 옥시 나이트라이드(SiO
x N
y )층, 아몰포스 카본층(amorphous carbon layer) 및 그 조합층 등을 이용하여 반사 방지층(antireflecting layer)을 형성한다. 이후에, 반사 방지층 상에 포토레지스트 패턴(photoresist pattern)으로 반사 방지층을 노출시키는 마스크(mask)를 형성한다. 다음에, 마스크에 의해 노출되는 반사 방지층 하부의 반도체 기판에 불순물을 이온 주입하여 불순물층을 형성한다. 이후에, 불순물층이 형성된 반도체 기판 상에서 반사 방지층을 제거한다. 이후에, 반사 방지층이 제거된 반도체 기판 상에 게이트 산화층(gate oxide layer)을 형성한다. 다음에, 상기 게이트 산화층 상에 폴리 실리콘층(polysilicon layer) 패턴 및 금속 실리사이드층(metal silicide layer) 패턴으로 도전층 패턴을 형성한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990009762A
公开(公告)日：1999-02-05
申请号：KR1019970032260
申请日：1997-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종호
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명은 에치 백 형태의 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 절연막과 소스-드레인 금속과 n
+ 비정질 실리콘을 연속으로 증착하는 단계, 소스-드레인 전극 패턴을 형성하고 식각하는 단계, 비정질 실리콘을 증착하고 액티브 영역을 형성하는 단계, 보호막을 전면적으로 증착하고 콘택 홀을 형성하는 단계, ITO를 증착하고 패터닝하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함함으로써, 균일한 전기적 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 형성하는 것이 용이하다.-
公开(公告)号：KR100155727B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019930000312
申请日：1993-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종호
IPC: G11B7/1263
Abstract: 본 발명은 광디스크를 이용하는 장치에 있어서 기록 또는 재생을 위한 레이저파워 제어장치에 관한 것으로, 디스크의 리드인 영역에 저장된 정보를 이용하여 디스크 종류에 대응하는 최적의 레이저파워를 출력할 수 있는 최적 레이저파워 제어장치를 제공하는 데 그 목적이 있다. 광디스트의 종류 및 광디스크에 기록되어 있는 최적 레이저파워에 관한 정보를 판독하여 제어신호를 출력하는 제어수단과, 모니터다이오드의 전류를 전압으로 변환출력하는 전류전압변환부와, 설정된 소정레벨의 파워중 택일된 하나의 파워가 그 값을 유지하면서 출력되도록 제어하는 파워제어수단과, 파워제어부의 출력신호를 이용하여 레이저다이오드의 구동신호를 출력하는 레이저다이오드 구동부와, 제어신호에 응답하여 상기 정보에 실린 레이저파워를 출력할 수 있는 파워제어수단으로 변환출력되는 상기 전압이 인가되도록 경로절환을 하는 경로절환부를 구비한다. 본 발명은 최적레이저 파워값을 달리하는 각종의 디스크에 범용적으로 적용되어 정확한 신호의 기록과 재생을 가능케하고 그 결과 양질의 신호를 얻을 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019980066735A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002432
申请日：1997-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박종호
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 반도체 소자의 플러그 형성 방법을 개시한다. 그 일 실시예는 도전층 상에 절연 물질을 사용하여 층간 절연층을 형성하는 단계; 상기 도전층 상부에서 상기 층간 절연층의 일부 두깨를 식각하여 다마신 라인을 형성하는 단계; 상기 다마신 라인과 상기 도전층 사이의 층간 절연층을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계; 상기 다마쉰 라인과 콘택 홀 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 상기 단계들로 형성된 결과물 상에 텅스텐(W)을 선택적(selective) 증착하여 텅스텐층을 형성하는 단계; 및 상기 텅스텐층을 화학기계적연마(CMP)하는 단계로 이루어진다. 다른 실시예는 도전층 상에 절연 물질을 사용하여 층간 절연층을 형성하는 단계; 상기 도전층 상부에서 상기 층간 절연층의 일부 두깨를 식각하여 다마신 라인을 형성하는 단계; 상기 다마신 라인과 상기 도전층 사이의 층간 절연층을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 단계; 상기 단계들로 형성된 결과물 상에 텅스텐(W)이 선택적(selective) 증착될 수 있는 물질을 증착하여 물질층을 형성하는 단계; 상기 물질층 상에 텅스텐(W)을 선택적(selective) 증착하여 텅스텐층을 형성하는 단계; 및 상기 층간 절연층이 드러날 때가지 상기 텅스텐층을 화학기계적연마(CMP)하는 단계로 이루어진다. 그 결과 텅스텐 증착시간이 감소되고, 단차 도포성 불량으로인해 플러그 내에 보이드(void)가 발생하는 것을 방지할 수 있다는 잇점이 있다.
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公开(公告)号：KR1019980012484A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960029314
申请日：1996-07-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
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公开(公告)号：KR1019980005403A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960023903
申请日：1996-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
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