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公开(公告)号：KR101823682B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：KR1020110065175
申请日：2011-06-30
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제2 도전형반도체층; 상기제2 도전형반도체층상에활성층; 상기활성층상에제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상에제1 투광성오믹층; 및상기제1 투광성오믹층상에탄소나노층;을포함한다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件包括第二导电半导体层; 第二导电类型半导体层上的有源层; 在有源层上的第一导电半导体层; 第一导电类型半导体层上的第一透光欧姆层; 在第一个半透明欧姆层上有碳纳米层。
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公开(公告)号：KR1020170077521A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：KR1020150187471
申请日：2015-12-28
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명은발광소자에관한발명이다. 본발명의실시예에따른발광소자는, 제1 반도체층, 상기제1 반도체층상에형성된핏 형성층, 상기핏 형성층상에형성된스트레인(strain) 완화층및 상기스트레인완화층상에형성된양자우물층및 제2 반도체층을포함하되, 상기스트레인완화층은, 인이첨가된질화물층인제1 완화층; 상기제1 완화층상에배치되는질화물층인제2 완화층; 상기제2 완화층상에배치되는알루미늄이첨가된질화물층인제3 완화층; 및상기제3 완화층상에배치되는질화물층인제4 완화층을포함할수 있다.
Abstract translation: 发光装置技术领域本发明涉及一种发光装置。 根据本发明，所述第一半导体层的一个实施例的发光器件，所述第一量子阱，形成在所述半导体层坑形成层，形成在层和在形成于坑形成层中的应变（应变）缓和层，和应力释放层 2，其包括半导体层，并且所述应变消除层，加入在西班牙第一浮雕层的氮化物层的; 设置在第一弛豫层上的氮化物层荧光体2退火层; 其中，所述的设置在第二浮雕层在西班牙第三浮雕层中加入铝氮化物层; 并且设置在第三松弛层上的氮化物层磷光体4缓冲层。
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公开(公告)号：KR101701510B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020100066393
申请日：2010-07-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/105 , H01L33/465 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제2 도전형반도체층; 상기제2 도전형반도체층상에발광층; 상기발광층상에제1 도전형반도체층; 상기제2 도전형반도체층아래에반사층을포함하는제2 전극층;을포함하고, 상기발광층은, 상기반사층상에실제발광을하는제2 발광층및 상기제2 발광층상에발광을하지않는제1 발광층을포함하며, 상기반사층과상기제2 발광층사이의거리는보강간섭조건을만족할수 있다.
Abstract translation: 提供了一种半导体发光器件。 发光器件包括：第二导电半导体层（116）; 在所述第二导电半导体层上方的有源层（114）; 在所述有源层上的第一导电半导体层（112）; 和包括第二导电半导体层下面的反射层（124）的第二电极层（120）。 有源层包括在反射层上实际发射光的第二有源层（114a）和在第二有源层上不发光的第一有源层（114v）。 反射层和第二有源层之间的距离满足建设性的干涉条件。
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公开(公告)号：KR101667925B1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：KR1020100059562
申请日：2010-06-23
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Abstract: 발광소자및 발광소자패키지에관한것으로, 제 1 도전형반도체층과, 제 1 도전형반도체층위에형성되는발광층과, 발광층위에형성되는제 2 도전형반도체층과, 발광층은양자우물층과양자장벽층을포함하고, 제 1 도전형반도체층또는제 2 도전형반도체층의면방향격자상수는양자장벽층의면방향격자상수보다크고양자우물층의면방향격자상수보다작은발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020150142229A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140070627
申请日：2014-06-11
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/32 , F21K9/00 , F21Y2115/10 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/28 , H01L33/387 , H01L2924/12041
Abstract: 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층; 상기제1 도전형반도체층상측에배치되는제1 질화물활성층; 상기제1 도전형반도체층아래에배치되는제2 질화물활성층; 상기제2 질화물활성층층배치되는제2 도전형반도체층: 상기제1 도전형반도체층에전기적으로연결되는제1 전극; 및상기제2 도전형반도체층에전극적으로연결되는제2 전극;을포함할수 있다.
Abstract translation: 实施例涉及发光器件，制造发光器件的方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层; 布置在导电类型半导体层的上侧的第一氮化物有源层; 布置在第一导电类型半导体层下面的第二氮化物有源层; 布置在所述第二氮化物活性层上的第二导电类型半导体层; 电连接到第一导电类型半导体层的第一电极; 以及电连接到第二导电类型半导体层的第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150140972A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069271
申请日：2014-06-09
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/025 , H01L33/20
Abstract: 실시예에따른발광소자는, 제1도전성반도체층;상기제1도전성반도체층위에복수의피트를갖는반도체층; 상기반도체층위에상기피트가연장된활성층; 상기활성층위에배치되며상기피트를메워주는결함억제층; 상기결함억제층위에배치된캡핑층; 및상기캡핑층위에배치된제2도전성반도체층을포함하며, 상기결함억제층은상기캡핑층의에너지밴드갭보다넓은에너지밴드갭을포함한다.
Abstract translation: 根据实施例的发光器件包括第一导电类型半导体层; 在第一导电型半导体层上具有凹坑的半导体层; 其中所述凹坑在所述半导体层上延伸的有源层; 设置在活性层上并填充凹坑的缺陷防止层; 设置在缺陷防止层上的覆盖层; 以及布置在覆盖层上的第二导电类型半导体层。 缺陷防护层的能带隙比封盖层宽。
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公开(公告)号：KR1020150010147A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130084736
申请日：2013-07-18
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/38 , H01L33/42
Abstract: 실시예는 발광소자, 발광소자의 제조방법, 발광소자 패키지 및 조명시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광소자는 제1 도전형 반도체층(112); 상기 제1 도전형 반도체층(112) 상에 활성층(114); 상기 활성층(114) 상에 제2 도전형 반도체층(116); 상기 제2 도전형 반도체층(116) 상에 투광성 전극(130); 및 상기 투광성 전극(130) 상에 패턴을 포함한 질화물 파장변환층(140);을 포함할 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种发光器件及其制造方法，发光器件封装以及照明系统。 根据实施例，发光器件包括：第一导电半导体层（112）; 在第一导电半导体层（112）上的有源层; 在所述有源层（114）上的第二导电半导体层（116）; 在第二导电半导体层（116）上的透明电极（130）; 以及在透明电极（130）上包括图案的氮化物波转换层（140）。 本发明在保持发光装置的可靠性的同时提高了显色指数。
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公开(公告)号：KR101349550B1
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：KR1020080001807
申请日：2008-01-07
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
Inventor： 문용태
IPC: H01L33/22
Abstract: 발광 다이오드 제조방법이 개시된다. 본 발광 다이오드 제조방법은, 기판상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계, 제1 도전형 반도체층 상부에 활성층을 형성하는 단계, 활성층의 상부에 질소 분극형 역상 구역들을 다수 포함하는 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계, 및 제2 도전형 반도체층에서 질소 분극형 역상 구역들을 선택적으로 제거하여 요철 형상을 구현하는 단계를 포함한다.
발광 다이오드, 표면 요철, 내부 양자 효율, 광 추출 효율-
公开(公告)号：KR1020130024151A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087407
申请日：2011-08-30
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01L33/34
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to maintain the barrier height of an electron barrier layer and to reduce a leakage current. CONSTITUTION: An active layer(114) includes a quantum well and a quantum wall. The active layer is formed on a first conductive semiconductor layer(112). An electron barrier layer(126) is formed on the active layer. A second conductive semiconductor layer(116) is formed on the electron barrier layer. The energy band gap of the electron barrier layer gradually increases from the active layer to the second conductive semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件来保持电子势垒层的势垒高度并减少漏电流。 构成：活性层（114）包括量子阱和量子壁。 有源层形成在第一导电半导体层（112）上。 在有源层上形成电子势垒层（126）。 在电子阻挡层上形成第二导电半导体层（116）。 电子势垒层的能带隙从有源层逐渐增加到第二导电半导体层。
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公开(公告)号：KR1020120139402A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020110059192
申请日：2011-06-17
Applicant: 엘지이노텍 주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: PURPOSE: A light emitting device is provided to efficiently block an electron leakage by including a plurality of P type super lattice electron blocking layers between an active layer and a second conductive semiconductor layer. CONSTITUTION: An active layer(120) is formed on a first conductive semiconductor layer including a quantum well and a quantum wall. An electron blocking layer is formed on the active layer. A second conductive semiconductor layer(141) is formed on the electron blocking layer. The electron blocking layer includes an A group super lattice electron blocking layer(130A) and a B group super lattice electron blocking layer(130B). The A group super lattice electron blocking layer includes a first electron blocking layer with a first energy band gap over the energy band gap of the quantum wall. The B group super lattice electron blocking layer includes a third electron blocking layer with a third energy band gap over a first energy band gap.
Abstract translation: 目的：提供一种发光器件，用于通过在有源层和第二导电半导体层之间包括多个P型超晶格电子阻挡层来有效地阻挡电子泄漏。 构成：在包括量子阱和量子壁的第一导电半导体层上形成有源层（120）。 在有源层上形成电子阻挡层。 在电子阻挡层上形成第二导电半导体层（141）。 电子阻挡层包括A组超晶格电子阻挡层（130A）和B族超晶格电子阻挡层（130B）。 A组超晶格电子阻挡层包括在量子壁的能带隙上具有第一能带隙的第一电子阻挡层。 B组超晶格电子阻挡层包括在第一能带隙上具有第三能带隙的第三电子阻挡层。
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