公开(公告)号：CN110678503A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880032297.6

申请日：2018-05-17

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 细田朋也 ,  寺田达也 ,  山边敦美 ,  木寺信隆 ,  笠井涉

IPC: C08J5/18 ,  B32B15/08 ,  B32B15/082 ,  B32B27/12 ,  B32B27/30 ,  C08J7/00 ,  C09J7/30 ,  C09J127/14 ,  C09J127/18

Abstract: 本发明的目的在于，提供耐热性优异并且与预浸料等层叠对象物的层间粘附性优异的含氟树脂薄膜或含氟树脂层叠体、使用该薄膜或层叠体的热压层叠体的制造方法、以及印刷电路板的制造方法。一种含氟树脂薄膜，其包含熔点为260℃～380℃的含氟树脂，并且利用原子力显微镜测定所述含氟树脂薄膜的厚度方向的至少一个表面的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。一种层叠体1，其具有包含所述含氟树脂的层A10和由其它基材形成的层B12，并且利用原子力显微镜测定层A10的第二表面10b的1μm2内时的算术平均粗糙度Ra为3.0nm以上。

公开(公告)号：CN107000268B

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201580066776.6

申请日：2015-12-04

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 笠井涉 ,  铃木政己

IPC: B29C33/62 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供在高温环境下也具有优良的防静电作用且透明性优良的脱模膜以及使用了该脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜是在模具内配置半导体元件后用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的脱模性基材(2)(其中不含防静电剂)和在树脂密封部的形成时与模具接触的防静电层(3)，防静电层(3)含有选自导电性聚合物和导电性金属氧化物中的至少一种防静电剂，总光线透射率在80％以上。

公开(公告)号：CN107210236B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201680008936.6

申请日：2016-02-02

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小寺省吾 ,  笠井涉 ,  铃木政己

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L27/14 ,  C08G18/48 ,  C08G18/62 ,  C08G18/75 ,  C08G18/79 ,  C08G18/80 ,  C08K5/00 ,  C08K5/43 ,  C08K9/10 ,  C08L65/00 ,  C09J7/22 ,  C09J7/24 ,  C09J7/38 ,  C09J133/00 ,  C09J133/06 ,  C09J175/04

Abstract: 本发明提供适合作为对树脂密封部的脱模性优良以及对半导体芯片、源电极或密封玻璃的低迁移性及再剥离性优良的用于制造半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分露出的半导体元件的脱模膜的膜。适合作为用于制造半导体元件的脱模膜的膜1，其中，具备基材3和粘接层5，基材3在180℃时的储能模量为10～100MPa，粘接层5是含有特定的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物且来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数MOH、羧基的摩尔数MCOOH、来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数MNCO满足特定的关系的粘接层用组合物的反应固化物。

公开(公告)号：CN107004609B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201580062947.8

申请日：2015-11-13

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 笠井涉 ,  铃木政己

IPC: H01L21/56 ,  B29C33/68 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30

Abstract: 本发明提供脱模性优良且能够减少密封工序中的模具污染的脱模膜、该脱模膜的制造方法、以及使用了所述脱模膜的半导体封装体的制造方法。脱模膜1是在模具内配置半导体元件并用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造中、配置于模具的与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具备在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触的树脂侧脱模层2和阻气层3，阻气层3含有选自具有乙烯醇单元的聚合物和具有偏氯乙烯单元的聚合物中的至少一种聚合物(I)，阻气层3的厚度为0.1～5μm。

公开(公告)号：CN109312087A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780036026.3

申请日：2017-06-30

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 笠井涉 ,  川原健吾

IPC: C08J5/18 ,  B29C48/88 ,  B29K27/12 ,  B29L7/00

Abstract: 本发明提供伸缩时不容易发生褶皱的ETFE膜及其制造方法。乙烯-四氟乙烯类共聚物膜，其特征是，根据由X射线衍射法测定所得的衍射强度曲线中的2θ＝20°附近的峰面积S20、2θ＝19°附近的峰面积S19和2θ＝17°附近的峰面积S17，由下式(1)求出的结晶度为55～70％，由下式(2)求出的准晶层的比例为10～20％，结晶度(％)＝(S19+S20)/(S17+S19+S20)×100……(1)，准晶层的比例(％)＝S20/(S17+S19+S20)×100……(2)。