-
公开(公告)号:JP2015143360A
公开(公告)日:2015-08-06
申请号:JP2015008179
申请日:2015-01-19
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C08F220/28
Abstract: 【課題】エッチングレートが高く、レジスト膜への密着性に優れ、パターン倒れに強いレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物に用いられる重合体の提供。 【解決手段】重合体は、カーボネート環構造を有するアクリレート系構造単位(I)、水素原子の一部又は全部が、少なくとも1つの水酸基又はアミノ基を有する置換基で置換された炭素数1〜15のアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を有するアクリレート系構造単位(II−1)、フェニル基、ナフチル基、アントリル基又は炭素数1〜15の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を有するアクリレート系構造単位(II−2)を有する。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题:为了提供一种用于形成抗蚀底膜的组合物的聚合物,可以以高蚀刻速率形成抗蚀剂底层膜,对抗蚀剂膜具有优异的粘合性,并且对图案的塌陷具有高抗性 聚合物包括:具有环状碳酸酯结构的丙烯酸酯结构单元(I) 具有1-15个碳原子的烷基或6-20个芳基的丙烯酸酯结构单元(II-1),其中一部分氢原子或整个氢原子被具有至少一个羟基或氨基的取代基所取代 ; 和具有苯基,萘基,蒽基或1-15C直链或支链烷基的丙烯酸酯结构单元(II-2)。
-
82.レジスト下層膜形成用組成物、重合体、レジスト下層膜、パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 有权
Title translation: 抗蚀剂下层膜形成用组合物,该聚合物中,抗蚀剂下层膜,该图案形成方法的制造方法及半导体装置公开(公告)号:JP5741340B2
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:JP2011202471
申请日:2011-09-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08F220/28 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC classification number: C08F224/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/2041
-