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公开(公告)号：CN110476211A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880000891.7
申请日：2018-02-01
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11C11/16 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。
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公开(公告)号：CN110024149A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780015599.8
申请日：2017-11-08
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种TMR元件，其具备：磁隧道接合部、覆盖磁隧道接合部的侧面的侧壁部、以及设置于侧壁部内的微粒子区域，侧壁部包含绝缘材料，微粒子区域包含上述绝缘材料和分散于该绝缘材料内的多个磁性金属微粒子，微粒子区域与磁隧道接合部并联地电连接。
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公开(公告)号：CN109216539A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810686463.6
申请日：2018-06-28
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种改善了磁阻效应的磁阻效应元件。所述磁阻效应元件其特征在于，磁阻效应元件(MR)具备作为磁化固定层的第一铁磁性层(4)、作为磁化自由层的第二铁磁性层(6)、以及设置于第一铁磁性层(4)和第二铁磁性层(6)之间的非磁性间隔层(5)，所述非磁性间隔层(5)具有设置于非磁性间隔层(5)的下表面的第一插入层(5A)和设置于非磁性间隔层(5)的上表面的第二插入层(5C)中的至少一个，第一插入层(5A)和第二插入层(5C)是Fe2TiSi。
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公开(公告)号：CN108886061A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201880001516.4
申请日：2018-01-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
CPC classification number: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明的自旋流磁化旋转元件具备第一铁磁性金属层和自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线为自旋传导层和界面自旋生成层交替叠层的结构，上述界面自旋生成层的数为两层以上，上述自旋轨道转矩配线中，上述界面自旋生成层中的一层最接近于上述第一铁磁性金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108292703A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068769.4
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
Abstract: 本发明提供一种自旋流磁化反转元件，具备：第一铁磁性金属层，可改变磁化方向；自旋轨道转矩配线，沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向即第一方向交叉的第二方向延伸，且与第一铁磁性金属层接合，上述自旋轨道转矩配线的材料为以式AxB1-x表示的二元合金、金属碳化物或金属氮化物，上述A为选自Al、Ti、及Pt的元素，上述B为选自Al、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及Ir的元素，且为具有空间群Pm-3m或Fd-3m的对称性的立方晶结构，或上述A为选自Al、Si、Ti、Y、及Ta的元素，上述B为选自C、N、Co、Pt、Au及Bi的元素，且为具有空间群Fm-3m的对称性的立方晶结构。
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公开(公告)号：CN107887502A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710892806.X
申请日：2017-09-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种即使在偏压的符号不同的情况下，MR比的对称性也良好，且能够通过电流有效地进行磁化反转且MR比较高的磁阻效应元件。磁阻效应元件的特征在于，具有层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，上述基底层由选自TiN、VN、NbN及TaN中的1种或2种以上的混晶构成，上述隧道势垒层由具有尖晶石结构的下述组成式(1)表示的化合物构成。(1)：AxB2Oy，式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁、锌及镉中的1种以上的元素的阳离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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公开(公告)号：CN118872058A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202280091503.7
申请日：2022-03-07
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L27/105 , H10N50/10 , H01L29/82
Abstract: 该磁化旋转元件具备自旋轨道转矩配线、和与所述自旋轨道转矩配线连接的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线包含非晶结构，所述非晶结构是氧化物、氮化物、氧氮化物中的任一种。
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公开(公告)号：CN113330582B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980089655.1
申请日：2019-01-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82
Abstract: 本实施方式的自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备：第一绝缘层，其具有第一开口和第二开口；第一导电部，其形成于所述第一开口内；第二导电部，其形成于所述第二开口内；自旋轨道转矩配线，其位于所述第一绝缘层的第一方向，从所述第一方向观察，遍及所述第一导电部和所述第二导电部沿第二方向延伸；以及第一铁磁性层，其位于所述自旋轨道转矩配线的与所述第一绝缘层相反侧，所述第一导电部具有：第一面，其面向所述自旋轨道转矩配线；第二面，其与所述第一面相对且位于相较于所述第一面更远离自旋轨道转矩配线的位置；以及侧面，其将所述第一面和所述第二面相连，所述侧面具有：连续的主面；以及相对于所述主面倾斜或弯曲且相对于所述主面不连续的第三面。
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公开(公告)号：CN113913774B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202110761104.4
申请日：2021-07-05
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明以提供能够减少成膜所需要的时间的成膜系统、工厂系统和晶圆的成膜方法为目的。本实施方式所涉及的成膜系统具有成膜装置和计算机，上述成膜装置具有能够设置多个成膜材料的成膜腔室，上述计算机具有基于包含伊辛模型或QUBO的计算模型，预测在设定了成膜材料的配置的情况下成膜所需要的时间的计算区域。
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