公开(公告)号：TW201228709A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100130293

申请日：2011-08-24

Applicant: 似星體科技智財公司

Inventor： 爾溫 威塔克 班恩

IPC: B01D

CPC classification number: F03G7/00 ,  B01D35/06 ,  B01D45/12 ,  B01D45/14 ,  B01D47/16 ,  B01D53/24 ,  B01D2259/814 ,  B03C3/00 ,  B03C2201/00 ,  B03C2201/16 ,  B03C2201/22 ,  B04B1/04 ,  B04B5/12 ,  F03G7/10 ,  F04D5/00 ,  F04D5/001 ,  F04D17/161

Abstract: 一種在至少一實施例中用於分離包含液體和氣體的流體進入子元件的系統和方法，該流體通過渦流腔室而進入膨脹腔室接著再經過在至少兩個轉子及/或碟片之間的波形樣式之至少一部分。在其他實施例中，一系統和方法被提供，用於控制藉由具有旋轉的轉子及/或碟片之系統所產生的磁場以在複數之線圈內部產生電流，其中該等轉子及/或碟片具有波形樣式於至少一側上。在至少一實施例中，該波形樣式包含環繞系統之水平中心軸向排列的複數雙曲波形。

Abstract in simplified Chinese: 一种在至少一实施例中用于分离包含液体和气体的流体进入子组件的系统和方法，该流体通过涡流腔室而进入膨胀腔室接着再经过在至少两个转子及/或盘片之间的波形样式之至少一部分。在其他实施例中，一系统和方法被提供，用于控制借由具有旋转的转子及/或盘片之系统所产生的磁场以在复数之线圈内部产生电流，其中该等转子及/或盘片具有波形样式于至少一侧上。在至少一实施例中，该波形样式包含环绕系统之水平中心轴向排列的复数双曲波形。

公开(公告)号：TW200728200A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：TW095138407

申请日：2006-10-18

Applicant: 日本超精石英股份有限公司 JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION

Inventor： 神田稔 KANDA, MINORU ,  義行 TSUJI, YOSHIYUKI

IPC: C01B

CPC classification number: C01B33/18 ,  B01J8/1836 ,  B01J8/42 ,  B01J2208/00407 ,  B01J2208/00415 ,  B03C1/288 ,  B03C1/30 ,  B03C1/32 ,  B03C2201/16 ,  B03C2201/18 ,  C03C1/02

Abstract: 本發明係提供一種可於短時間內去除二氧化矽粒子中之離子性高的雜質在精製效果上表現優異之處理方法與裝置及精製二氧化矽粒子。使二氧化矽粒子呈流動狀態,於高溫下使精製氣體接觸於流動狀態之二氧化矽粒子後,去除二氧化矽粒子之成份之精製方法中,使流動狀態之二氧化矽粒子位於磁場範圍內,經由二氧化矽粒子之移動產生之電場,使呈對二氧化矽粒子外加電壓之狀態,與精製氣體接觸為其特徵之二氧化矽粒子之精製方法,較佳者係使流動狀態之二氧化矽粒子位於10高斯以上之磁場範圍內,於1000℃以上之溫度下與精製氣體接觸之二氧化矽粒子之精製方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种可于短时间内去除二氧化硅粒子中之离子性高的杂质在精制效果上表现优异之处理方法与设备及精制二氧化硅粒子。使二氧化硅粒子呈流动状态,于高温下使精制气体接触于流动状态之二氧化硅粒子后,去除二氧化硅粒子之成份之精制方法中,使流动状态之二氧化硅粒子位于磁场范围内,经由二氧化硅粒子之移动产生之电场,使呈对二氧化硅粒子外加电压之状态,与精制气体接触为其特征之二氧化硅粒子之精制方法,较佳者系使流动状态之二氧化硅粒子位于10高斯以上之磁场范围内,于1000℃以上之温度下与精制气体接触之二氧化硅粒子之精制方法。