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81.发明专利一種具有平面懸臂、低表層漏電、可量產化及高可靠度的金屬凹坑接觸點之微機電系統微繼電器開關之製作方法,以及一種具有共同接地端平坦層與接觸鋸齒之製作方法 A FABRICATION METHOD FOR MAKING A PLANAR CANTILEVER, LOW SURFACE LEAKAGE, REPRODUCIBLE AND RELIABLE METAL DIMPLE CONTACT MICRO-RELAY MEMS SWITCH, AND A METHOD FOR MAKING MICROELECTROMECHANICAL DEVICE HAVING A COMMON GROUND PLANE LAYER AND A SET OF CONTACT TEETH 失效一种具有平面悬臂、低表层漏电、可量产化及高可靠度的金属凹坑接触点之微机电系统微继电器开关之制作方法,以及一种具有共同接地端平坦层与接触锯齿之制作方法 A FABRICATION METHOD FOR MAKING A PLANAR CANTILEVER, LOW SURFACE LEAKAGE, REPRODUCIBLE AND RELIABLE METAL DIMPLE CONTACT MICRO-RELAY MEMS SWITCH, AND A METHOD FOR MAKING MICROELECTROMECHANICAL DEVICE HAVING A COMMON GROUND PLANE LAYER AND A SET OF CONTACT TEETH
公开(公告)号：TWI294138B
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW094104834
申请日：2005-02-18
Applicant: 周嘉興 CHIA-SHING CHOU
Inventor： 周嘉興 CHIA-SHING CHOU
IPC: H01L
CPC classification number: B81C1/00611 , B81C2201/0121 , H01H59/0009 , H01H2059/0072 , Y10T29/49105
Abstract: 本發明揭露一種用來使一機電元件類平坦化並於此機電元件上形成一耐用金屬接觸點之方法，以及使用該方法製作之元件。本方法包括沉積多層材料以形成一半導體元件，其中二項要點係包括於一基底上形成一平坦化介電/導電層，以及於一微機電開關之電樞上形成一電極。該電極可連結至電樞之一結構層，以確保經過多次開關使用之後仍可與電樞保持接觸。本發明亦揭露了一種具有共同接地端平面之微機電開關及其製作方法。製作微機電開關的方法包括：於一基底上製作一共同接地平坦層之圖案；於共同接地平坦層上形成一介電層；沉積一直流電極區，其經由介電層與共同接地平坦層接觸；以及於直流電極區上沉積一導電層，使導電層之區域接觸直流電極區，如此一來共同接地平坦層便提供導電層之區域一共同接地端。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种用来使一机电组件类平坦化并于此机电组件上形成一耐用金属接触点之方法，以及使用该方法制作之组件。本方法包括沉积多层材料以形成一半导体组件，其中二项要点系包括于一基底上形成一平坦化介电/导电层，以及于一微机电开关之电枢上形成一电极。该电极可链接至电枢之一结构层，以确保经过多次开关使用之后仍可与电枢保持接触。本发明亦揭露了一种具有共同接地端平面之微机电开关及其制作方法。制作微机电开关的方法包括：于一基底上制作一共同接地平坦层之图案；于共同接地平坦层上形成一介电层；沉积一直流电极区，其经由介电层与共同接地平坦层接触；以及于直流电极区上沉积一导电层，使导电层之区域接触直流电极区，如此一来共同接地平坦层便提供导电层之区域一共同接地端。
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