公开(公告)号：CN105549242A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510684309.1

申请日：2015-10-20

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 宋大镐 ,  权成圭 ,  金容奭 ,  朴宰彻 ,  洪锡埈

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/133377 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/501 ,  H01L27/1259 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/133509 ,  G02F1/1343 ,  G02F2001/133311

Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器，该液晶显示器包括：基板，配置为包括显示区域和外围区域；薄膜晶体管，设置在基板上；像素电极，连接到薄膜晶体管；顶层，设置为面对像素电极；覆盖层，设置在顶层上；以及阻挡膜，设置在外围区域中以围绕覆盖层的侧表面，其中多个微腔在显示区域中形成在像素电极和顶层之间，包含液晶材料的液晶层被容纳在微腔中，其中阻挡膜的顶表面的高度比液晶层的顶表面的高度高。

公开(公告)号：CN105404058A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201610007230.X

申请日：2016-01-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

Inventor： 吕奎 ,  吕凤珍 ,  向康 ,  郭霄 ,  王臣 ,  张新霞 ,  李群

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/1339 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2201/501 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明提供了一种液晶面板及其制作方法，涉及液晶显示技术领域，能够有效降低受污染的液晶向有效显示区内的迁移，从而降低有效显示区受污染的程度，进而改善由此引发的周边亮度不均、图像残留和亮点等诸多不良。所述液晶面板包括有效显示区和围绕所述有效显示区的封装区；在所述有效显示区与所述封装区之间设有由柱体构成的栅栏结构，每相邻的两个所述柱体之间具有间隙，所述间隙朝向所述封装区一侧的开口面积小于朝向所述有效显示区一侧的开口面积。

公开(公告)号：CN104934442A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510216868.X

申请日：2015-04-30

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 汪建国 ,  刘圣烈

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/103 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，属于显示技术领域。其中，所述阵列基板的导电金属图形上覆盖有阻氧薄膜。本发明的技术方案能够防止阵列基板上的导电金属被氧化腐蚀，提高阵列基板的性能和良率。

公开(公告)号：CN104379347A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380026333.5

申请日：2013-05-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李大圭 ,  姜世莹 ,  李垠和 ,  金柄秀 ,  金星国 ,  郭泽秀 ,  曹在喆

IPC: B32B27/08 ,  B32B27/06 ,  G09F9/00 ,  C08J5/18

CPC classification number: G02F1/133305 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  G02F1/133345 ,  G02F2201/50 ,  G02F2201/501 ,  B32B9/04 ,  B32B2255/20 ,  B32B2307/7246

Abstract: 本发明的显示元件包含：基底膜；和在所述基底膜的至少一个表面上形成的阻挡层，其中，所述阻挡层包含第一无机层，并且所述第一无机层包含SiOx(1.5≤x≤2.5)作为含有氢化聚环氧硅氮烷的涂布溶液的固化剂。

公开(公告)号：CN102439077B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080022420.X

申请日：2010-05-21

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 星慎一 ,  伊藤雅春 ,  上村和惠 ,  铃木悠太

IPC: C08J7/00 ,  B32B27/16 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/049 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14

CPC classification number: C23C14/48 ,  B32B27/06 ,  B32B2307/7244 ,  C08J7/047 ,  C08J7/123 ,  C08J2383/05 ,  G02F1/133305 ,  G02F2201/501 ,  G02F2201/503 ,  H01L31/049 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及具有由含O原子、C原子和Si原子的材料构成的阻气层的成型体，上述阻气层具有自表面起朝着深度方向层中的O原子的存在比例逐渐减少、C原子的存在比例逐渐增加的区域，上述区域包含相对于O原子、C原子和Si原子的总存在量，O原子的存在比例为20-55%、C原子的存在比例为25-70%、Si原子的存在比例为5-20%的部分区域，和O原子的存在比例为1-15%、C原子的存在比例为72-87%、Si原子的存在比例为7-18%的部分区域；本发明还涉及具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层的成型体；其制造方法；包括该成型体的电子设备用构件；以及具备该电子设备用构件的电子设备。根据本发明，提供阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性优异的成型体，其制造方法，电子设备用构件和电子设备。

公开(公告)号：CN103314403B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201280004999.6

申请日：2012-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L33/08 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/501

Abstract: 在有源矩阵基板的显示区域设置有：包括感光性有机绝缘膜的层间绝缘膜；与层间绝缘膜不同的绝缘膜；和形成在层间绝缘膜的表面的多个像素电极。在有源矩阵基板的非显示区域形成有从显示区域引出的引出配线。在密封部件的形成区域，上述层间绝缘膜被去除，并且以覆盖引出配线的一部分的方式设置有绝缘膜，在绝缘膜的表面直接形成有密封部件。

公开(公告)号：CN103314403A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201280004999.6

申请日：2012-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原义仁 ,  中田幸伸

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L33/08 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/501

Abstract: 在有源矩阵基板的显示区域设置有：包括感光性有机绝缘膜的层间绝缘膜；与层间绝缘膜不同的绝缘膜；和形成在层间绝缘膜的表面的多个像素电极。在有源矩阵基板的非显示区域形成有从显示区域引出的引出配线。在密封部件的形成区域，上述层间绝缘膜被去除，并且以覆盖引出配线的一部分的方式设置有绝缘膜，在绝缘膜的表面直接形成有密封部件。

公开(公告)号：CN102033343B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200910093194.3

申请日：2009-09-25

Applicant: 北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 谢振宇 ,  刘翔 ,  陈旭

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/501 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0769

Abstract: 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有电路图案，其中还包括覆盖层，覆盖电路图案的上表面和侧面。该制造方法包括在衬底基板上沉积电路图案薄膜，并对电路图案薄膜进行构图工艺形成电路图案的步骤，其中还包括：在形成电路图案的衬底基板上沉积覆盖层薄膜，并对覆盖层薄膜进行构图工艺形成包括覆盖层的图案，覆盖层覆盖电路图案的上表面和侧面。本发明采用覆盖层覆盖电路图案上表面和侧面的技术手段，使电路图案采用易扩散金属制备时，也能够减少甚至避免向侧面绝缘层中扩散的问题，不会影响绝缘层的性能。

公开(公告)号：CN102484137A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038623.8

申请日：2010-08-24

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 高泽悟 ,  白井雅纪 ,  石桥晓

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/28 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供不从氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜原子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al薄膜的高密接性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成电极层，使高密接性阻挡膜(37)与氧化物半导体或氧化物薄膜接触。高密接性阻挡膜(37)中，在铜、镁、及铝的合计原子数为100at％时，含有镁0.5at％以上5at％以下，含有铝5at％以上15at％以下，在此范围内可兼顾密接性与阻挡性。源极电极层(51)和漏极电极层(52)与氧化物半导体层(34)接触，所以该电极层为合适的，还能将由氧化物构成的停止层(36)配置在电极层的下层。

公开(公告)号：CN1928637B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200610128600.1

申请日：2006-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇宰 ,  全亨一 ,  洪旺秀 ,  徐宗铉

IPC: G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F2201/501 ,  Y10T428/1059

Abstract: 提供了一种抗变形的液晶显示器基板。所述基板包括：软性基板；分别设置在所述软性基板的第一和第二表面上的第一和第二屏障层；以及分别设置在所述第一和第二屏障层上的第一和第二硬涂层。