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公开(公告)号：CN113302462B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980082092.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 园部弘典
IPC: G01J1/42 , G01J1/44 , H01L31/107
Abstract: 决定方法决定APD的击穿电压与施加于APD的偏置电压的差分电压。温度补偿部通过基于该差分电压控制偏置电压而进行APD的增益的温度补偿。在该决定方法中，将偏置电压设为“Vr”，将被施加了该偏置电压的APD的增益设为“M”。取得将表示偏置电压与增益的相关的数据中的“(1/M)×(dM/dVr)”设为反应变量且将“M”设为解释变量的回归直线的斜率及截距。通过将上述斜率代入下式(1)的“a”，将上述截距代入下式(1)的“b”，将在光检测装置中设定于雪崩光电二极管的增益代入下式(1)的“Md”而运算的“ΔV”，被决定为上述差分电压，[数1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117740146A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311754761.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 合肥硅臻芯片技术有限公司
IPC: G01J1/44
Abstract: 本申请公开一种单光子探测器量子效率的标定系统及标定方法，包括纠缠双光子产生源、触发单光子探测器、光延时模块、光开关、光开关驱动器和双通道计数器；通过纠缠双光子产生源产生纠缠光子对，一个光子作为预报光子输入至触发单光子探测器，当触发单光子探测器探测到此预报光子时，光开关驱动器产生作用于光开关的控制信号将光开关连通，使另一个光子通过并传输至待测单光子探测器，双通道计数器分别统计两个单光子探测器探测到的光子，进而获取待测单光子探测器的量子效率；在本申请中仅需一个双通道计数器即可完成对两个单光子探测器的光子计数，减小了由于符合测量装置引入带来的不确定度，进而提高了对单光子探测器量子效率的标定精度。
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公开(公告)号：CN117740145A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211131607.4
申请日：2022-09-15
Applicant: 无锡中科德芯感知科技有限公司
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明公开了一种线列光电焦平面探测器及其制作方法，该线列光电焦平面探测器包括光敏芯片和读出电路；读出电路的上表面设有多行第一金属电极，各行中的第一金属电极沿行方向等间距平行排列，且相邻行中的第一金属电极沿行方向错位设置；光敏芯片包括至少一行平行排列的光敏像元，光敏芯片的下表面设有沿行方向等间距平行排列的第二金属电极，至少一行的第二金属电极与第一金属电极对应连接。本发明基于一款读出电路匹配设计多款不同结构的光敏芯片，从而生成不同探测规模和像元中心距的线列光电焦平面探测器，可显著降低制造成本；采用相同结构的读出电路，有效避免调整机械接口和电学特性，提高了光电探测器的易用性。
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公开(公告)号：CN117727814A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311671029.8
申请日：2023-12-07
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了硅基薄膜铌酸锂波导集成磷化铟光电探测器及其制备方法，包括硅衬底；埋氧层，设置在硅衬底的上表面；铌酸锂光波导，设置在埋氧层的部分上表面；氧化硅上包层，设置在铌酸锂光波导和埋氧层剩余部分上表面；BCB键合层，设置在氧化硅上包层的上表面；和光电探测器，设置在BCB键合层的部分上表面。本发明采用转移键合工艺实现光电探测器与硅基薄膜铌酸锂波导的集成，是先材料集成后探测器工艺的集成工艺，相比于先探测器工艺后转移集成的集成工艺，耦合对准精度更高；并采用双锥结构铌酸锂光波导实现与磷化铟光电探测器波导的光信号耦合，其耦合效率更高。
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公开(公告)号：CN117490838B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410006963.6
申请日：2024-01-03
Applicant: 成都善思微科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高可靠性的平板探测器数据采集方法、系统及计算机，将参考光电传感器模块输出的同步信号和时钟信号作为各个测试光电传感器模块的参考信号；其方法包括：以预设步长同时调整所有测试光电传感器模块的输入时钟相位，且每次调整后对平板探测器进行测试以获得灰度值图像；判断各个灰度值图像的数据正确性以获取各个测试光电传感器模块的有效输入时钟相位范围；选取最佳输入时钟相位，将各个测试光电传感器模块的输入时钟相位设置为各个最佳输入时钟相位后进行数据采集。本发明使用输入时钟相位去补偿不同光电传感器模块输出LVDS信号的物理链路延时，全面降低了设计及生产的难度，大大提高了平板探测器数据采集的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116055912B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211499605.0
申请日：2022-11-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
Abstract: 本发明涉及一种多功能可重构单光子雪崩焦平面读出电路，包括像素阵列电路、串行总线电路、时钟与时序控制电路、工作模式控制电路、时钟产生电路、温度传感电路、数据处理与存储电路、I/O驱动电路和均匀性校正电路，所述均匀性校正电路用于通过对像素阵列电路进行分区域的偏置调节，提高成像均匀性。本发明中，通过均匀性校正调节异常区域的像素或全局的偏置电压，便于提高焦平面阵列的规模，且能够在强光影响下有效保护芯片，使读出电路能够更好地满足环境信息复杂、要求更高空间分辨率和成像帧频的应用场景。
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公开(公告)号：CN114166343B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202111456899.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 传周半导体科技(上海)有限公司
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明提供的是一种高性能环境光接近光传感器芯片，由第一光电二极管(1)、第二光电二极管(2)、单光子雪崩光电二极管(3)、第一跨阻放大器(41)、第二跨阻放大器(42)、差分放大器(5)、淬灭电路阵列(6)、开关阵列(7)、多输入与门(8)、时间数字转换器(9)、脉冲激光(10)和偏置电压模块(11)组成。本发明可用于环境光强度和接近光的探测，可广泛应用于智能手机，智能平板等电子移动设备领域。
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公开(公告)号：CN112447875B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201910814249.9
申请日：2019-08-30
Applicant: 光程研创(美商)股份有限公司
Inventor： 那允中
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , G01J1/44
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公开(公告)号：CN111819790B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN201880082858.3
申请日：2018-12-18
Applicant: AMS国际有限公司
Inventor： 路易斯·阿尔伯特三世·威廉姆斯 , 徐功贵
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公开(公告)号：CN113049098B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110259653.1
申请日：2021-03-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 基于Richardson–Lucy反卷积的穿透散射介质高分辨率成像方法，属于激光穿透散射介质成像技术领域，本发明为解决基于时间门控的弹道成像方法输出图像分辨低的问题。本发明该方法包括步骤：步骤一、利用APD阵列探测器采集受散射干扰的目标表面反射的激光信号；步骤二、利用时间门保留激光信号中的弹道光子和蛇形光子；步骤三、采用Richardson–Lucy反卷积估计每个通道的没有展宽的光子时间分布；步骤四、迭代收敛后，根据步骤三估计的光子时间分布截取各个通道上光子数峰值作为该通道的有效光子数；步骤五、根据各个通道的有效光子数重新构建弹道光图像。
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