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公开(公告)号：CN1645542A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510005599.9
申请日：2005-01-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 稻见昌洋
IPC: H01J23/05
CPC classification number: H01J9/04 , H01J23/05 , H01J25/587
Abstract: 一种磁控管，其减少灯丝的电气特性和机械强度的偏差，且在作为磁控管的使用寿命中也减少了偏差，而使质量稳定。其在把作为阴极构架的结构要素的螺旋状的灯丝(39)装在阳极筒体(13)的中心轴上的磁控管(10)中，灯丝(39)限制所述碳化层(42)的厚度，使得当设形成碳化层(42)前的阻抗值为R1，形成碳化层(42)后的阻抗值为R2时，根据下式：Rx＝{(R2－R1)/R1}×100定义的碳化率Rx为规定值。
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公开(公告)号：CN1123041C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN97118094.6
申请日：1997-07-15
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在预先把环形钎料固定于端帽内的端帽部件中，可求得其制造工时的减少，同时抑制因钎料处理性能差等引起的不良产生和因粘接材料引起的钎焊不良。作为端帽部件11，具有由Mo组成的端帽主体12和由Mo-Ru或Mo-Ru-Ni钎料烧结体组成的环状钎料13，利用激光焊接部14或与环状钎料同样材料的浆料状钎料把环形钎料13固定在端帽主体12的规定位置上。
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公开(公告)号：CN1292928A
公开(公告)日：2001-04-25
申请号：CN99803755.9
申请日：1999-01-05
Applicant: 利通系统有限公司
Inventor： 佛拉基米尔I·麦克霍夫
Abstract: 本发明涉及一种M型微波器件,其目的在于提高场致电子发射体的使用工作表面的效率,在提高场致发射的稳定性的同时,提高其可靠性和器件的使用寿命。上述目的通过M型微波器件的设计而实现,该器件包括一个包围着圆柱形真空腔的阳极和一个置于阳极内并与其同轴的阴极组件,该阴极组件包括一个圆柱棒,圆柱棒的表面有制成平面(膜)的场致电子发射体和二次电子发射体元件,该发射体分别产生主要的和二次发射。这样做时,平面场致电子发射体的法线不平行,并形成一个大于0度的夹角。隧道薄膜绝缘层保护着场致电子发射体的端面,该绝缘层包括各种材料和具有低的功函数材料的掺杂物。
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公开(公告)号：CN117512419B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202311393420.6
申请日：2023-10-25
Applicant: 厦门虹鹭钨钼工业有限公司
Abstract: 本发明涉及灯丝阴极材料技术领域，特别涉及一种钨合金丝及其制备方法和用途、碳化钨合金灯丝。该钨合金灯丝包含以下组分：所述钨合金包含以下组分：0.0005～0.3wt％碳元素、0.25～2.6wt％所述M元素，0.05～0.5wt％氧元素，余量为钨元素以及不可避免的杂质，且其组分不含钍元素；所述钨合金丝的起始再结晶温度为48％Fc～56％Fc，和/或,其80％Fc再结晶晶粒平均尺寸为(1～15)μm。该钨合金丝不含钍元素，不具有放射性污染问题，其起始再结晶温度在48％Fc～56％Fc，其加工性能相比含钍钨材有很大改善，相比含钍钨丝材，该丝材的探伤裂点少，且其应用于作为碳化钨合金灯丝的基体，碳化后钨基体晶粒细小，灯丝在磁控管线圈(即灯丝)的生产和使用中不容易断丝，生产成品率和质量得到提升。
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公开(公告)号：CN119811958A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510032734.6
申请日：2025-01-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01J23/05
Abstract: 本发明公开了一种大功率脉冲磁控管阴极，属于磁控管技术领域。该阴极包括：加热基底、上端帽、下端帽、阴极发射体；加热基底的上端连接上端帽，下端穿过下端帽并延伸至磁控管管芯之外连接电源；位于上下端帽之间的加热基底为螺旋线型；圆筒状阴极发射体套设于加热基底的螺旋线型部分外侧。本发明通过加热基底对阴极发射体加热，使其发射电子，发射的电子在磁控管外加电磁场作用下回轰阴极发射体表面产生新的二次电子。本发明能够大大增加电子轰击在阴极发射体表面的概率，即能够不断的轰击出二次发射的电子，提高阴极整体电子发射密度，支持大功率脉冲磁控管提供更大的功率输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114334586A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111573887.X
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国人民解放军海军工程大学
Abstract: 本发明提供一种高效率径向线结构高功率微波发生器，包括：阴极杆、电子束发射阴极以及壳体；壳体为非实心的圆环状结构，壳体设有两个中空部分，第一个中空部分从内到外依次包括：前置漂移段、调制腔、中间漂移段、提取腔以及电子束收集极，第二个中空部分为与阴极杆轴向同轴的圆环状结构，其构成同轴波导；调制腔和提取腔均为截面是周期性凹槽结构的圆环结构，两个凹槽之间为叶片，调制腔包括4个凹槽和3个叶片；中间漂移段为圆环结构；调制腔和提取腔的轴向电场不发生变化，工作模式为TM01模，调制腔和提取腔对径向电场进行两次调制，其径向模式为2π/3模。本发明束波转换效率将近41％，实现了高效的束波能量转换。
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公开(公告)号：CN111933501A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010709474.9
申请日：2020-07-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种虚阴极倒置相对论磁控管，属于微波技术领域。该磁控管包括阴极、阳极、反射腔、射频激励结构、圆波导输出结构、外壳过渡段。本发明通过交换阳极与阴极的位置，在阴极端部与阳极叶片之间设置了用于产生电子的扇形阴极单元。本发明的扇形阴极单元有效地解决了由于互作用区中爆炸式发射产生的等离子体所带来的脉冲缩短、频率漂移、效率降低等问题，同时还可以实现有利电子的预群聚，从而提高能量转换效率和激励模式的纯净度，显著提高了器件的整体效率。
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公开(公告)号：CN110676137A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910870422.7
申请日：2019-09-16
Applicant: 九江学院
Abstract: 一种磁控管用阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）将处理好的螺旋钨丝套在圆柱形内胆上，然后在套有内胆的螺旋钨丝表面均匀涂覆三氧化二铝悬浊液，每涂覆一次后再在烘干机下烘干，重复上述操作直至三氧化二铝层厚度超过螺旋钨丝的直径，取出内胆，最后放入高温氢气炉中烧结获得绝缘性能良好的热子；（2）利用高压喷枪在热子的表面均匀喷涂上钨粉层，反复喷涂烘干，然后放入高温氢气炉中烧结形成钨海绵层；（3）利用高压喷枪在钨海绵层的表面均匀喷涂电子发射活性物质，反复喷涂烘干，然后放入高温真空炉中烧结形成陶瓷层，即制备得到磁控管用的阴极。本发明制得的阴极具有工作温度低，蒸发小，抗中毒性能好，耐电子轰击性能强的优点。
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公开(公告)号：CN109830416A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910131444.1
申请日：2019-02-22
Applicant: 长沙魔豆智能科技有限公司
Inventor： 张洪刚
Abstract: 本发明公开了一种电子发射体及磁控管，电子发射体，其特征在于，包括发射柱、金属基底和碳纤维束；碳纤维束为多束，分散固定在金属基底上；发射柱为圆柱体形，金属基底贴附在发射柱的周向的外侧壁上。该电子发射体结构简单，易于实施，工作温度。
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公开(公告)号：CN107068517B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710166358.5
申请日：2017-03-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于磁控管用冷阴极及冷阴极头的生产方法。冷阴极包括上、下屏蔽帽，电源连接杆及整体式柱齿形冷阴极头；其方法包括备料、球磨混合、压坯及成型。该发明由于采用石墨烯或/和碳纳米管、氧化锌纳米线与金属粉混合压坏、烧结、加工制成柱齿形整体式冷阴极头，该冷阴极头在高压作用下发射一次电子，一次电子回轰激发轮齿发射二次电子，往复形成稳定的电子发射，其达到稳定输出仅为40纳秒。从而与热阴极相比，既保留了热阴极发射电子能力和抗电子轰击能力强等优点，又克服了预热时间长，启动慢，使用寿命短等缺点；与背景技术所述冷阴极相比则具有结构简单，发射电子能力及抗电子轰击能力强，输出频谱纯洁，发射速度快且稳定等特点。
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