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公开(公告)号：CN110752139A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910921378.8
申请日：2019-09-27
Applicant: 南京三乐集团有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光电倍增管用的圆筒形螺纹状非点焊内碱源，它包括镍铬合金带卷成的螺纹状圆筒（1），安装在螺纹状圆筒（1）内的碱化合物和还原剂的混合物（2）；碱化合物和还原剂的混合物（2）为铌粉和碱金属铬酸盐的混合物。本发明提供的圆筒形螺纹状非点焊内碱源，通过大量计算、实验，结构设计合理，效率高、不爆带、不漏粉、产生的碱金属量可控。本发明采用圆筒状螺旋式非点焊碱金属作为内碱源的分配器，可成功解决爆带和漏粉的风险，可降低碱源污染风险，节约成本，采用最佳比例的铌粉和碱金属铬酸盐，反应速度可控，使得光电倍增管排气激活过程中碱源进量的精准有效控制，进而保证光电倍增管阴极灵敏度和阳极灵敏度的有效控制。
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公开(公告)号：CN110706995A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910882846.5
申请日：2019-09-18
Applicant: 苏州砥特电子科技有限公司
Inventor： 祁辉荣
Abstract: 本发明揭示了一种无死区的表面接地电子倍增器件，其包括PCB基材层(1)、绝缘支撑柱层(3)以及贴覆于所述PCB基材层(1)和绝缘支撑柱层(3)之间的阻性电极层(2)，所述绝缘支撑柱层(3)上设置有微孔不锈钢网(4)，所述微孔不锈钢网(4)接地，所述阻性电极层(2)接正高电压。本发明的无死区的表面接地电子倍增器件，拼接时，边框之间不会产生死区，能有效消除边缘电场畸变引起的畸变效应问题。
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公开(公告)号：CN105789016B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610199752.4
申请日：2016-04-04
Applicant: 黄俊龙
Inventor： 陈蜀乔
Abstract: 本发明涉及一种非接触物体表面电荷光电倍增管放大器，属于信号检测技术领域。其原理是入射光的强度决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，则光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，光电流也随之增大；同样，如果入射光强度不变，金属表面电荷增加，使得光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，光电子采用电倍增管将电子数不断倍增，阳极最后收集到的电子可增加104～108倍，因光电倍增管高灵敏度和低噪声的特点，可检测样品表面微弱电荷信号，将在电荷检测领域获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN105845537B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610335822.4
申请日：2016-05-20
Applicant: 四川汇英光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微通道孔径可变的改进型微通道板，包括主体，主体沿径向外侧设置有保护环，主体上设置有若干微通道，微通道平行于主体的轴向，微通道的直径沿着主体轴向先逐渐变小再逐渐变大，当两个保护套关于主体镜面对称放置时，保护环位于两个保护套所形成的凹槽中，凹槽直径等于保护环外径，凹槽内与主体平行的侧面上设置有硬弹簧，硬弹簧连接有缓冲块，还包括紧固螺栓，所述紧固螺栓沿与主体垂直的方向贯穿两个保护套，紧固螺栓不与保护环接触。本发明通过设置微通道的直径沿主体轴向先缩小再增大的结构，削弱了离子反馈效应，有效地降低了噪声，提高了图像清晰度，还保护了光电阴极。
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公开(公告)号：CN107564795A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710377747.2
申请日：2017-05-25
Applicant: 东亚DKK株式会社
IPC: H01J43/04 , H01J43/08 , H01J47/00 , H01J23/033
Abstract: 本发明提供一种能够容易地安装热电冷却元件的、具有新的结构的光电倍增管。该光电倍增管具备：主体，其接收光并且将与光对应的光电子作为信号输出；以及支承体，其设置于主体且为板状。主体具有：筒状部件，其沿一个方向延伸并且一端开口；导热板，其关闭筒状部件的一端；密封件，其将导热板与筒状部件的接合部分气密地密封；以及阴极，其设置于筒状部件的内部，并接收从筒状部件的外部入射至筒状部件的内部的光而释放光电子。导热板与阴极热连接，主体设置为贯通支承体并且使导热板在支承体的第一主面侧露出。支承体将固化树脂作为形成材料，并与筒状部件、导热板以及密封件接触并且以覆盖被密封件密封的接合部分的方式设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102254779A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110119313.5
申请日：2011-05-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01J43/08
Abstract: 本发明公开了一种无需Cs激活的异质结型GaN负电子亲和势光电阴极，包括：衬底，生长在所述衬底上的GaN/AlN超晶格缓冲层或AlN缓冲层，生长在GaN/AlN超晶格缓冲层或AlN缓冲层上的p-Alx1Ga1-x1N光吸收层，生长在p-Alx1Ga1-x1N光吸收层上的n+-Alx2Ga1-x2N帽层，制作在n+-Alx2Ga1-x2N帽层的表面边缘及多层材料的侧面上的电极，其中0
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公开(公告)号：CN100511554C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200310114253.3
申请日：2003-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 半导体光电阴极(1)具备以GaSb形成的p+型的半导体基板(2)、以及以InAsSb形成的p-型的光吸收层(3)。在半导体基板(2)与光吸收层(3)之间，形成有具有比光吸收层(3)大的能带宽度、由AlGaSb构成的p+型的空穴区层(4)。在光吸收层(3)上，形成有由AlGaSb构成的p-型的空穴区层(5)；在空穴区层(5)上，形成有由GaSb构成的p-型的电子发射层(6)。在电子发射层(6)上，形成有由GaSb构成的n+型的接触层(7)，该接触层(7)与电子发射层(6)形成pn结。
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公开(公告)号：CN207637745U
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201721747480.3
申请日：2017-12-14
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本实用新型涉及超快诊断技术领域，针对传统分幅变像管灵敏度、空间分辨率低及需高压驱动等问题，本实用新型提出一种分幅变像管及分幅相机。其中，分幅变像管包括分幅管壳，其特殊之处在于，还包括依次设置在分幅管壳上的透射式阴极微带基板、电子倍增器和荧光屏；所述透射式阴极微带基板能够透过紫外光或软X射线，其固定安装在分幅管壳上，并且其下表面镀制至少一条透射式阴极微带；高压脉冲产生传输系统产生的高压选通脉冲在透射式阴极微带上传输；所述电子倍增器用于对经透射式阴极微带作为阴极进行光电转换产生的电子进行倍增；所述荧光屏在倍增的电子轰击下，将电子转换成光子成像输出。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN213538091U
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202022650412.3
申请日：2020-11-16
Applicant: 南京蔚特尔智能科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及光电倍增管技术领域，具体公开一种用于光电阴极制备的大面积均匀镀膜装置，包括工作台、控制器、支撑杆、上基板、球壳、抽真空组件、旋转机构、拉伸机构和蒸发机构，所述控制器固定设置于工作台的顶部一角，所述上基板固定设置于四个支撑杆的顶部，所述球壳位于上基板的顶部，所述拉伸机构包括转盘、一对伸缩组件和复数组扩张组件，所述旋转机构包括步进电机和连动装置，所述蒸发机构包括第一蒸发电极、第二蒸发电极和复数组蒸发组件，本实用新型通过将光电倍增管阴极球壳插设于上基板上并操纵控制器，对球壳进行均匀镀膜，操作方便，快捷高效，提高对大面积光电倍增管的阴极球壳均匀镀膜的效率。
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公开(公告)号：CN221007906U
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202323191478.0
申请日：2023-11-24
Applicant: 广纳四维(广东)光电科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种透射衍射光栅结构、光电阴极、光学系统和图像增强器，通过改变光栅层栅柱周期参数，将栅柱沿第一方向和第二方向成阵列分布，在第二方向上相邻的两行栅柱沿第一方向偏移预设周期，形成第二方向上相邻的栅柱交错排列，使更多的非0级次的光满足全反射临界条件，非0级次的光可以更多的有效吸收，提高了入射光的吸收率，进而提高了Na2KSb光电阴极的灵敏度。
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