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公开(公告)号：CN118507364A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410269785.6
申请日：2024-03-11
Applicant: 吉林华微电子股份有限公司 , 吉林华耀半导体有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L21/48 , H01L23/495 , H01L29/861
Abstract: 本申请公开了一种二极管封装结构的制作方法、二极管封装结构及PCB板，涉及二极管封装技术领域。该方法包括提供一引线框架，所述引线框架包括管腿；通过固定机构将芯片安装在所述引线框架上，所述芯片包括多组触点，每组所述触点包括第一触点和第二触点；将引线焊接到所述第一触点和所述第二触点上，并使所述引线与所述管腿电连接；在所述引线框架上设置塑封层，所述塑封层包裹至少部分所述引线框架、至少部分所述芯片和至少部分所述固定机构；将塑封后的二极管封装结构送入不同温度的温区进行回流焊处理，以去除不合格的二极管封装结构。通过本申请的方法可以极大地提高最终形成的二极管封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN120076357A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510394121.7
申请日：2025-03-31
Applicant: 吉林华微电子股份有限公司
Inventor： 刘彦涛
Abstract: 本申请提供一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。上述肖特基二极管包括第一点状沟槽结构和第二点状沟槽结构，第一点状沟槽结构的周侧形成有第一夹断区域，且多个相邻第一点状沟槽结构所形成的第一夹断区域围合形成一未夹断区域。第二点状沟槽结构的周侧形成有第二夹断区域，第二夹断区域至少覆盖未夹断区域。如此，可以在未夹断区域形成额外的电场屏蔽，使得未夹断区域的电场强度增强或被重新分布，增强电场的夹断效果，减少因电场未夹断而导致的载流子隧穿或扩散，有效降低器件漏电流，解决漏电失效问题，提高其性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119997579A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510160299.5
申请日：2025-02-13
Applicant: 吉林华微电子股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种肖特基二极管及其制作方法，肖特基二极管包括：衬底；位于衬底一侧的外延层；位于外延层远离衬底一侧的势垒层及围绕势垒层的保护环，保护环包括第二区域和围绕第二区域设置的第一区域，第二区域远离衬底的一侧具有朝向衬底凹陷的至少一个凹陷部；位于外延层远离衬底的一侧的氧化层；氧化层包括第一开口，凹陷部和势垒层在衬底上的正投影位于第一开口在衬底上的正投影内；位于势垒层、凹陷部及氧化层远离衬底一侧的第一金属层；第一金属层的至少部分延伸至凹陷部与保护环接触；位于衬底远离外延层的一侧的第二金属层。本申请通过在保护环内环上设置凹陷部，增大保护环与金属层接触面积，增大反向浪涌能力，且不增加肖特基正向压降。
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公开(公告)号：CN119704028A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510176307.5
申请日：2025-02-18
Applicant: 南京林华磁性材料有限公司
Inventor： 李建华
Abstract: 本发明公开了一种磁瓦生产用抛光设备，包括：抛光框架单元，其包括支撑座以及固定安装在支撑座上侧壁一端的支撑板，所述支撑板上固定安装有步进电机；集成抛光单元，其包括设置于抛光罐内并通过第一固定盘和第二固定盘分隔成的第一储料腔、第二储料腔和抛光腔，所述第一固定盘靠近抛光腔的一侧密封转动连接有第一转盘，所述第二固定盘靠近抛光腔的一侧密封转动连接有第二转盘；一种磁瓦生产用抛光设备的使用方法，包括以下步骤：S1：将需要抛光的磁瓦和预抛光介质加入抛光腔内，将精抛光介质加入第二储料腔，启动步进电机和驱动电机对磁瓦进行预抛光。本发明缩减了磁瓦抛光工序，全程无需人工参与，自动化程度高。
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公开(公告)号：CN119661728A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411805196.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 吉林华昊华丰生物科技有限公司
Inventor： 杨帆
IPC: C08B31/16
Abstract: 本发明公开了羟丙基二淀粉磷酸酯及制备方法，本发明涉及变性淀粉技术领域。该羟丙基二淀粉磷酸酯及制备方法，通过对淀粉进行改性处理，使得氯化钙与淀粉中的羟基结合形成交联结构，从而增加淀粉的黏度，提高羟丙基二淀粉磷酸酯的粘合能力；且可以有效改善羟丙基二淀粉磷酸酯的流变性质，使其在使用过程中更易于散布和吸附；同时增加羟丙基二淀粉磷酸酯的湿附性，使其能够更好地附着在被粘合的物体表面上，提高粘合强度；可抑制微生物的生长，有效延长羟丙基二淀粉磷酸酯的使用寿命；有效降低羟丙基二淀粉磷酸酯的沉降积，显著提高其交联程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119458630A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510058860.9
申请日：2025-01-15
Applicant: 临汾市华林华鑫建筑工程有限公司
Abstract: 本发明属于装修设备技术领域，具体公开了一种室内装修用打孔装置，包括滑座，滑座一侧固定设有空心轴电机，空心轴电机同轴设有空心输出轴，空心输出轴一端同轴固定设有钻筒，钻筒内靠近空心输出轴位置同轴设有单向同轴差速输出机构，单向同轴差速输出机构远离空心输出轴一侧同轴设有内管，内管远离空心输出轴部分外侧同轴紧贴套设有穿墙空心柱，穿墙空心柱远离空心输出轴的一端设有防掉落支撑机构，滑座沿与钻筒平行方向贯穿开设有通槽，通槽内设有钻点定位机构。本发明设有防掉落组件能够将钻芯有效限制在钻筒内防止其掉落，并且与防掉落组件的配合能够自主带动钻筒匀速钻进，减少人力的同时避免低质量打孔，并能够精准定位钻孔位置。
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公开(公告)号：CN119424285A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411780973.1
申请日：2024-12-05
Applicant: 吉林华彩生物科技有限公司
Inventor： 任广海
IPC: A61K8/9789 , A61K8/9794 , A61K8/9761 , A61Q5/02 , A61Q19/00 , A61Q5/00 , A61P17/14
Abstract: 本发明涉及一种修复头皮的中药组合物及其制备和使用方法，所述修复头皮的中药组合物按百分比计数，包括如下组分：皂角15‑25％；茶麸15‑25％；艾绒15‑25％；姜15‑20％；当归6.5‑10.5％；薄荷叶6.5‑10.5％；桑叶6.5‑10.5％；夜交藤3.5‑5.5％；侧柏叶3.5‑5.5％；首乌3.5‑5.5％；本发明称量中药组合物的各组分，并清洗姜、当归、薄荷叶、桑叶、夜交藤、侧柏叶和首乌；将中药组合物以预定温度蒸制，在蒸制后晾晒阴干；粉碎呈细粉，过筛；在特定温度下搅拌形成，本发明用于分解头皮上堆积的油脂、灰尘和/或化学残留物，旨在解决现有去屑洗发水碱性成分过多刺激头皮屏障，并且化学残留物容易存留在头皮堵塞毛囊的问题。
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公开(公告)号：CN119325238A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411431076.X
申请日：2024-10-14
Applicant: 吉林华微电子股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体器件及半导体器件的制备方法。半导体器件包括半导体层、源区、场限环、电阻区、截止环区、钝化层及电极层，半导体层包括相对的第一侧和第二侧，源区形成于半导体层的第一侧，场限环形成于源区的周侧。电阻区在半导体层的正投影位于源区在半导体层的正投影内，电阻区靠近场限环设置。截止环区设置在场限环远离源区的一侧。钝化层覆盖在电阻区、场限环及部分截止环区上。电极层包括第一电极层和第二电极层，第一电极层位于半导体层的第一侧，第二电极层位于半导体层的第二侧。如此，通过上述方案，可以有效减少半导体器件边缘处电流密度，增强半导体器件边缘抗电流能力，进而提升半导体器件动态雪崩能力。
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公开(公告)号：CN119317127A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411431074.0
申请日：2024-10-14
Applicant: 吉林华微电子股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种可控硅器件及其制作方法，包括重掺杂区、第一掺杂区及台面沟槽。台面沟槽分别与所述重掺杂区与所述第一掺杂区相交，所述第一掺杂区与所述台面沟槽相交处的边缘与所述台面沟槽的中心轴线的夹角为锐角，即，所述台面沟槽的边缘与第一掺杂区的边缘呈正斜角，在可控硅器件正向偏置时，正斜角结构有利于分散电场强度，减少电场集中，从而提高正向耐压能力。此外，第一掺杂区的掺杂浓度沿靠近所述第一掺杂区边缘的方向逐渐减小，即，第一掺杂区与台面沟槽交界处的掺杂浓度与相对相同结深位置处的掺杂浓度不同，如此，在可控硅器件正向偏置时，可以改善电场分布，降低表面电场，提高正向耐压能力。
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公开(公告)号：CN118890036A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410966715.6
申请日：2024-07-18
Applicant: 吉林华微电子股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种基于MCU的四路三电平SPWM波形发生电路及波形生成方法。所述电路包括输入单元、MCU单元及显示单元。所述输入单元与所述MCU单元连接，用于向所述MCU单元输入SPWM波形调节参数。所述显示单元与所述MCU单元连接，用于至少显示所述输入单元输入的SPWM波形调节参数。所述MCU单元包括存储子单元、运算子单元、中断子单元及用于输出四路SPWM波形的两组输出端口，每一组中的两个输出端口所输出的SPWM波形互补。如此，通过上述电路，可以输出四路逻辑脉冲、两两信号互补的三电平SPWM波形，并且具备灵活调节死区、包络频率和载波频率的特点，显著增强了四路三电平SPWM波形对不同工业应用场景的适应能力。
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