公开(公告)号：TWI698544B

公开(公告)日：2020-07-11

申请号：TW105124388

申请日：2016-08-02

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  梅特羅 雷傑 H. ,  MATERO, RAIJA H. ,  凡 艾琳娜 ,  FARM, ELINA ,  布倫堡 湯姆 E. ,  BLOMBERG, TOM E.

IPC: C23C16/30

公开(公告)号：TWI697577B

公开(公告)日：2020-07-01

申请号：TW105136356

申请日：2016-11-09

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 鈴木 俊哉 ,  SUZUKI, TOSHIYA ,  波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J.

IPC: C23C16/36 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TWI689012B

公开(公告)日：2020-03-21

申请号：TW104141679

申请日：2015-12-11

Applicant: 美商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 深澤篤毅 ,  FUKAZAWA, ATSUKI

IPC: H01L21/311

公开(公告)号：TW202008458A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108124035

申请日：2019-07-09

Applicant: 荷蘭商ASM IP 控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 佛沃特 雷奈 亨利克斯 約瑟夫 ,  VERVUURT, RENE HENRICUS JOZEF ,  小林伸好 ,  KOBAYASHI, NOBUYOSHI ,  堤隆嘉 ,  TSUTSUMI, TAKAYOSHI ,  堀勝 ,  HORI, MASARU

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/76

Abstract: 一種蝕刻製程，其包括預清洗製程以去除介電質材料的表面氧化物。可在蝕刻製程之前藉由熱反應和/或電漿製程來執行氧化物的去除。在一些實施例中，氧化物的去除增加了蝕刻製程的控制和再現性，並可提高對於氧化物的選擇性。

Abstract in simplified Chinese: 一种蚀刻制程，其包括预清洗制程以去除介电质材料的表面氧化物。可在蚀刻制程之前借由热反应和/或等离子制程来运行氧化物的去除。在一些实施例中，氧化物的去除增加了蚀刻制程的控制和再现性，并可提高对于氧化物的选择性。

公开(公告)号：TW202004994A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108141711

申请日：2016-02-02

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 尼斯卡嫩 安提 具哈尼 ,  NISKANEN, ANTTI JUHANI ,  安提拉 雅各 ,  ANTTILA, JAAKKO

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3213

Abstract: 自銅表面移除保護膜的方法可包括：例如在100℃至400℃的溫度下將保護膜暴露至汽相有機反應物。在某些實施例中，保護膜可藉由將銅表面暴露至苯並三唑而已形成，例如可在化學機械平坦化製程期間發生。可執行所述方法作為用於積體電路製作的製程的一部分。可相對於基板的另一表面而選擇性地在經清潔的銅表面上沈積第二材料。

Abstract in simplified Chinese: 自铜表面移除保护膜的方法可包括：例如在100℃至400℃的温度下将保护膜暴露至汽相有机反应物。在某些实施例中，保护膜可借由将铜表面暴露至苯并三唑而已形成，例如可在化学机械平坦化制程期间发生。可运行所述方法作为用于集成电路制作的制程的一部分。可相对于基板的另一表面而选择性地在经清洁的铜表面上沉积第二材料。

公开(公告)号：TW202004386A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108109744

申请日：2019-03-21

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 寧 幸 福 ,  NINH, HONG,PHUC ,  牧野勉 ,  MAKINO, TSUTOMU

IPC: G05F1/56 ,  H02H9/02 ,  H02M3/335

Abstract: 絕緣系統之範例包括數位隔離器，用於在其輸入側接收第一電源供應器的供應，以及在其輸出側接收第二電源供應器的供應；絕緣系統之範例亦包括輸出調整單元，用於接收第二電源供應器的供應、並在當第二電源供應器的電壓大於預定電壓時，直接輸出數位隔離器的輸出、以及在當第二電源供應器的電壓小於或等於預定電壓時，無論數位隔離器的輸出為何皆停止資料輸出。

Abstract in simplified Chinese: 绝缘系统之范例包括数码隔离器，用于在其输入侧接收第一电源供应器的供应，以及在其输出侧接收第二电源供应器的供应；绝缘系统之范例亦包括输出调整单元，用于接收第二电源供应器的供应、并在当第二电源供应器的电压大于预定电压时，直接输出数码隔离器的输出、以及在当第二电源供应器的电压小于或等于预定电压时，无论数码隔离器的输出为何皆停止数据输出。

公开(公告)号：TWI682043B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW104108551

申请日：2015-03-18

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT ,  皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  樊 德 捷 康奈爾斯A ,  VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  堤拉 路西安 ,  JDIRA, LUCIAN ,  班克瑞斯 瑞德寇 吉瑞德 ,  BANKRAS, RADKO GERARD ,  亞斯特雷肯 式朵拉斯G M ,  OOSTERLAKEN, THEODORUS G. M.

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/54

公开(公告)号：TWI670390B

公开(公告)日：2019-09-01

申请号：TW104107876

申请日：2015-03-12

Applicant: 美商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 芝英一郎 ,  SHIBA, EIICHIRO

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

公开(公告)号：TWI666682B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW104118057

申请日：2015-06-04

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

Inventor： 宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT ,  皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  樊 德 捷 康奈爾斯A ,  VAN DER JEUGD, CORNELIUS A. ,  特后司特 赫伯特 ,  TERHORST, HERBERT ,  堤拉 路西安 ,  JDIRA, LUCIAN ,  班克瑞斯 瑞德寇G ,  BANKRAS, RADKO G. ,  亞斯特雷肯 式朵拉斯G M ,  OOSTERLAKEN, THEODORUS G. M.

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/31

公开(公告)号：TWI666336B

公开(公告)日：2019-07-21

申请号：TW105103434

申请日：2016-02-03

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加 蘇維 P. ,  HAUKKA, SUVI P. ,  多益斯 艾娃 ,  TOIS, EVA

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40