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公开(公告)号：TWI699448B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW108115406
申请日：2019-05-03
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 金永宰 , KIM, YOUNGJAE , 金永勳 , KIM, YOUNGHOON
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/02
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公开(公告)号：TW202027200A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108142164
申请日：2019-11-20
Applicant: 荷蘭商ASM IP私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 福祿特 傑羅恩 , FLUIT, JEROEN
Abstract: 本發明係有關一種具有一第一和第二反應器的基板處理設備，每個反應器配置有一升降機以將具有基板的一晶舟運送到反應器。此設備具有一晶舟運送裝置，以在一基板裝載站、第一及/或第二升降機及一冷卻站之間運送具有基板的晶舟。基板裝載站和冷卻站可配置在第一和第二升降機的相對側上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种具有一第一和第二反应器的基板处理设备，每个反应器配置有一直升电梯以将具有基板的一晶舟运送到反应器。此设备具有一晶舟运送设备，以在一基板装载站、第一及/或第二直升电梯及一冷却站之间运送具有基板的晶舟。基板装载站和冷却站可配置在第一和第二直升电梯的相对侧上。
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公开(公告)号：TWI685584B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW104138865
申请日：2015-11-24
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 宗補羅度 伯特 , JONGBLOED, BERT , 皮耶賀 迪特爾 , PIERREUX, DIETER , 納盆 維爾納 , KNAEPEN, WERNER
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/318 , H01L21/205 , H01L21/02
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公开(公告)号：TW202004943A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108108225
申请日：2019-03-12
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 林興 , LIN, XING , 魏創 , WEI, CHUANG , 王文濤 , WANG, WENTAO , 高培培 , GAO, PEIPEI , 王非 , WANG, FEI , 喬希斯瓦蘭 布貝西 巴卜 , JOTHEESWARAN, BUBESH BABU
Abstract: 本發明揭示一種適合用於在單一製程室內由基板移除碳基汙染物及氧基汙染物兩者的系統及方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种适合用于在单一制程室内由基板移除碳基污染物及氧基污染物两者的系统及方法。
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公开(公告)号：TW202003908A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108111663
申请日：2019-04-02
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 威克勒 傑瑞德 李 , WINKLER, JERELD LEE , 李 卓熹 , LI, CHEUK , 舒爾茨 邁克爾 F , SCHULTZ, MICHAEL F. , 蘇格古 約翰 凱文 , SHUGRUE, JOHN KEVIN
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本發明揭露的一半導體製程裝置可包括一反應器總成，該反應器總成包括一尺寸化適合其中接受基材的反應腔室。一排氣管線可為流體連通於該反應腔室，該排氣管線構造成使氣體輸送出該反應腔室。一閥可沿著該排氣管線配置，以調節沿著該排氣管線的氣體流動。一控制系統可構造成使用一開迴路控制模式進行操作，從而控制該閥的操作。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露的一半导体制程设备可包括一反应器总成，该反应器总成包括一尺寸化适合其中接受基材的反应腔室。一排气管线可为流体连通于该反应腔室，该排气管线构造成使气体输送出该反应腔室。一阀可沿着该排气管线配置，以调节沿着该排气管线的气体流动。一控制系统可构造成使用一开回路控制模式进行操作，从而控制该阀的操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW202003907A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108109149
申请日：2019-03-18
Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 席利拉姆 桑帝 , SREERAM, SONTI , 蘇俊威 , SU JUNWEI , 特蘭 拉克 凡 , TRAN LOC VINH
IPC: C23C16/455
Abstract: 本發明揭示一種氣體分佈系統，一種包括該氣體分佈系統之反應器系統，以及使用該等氣體分佈系統及反應器系統之方法。該氣體分佈系統可用於氣相反應器系統中以獨立地監測及控制耦接至反應腔室之氣體分佈系統之複數個通道中的氣體流動速率。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种气体分布系统，一种包括该气体分布系统之反应器系统，以及使用该等气体分布系统及反应器系统之方法。该气体分布系统可用于气相反应器系统中以独立地监测及控制耦接至反应腔室之气体分布系统之复数个信道中的气体流动速率。
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公开(公告)号：TW201947058A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108115406
申请日：2019-05-03
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 金永宰 , KIM, YOUNGJAE , 金永勳 , KIM, YOUNGHOON
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 一種薄膜形成方法包括：第一操作，將源氣體以第一流速供應到反應器中；第二操作，將所述反應器中的所述源氣體吹洗到排氣單元；第三操作，將反應氣體以第二流速供應到所述反應器中；第四操作，將電漿供應到所述反應器中；以及第五操作，將所述反應器中的所述反應氣體吹洗到所述排氣單元，其中在所述第二操作到所述第五操作期間，所述源氣體旁通到所述排氣單元，且旁通到所述排氣單元的所述源氣體的流速小於所述第一流速。根據所述薄膜形成方法，源氣體及反應氣體的消耗可降低且在排氣單元中反應副產物的產生可最小化。
Abstract in simplified Chinese: 一种薄膜形成方法包括：第一操作，将源气体以第一流速供应到反应器中；第二操作，将所述反应器中的所述源气体吹洗到排气单元；第三操作，将反应气体以第二流速供应到所述反应器中；第四操作，将等离子供应到所述反应器中；以及第五操作，将所述反应器中的所述反应气体吹洗到所述排气单元，其中在所述第二操作到所述第五操作期间，所述源气体旁通到所述排气单元，且旁通到所述排气单元的所述源气体的流速小于所述第一流速。根据所述薄膜形成方法，源气体及反应气体的消耗可降低且在排气单元中反应副产物的产生可最小化。
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公开(公告)号：TWI668325B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW108109981
申请日：2014-03-07
Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 尼斯卡嫩 安提 J. , NISKANEN, ANTTI J. , 陳尚 , CHEN, SHANG , 波爾 維爾傑米 , PORE, VILJAMI
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/34
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公开(公告)号：TWI643292B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106115573
申请日：2017-05-11
Applicant: ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 李忠滿 , LEE, CHOONG MAN , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN , 金永宰 , KIM, YOUNG JAE , 千承珠 , CHUN, SEUNG JU , 金仙子 , KIM, SUN JA
IPC: H01L21/768
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公开(公告)号：TW201842584A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107112773
申请日：2018-04-13
Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
Inventor： 柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC: H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/332 , H01L21/768 , H01L27/105
Abstract: 本發明提供一種基底處理方法及通過所述基底處理方法製造的半導體器件，所述基底處理方法可防止在具有臺階式結構的垂直與非器件中選擇性地沉積接地焊盤的製程中沉積在每一臺階上的接地焊盤的厚度不均勻，其包括：將包括絕緣層與犧牲層的堆疊結構堆疊多次；及對所述堆疊結構進行蝕刻以形成臺階式結構，所述臺階式結構具有上表面、下表面及連接所述上表面與下表面的側表面。所述方法亦包括在所述臺階式結構上形成阻擋層；在所述阻擋層上形成罩幕層；通過利用第一蝕刻溶液對所述罩幕層的至少一部分進行蝕刻來暴露出所述阻擋層的至少一部分；及利用第二蝕刻溶液對被暴露出的所述阻擋層進行蝕刻；所述方法還包括利用第三蝕刻溶液對所述罩幕層進行蝕刻。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种基底处理方法及通过所述基底处理方法制造的半导体器件，所述基底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的制程中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆栈结构堆栈多次；及对所述堆栈结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成罩幕层；通过利用第一蚀刻溶液对所述罩幕层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述罩幕层进行蚀刻。
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