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公开(公告)号:JP6255022B2
公开(公告)日:2017-12-27
申请号:JP2015531562
申请日:2013-09-12
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: マーティン マイヴァルト, , マーティン マイヴァルト, , ベルント スンプフ, , ベルント スンプフ,
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G02B27/1006 , G01J3/427 , G01J3/44 , G01J2003/4424 , G01N21/65 , G01N2021/399 , G01N2201/0221 , G01N2201/024 , G02B27/09 , G02B27/1086 , G02B27/141
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公开(公告)号:JP2015531874A
公开(公告)日:2015-11-05
申请号:JP2015531562
申请日:2013-09-12
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: マーティン マイヴァルト, , マーティン マイヴァルト, , ベルント スンプフ, , ベルント スンプフ,
IPC: G01N21/65
CPC classification number: G02B27/1006 , G01J3/427 , G01J3/44 , G01J2003/4424 , G01N21/65 , G01N2021/399 , G01N2201/0221 , G01N2201/024 , G02B27/09 , G02B27/1086 , G02B27/141
Abstract: 本発明では、サンプルを励起するためのそれぞれ異なる波長を有する個々の光ビーム(102, 116)を生成する励起光源(101、115)を備える光学素子の配置に特徴のある装置(122)について述べられている。それにより、励起の結果としてサンプルから後方散乱された光が、ラマン分光解析に利用可能となる。装置(122)は、個々の光ビーム(102、116)に関連付けられた偏向装置(103、117)を備え、個々の光ビーム(102、116)を共通光路上に偏向し、共通光路は、同様の光学システム(109)を備え、光ビーム(102、116)を集束する。【選択図】図1
Abstract translation: 在本发明中,描述了装置的特征在于所述光学元件的布置包括个体光束激发光源,用于生成(101和115),以具有用于激发样品不同的波长(102,116)(122) 是的。 由此,光从样品作为激发的结果,提供给拉曼分光分析反向散射。 设备(122)包括与所述单独的光束相关联的偏转装置(102116)(103117)偏转单独的光束(102116)至公共光路中,公共光路中, 与类似的光学系统(109),它的光聚焦光束(102116)。 点域1
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公开(公告)号:JP5611947B2
公开(公告)日:2014-10-22
申请号:JP2011524205
申请日:2008-10-27
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: ワーナー コーラス , ワーナー コーラス , ベルンハルト レンナート , ベルンハルト レンナート , バレグイー クリストフ ヴァン , バレグイー クリストフ ヴァン , マンフレッド ドゥリュース , マンフレッド ドゥリュース
CPC classification number: A01G31/02 , A01K61/10 , A01K61/54 , A01K63/00 , A01K63/04 , C12M21/04 , Y02P60/216 , Y02P60/642
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公开(公告)号:JP2017524166A
公开(公告)日:2017-08-24
申请号:JP2017526008
申请日:2015-07-24
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , バワミア, アフマド イブラヒムBAWAMIA, Ahmad Ibrahim , バワミア, アフマド イブラヒムBAWAMIA, Ahmad Ibrahim , キュルビス, クリスチャンKURBIS, Christian , キュルビス, クリスチャンKURBIS, Christian , ヴィヒト, アンドレアスWICHT, Andreas , ヴィヒト, アンドレアスWICHT, Andreas
Inventor: アフマド イブラヒム バワミア, , アフマド イブラヒム バワミア, , クリスチャン キュルビス, , クリスチャン キュルビス, , アンドレアス ヴィヒト, , アンドレアス ヴィヒト,
IPC: G02B7/02
CPC classification number: G02B7/022 , B29C65/48 , B29L2011/00 , G02B7/025
Abstract: 本発明は、マイクロ光学システム及びリテーナを有する光学デバイス及び光学デバイスの製造方法に関するものである。本発明に係るデバイスの場合、マイクロ光学システム(10)は、マイクロ光学システムがリテーナ(60)の表面(50)に対して配向されるように固定される。本デバイスでは、リテーナ(60)が円形でテーパー状の凹部(40)を有し、マイクロ光学システム(10)が球状キャップ(20)に固定され、球状キャップ(20)がリテーナ(20)に固定されている。球状キャップ(20)は、凹部(40)を少なくとも部分的に突き出て、凹部(40)の一部表面(30)又は凹部(40)での縁部(41)に当接している。球状キャップ(20)は、凹部(40)のリテーナ(60)に固定されているが、球状キャップが接触しているところでは固定されていない。球状キャップが接触しているので、固定手段の収縮により、球状キャップのシフト又は回転が生じず、したがって誤調整を引き起こすことはない。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017508182A
公开(公告)日:2017-03-23
申请号:JP2016553867
申请日:2015-02-24
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: ベルント エッピヒ, , ベルント エッピヒ,
CPC classification number: G02B27/0972 , G02B5/045 , G02B17/002 , G02B17/045 , G02B19/0057 , G02B27/0922 , G02B27/0977 , G02B27/30
Abstract: 本発明は光伝導装置60に関する。光伝導装置60は、k個(k> 1)の第1偏向デバイスU11、U21、U31、Sp1、Sp3およびk個の第2の偏向デバイスU12、U22、U32、Sp2、Sp4を含んでいる。 k個の前記第1偏向デバイスは、互いに平行に配列されて、第1方向Xに沿って配列されている。 k個の前記第2偏向デバイスは、互いに平行に配列されて、第2の方向Yに沿って配列されている。第3方向Zは、第1方向Xおよび第2方向Yに垂直である。前記第2偏向デバイスU12、U22、U32、Sp2、Sp4それぞれは、前記第1偏向デバイスU11、U21、U31、Sp1、Sp3の一つに対して同じ第4方向Pに配列されている。前記第1偏向デバイスU11、U21、U31、Sp1、Sp3は、第5方向に向かう光軸を含む。前記第2方向は、前記第1方向に垂直である。前記第2偏向デバイスU12、U22、U32、Sp2、Sp4は、第5方向の反対方向に向かう光軸を含む。前記第5方向は、前記第3方向と前記第4方向との間の角度の二等分線である。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017502511A
公开(公告)日:2017-01-19
申请号:JP2016540602
申请日:2014-12-17
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: スヴェン アインフェルト, , スヴェン アインフェルト, , ルカ レダエリ, , ルカ レダエリ, , ミヒャエル クナイスル, , ミヒャエル クナイスル,
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L33/38
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/58 , H01L2933/0016 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 【課題】半導体の表面に少なくとも一つの金属コンタクトを形成するための方法及び少なくとも一つの金属コンタクトを備える装置を提供すること。【解決手段】この方法は、半導体(10)の表面(11)に少なくとも一つの金属コンタクト(60)を形成するために使用され、半導体表面(11)にパラジウムの金属層(20)を形成するステップと、前記金属層(20)上のマスク(40、50)を形成するステップと、前記マスク(40、50)を用いて、少なくとも前記金属層(20)を構造化するステップとを含み、前記構造化ステップによって、前記金属層の金属の側面蒸着物(21)が前記マスクに生成され、構造化ステップ後に、前記マスクは前記蒸着物(21)と構造化金属層(20')との間に挟まれている。この方法は導電性ハードマスクに特徴がある。マスクが導電性であるので、マスクを金属層の金属に埋め込んだままにしておくことができ、蒸着物を除去する必要がない。蒸着物及びマスクはコンタクトの一部となる。【選択図】図6
Abstract translation: 为了提供包括用于形成在半导体表面上的至少一个金属接触的方法和至少一个金属接触的装置。 A该方法被用于形成半导体(10)的表面(11)上的至少一个金属接触(60),以形成在半导体表面上的钯(20)的金属层(11) 的步骤,所述金属层(20),使用所述形成在掩模(40,50)的步骤掩模(40,50),和结构化至少所述金属层(20)的步骤, 由结构化步骤,对金属的侧表面沉积所述金属层(21)中的掩模生成,结构化步骤之后,沉积的掩模(21)结构的金属层(20“) 它被夹在两者之间。 此方法的特征在于在导电性硬质掩模。 因为掩模是导电的,该掩模可以留下嵌入在金属层的金属,它是没有必要的,以除去沉积物。 存款和掩模成为接触的一部分。 点域6
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公开(公告)号:JP5689466B2
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:JP2012520054
申请日:2010-07-16
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: ミヒャエル クナイスル, , ミヒャエル クナイスル, , マルクス ヴァイアー, , マルクス ヴァイアー, , スヴェン アインフェルト, , スヴェン アインフェルト, , エルナン ロドリゲス, , エルナン ロドリゲス,
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/46
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公开(公告)号:JP5683262B2
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:JP2010504600
申请日:2008-03-25
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: ゲシェ ローランド , ゲシェ ローランド , クリスティーナ アンドレイ アンドリーア , クリスティーナ アンドレイ アンドリーア , ブーフホルツ ステファン , ブーフホルツ ステファン , キューン シルヴィオ , キューン シルヴィオ
IPC: H05H1/24
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/463 , H05H2240/10 , H05H2245/122 , H05H2277/11
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公开(公告)号:JP5677420B2
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:JP2012514459
申请日:2010-06-09
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V. , フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウForschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: アレキサンダー サーム, , アレキサンダー サーム, , マーティン マイヴァルト, , マーティン マイヴァルト, , クリスティアン フィービッヒ, , クリスティアン フィービッヒ, , カトリン パシュケ, , カトリン パシュケ,
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3501 , G02F2001/3505 , G02F2001/3546 , G02F2203/60 , Y10T156/10
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公开(公告)号:JP2020518147A
公开(公告)日:2020-06-18
申请号:JP2019551440
申请日:2018-03-13
Applicant: フォルシュングスフェアブント ベルリン エー ファウ , Forschungsverbund Berlin e.V.
Inventor: ホフマン, トーマス
IPC: H03F3/217
Abstract: 【課題】抵抗における消費電力を小さくする。 【解決手段】第1負電圧源と、第2トランジスタと、を備え、前記抵抗の他方は、第1ノードに接続され、第1負電圧源は、第1電圧を供給する電圧源であり、第2トランジスタのソース電極は、第1負電圧源に接続され、第2トランジスタのゲート電極は、前記入力部に接続され、第2トランジスタのドレイン電極は、第1ノードに接続されている、駆動装置が提供される。 【選択図】図2
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