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    METHOD OF DETECTING AN OPERATING CONDITION OF AN ELECTRIC STEPPER MOTOR
    1.
    发明申请
    METHOD OF DETECTING AN OPERATING CONDITION OF AN ELECTRIC STEPPER MOTOR 审中-公开
    检测电动步进电机操作条件的方法

    公开(公告)号：WO2010054680A1

    公开(公告)日：2010-05-20

    申请号：PCT/EP2008/065314

    申请日：2008-11-11

    Applicant: FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED ,  WAGNER, Jens ,  DIETRICH, Armin ,  DIEFFENBACH, Kai ,  BODENMÜLLER, Marco ,  ROHN, Jürgen ,  WIEWESIEK, Wolfgang

    Inventor： WAGNER, Jens ,  DIETRICH, Armin ,  DIEFFENBACH, Kai ,  BODENMÜLLER, Marco ,  ROHN, Jürgen ,  WIEWESIEK, Wolfgang

    IPC: H02P8/34 ,  H03F1/02

    CPC classification number: H02P8/34

    Abstract: An electrical stepper motor comprises a magnetical rotor and at least two electromagnetical driving coils for causing rotation of the rotator. A method of detecting an operating condition of the as e.g. a stall state of the electrical stepper motor comprises the steps of connecting one contact pin (P, M) of at least one of the electromagnetical driving coils via a high-impedance resistor (R1, R2) to a defined voltage source during a non-activated state of the driving coil, detecting a voltage induced at the driving coil during the non-activated state and converting the detected voltage into a digital signal, and digitally analyzing the digital signal and deriving an operating condition of the rotor by evaluation of the signal waveform including positive and negative components of the signal.

    Abstract translation: 电动步进电动机包括磁转子和至少两个用于使转子旋转的电磁驱动线圈。 一种检测例如操作条件的方法。 电动步进电机的失速状态包括以下步骤：通过高阻抗电阻器（R1，R2）将至少一个电磁驱动线圈的一个接触针（P，M）连接到限定的电压源， 驱动线圈的激活状态，检测在非激活状态期间在驱动线圈处感应的电压并将检测到的电压转换为数字信号，并且通过评估信号对数字信号进行数字分析和导出转子的工作状态 波形包括信号的正和负分量。

    製造半導體裝置之方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明专利
    製造半導體裝置之方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    制造半导体设备之方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

    公开(公告)号：TW200939395A

    公开(公告)日：2009-09-16

    申请号：TW097147111

    申请日：2008-12-04

    Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

    Inventor： 堤昌則 TSUTSUMI, MASANORI ,  小倉壽典 OGURA, JUSUKE

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144

    Abstract: 一製造半導體裝置之方法係包含形成一第一氮化物層於一基材上方,形成一第一氧化物層於第一氮化物層,形成一第二氮化物層於第一氧化物層上,形成一光阻層於第二氮化物層上方,形成一開口於光阻層中,利用光阻層作為罩幕來蝕刻第二氮化物層使得開口抵達至第一氧化物層,利用第二氮化物層作為罩幕來蝕刻第一氧化物層使得開口抵達至第一氮化物層,蝕刻第一氧化物層使得開口的底區增大直徑,及利用第一氧化物層作為罩幕來蝕刻第一氮化物層使得開口抵達至基材藉以形成抵達至基材之接觸孔。

    Abstract in simplified Chinese: 一制造半导体设备之方法系包含形成一第一氮化物层于一基材上方,形成一第一氧化物层于第一氮化物层,形成一第二氮化物层于第一氧化物层上,形成一光阻层于第二氮化物层上方,形成一开口于光阻层中,利用光阻层作为罩幕来蚀刻第二氮化物层使得开口抵达至第一氧化物层,利用第二氮化物层作为罩幕来蚀刻第一氧化物层使得开口抵达至第一氮化物层,蚀刻第一氧化物层使得开口的底区增大直径,及利用第一氧化物层作为罩幕来蚀刻第一氮化物层使得开口抵达至基材借以形成抵达至基材之接触孔。

    半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE
    4.
    发明专利
    半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE

    公开(公告)号：TW200937637A

    公开(公告)日：2009-09-01

    申请号：TW097147990

    申请日：2008-12-10

    Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

    Inventor： 三谷純一 MITANI, JUNICHI ,  中井聰 NAKAI, SATOSHI ,  藤田和司 FUJITA, KAZUSHI

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 一半導體裝置係具有一第一傳導類型的一第一及一第二主動區,其配置於一半導體基材上;一第二傳導類型的一第三及一第四主動區,其配置於半導體基材上,第二及第四主動區分別具有大於第一及第三主動區尺寸之尺寸;一第一導電圖案,其配置為與第一主動區相鄰且具有一第一寬度;一第二導電圖案,其配置為與第二主動區相鄰且具有一大於第一寬度的第二寬度;一第三導電圖案,其配置為與第三主動區相鄰且具有一第三寬度;及一第四導電圖案,其配置為與第四主動區相鄰且具有一小於第三寬度的第四寬度。

    Abstract in simplified Chinese: 一半导体设备系具有一第一传导类型的一第一及一第二主动区,其配置于一半导体基材上;一第二传导类型的一第三及一第四主动区,其配置于半导体基材上,第二及第四主动区分别具有大于第一及第三主动区尺寸之尺寸;一第一导电图案,其配置为与第一主动区相邻且具有一第一宽度;一第二导电图案,其配置为与第二主动区相邻且具有一大于第一宽度的第二宽度;一第三导电图案,其配置为与第三主动区相邻且具有一第三宽度;及一第四导电图案,其配置为与第四主动区相邻且具有一小于第三宽度的第四宽度。

    半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    5.
    发明专利
    半導體記憶體裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    半导体内存设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

    公开(公告)号：TWI313004B

    公开(公告)日：2009-08-01

    申请号：TW095103063

    申请日：2006-01-26

    Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

    Inventor： 原浩太 HARA, KOTA ,  菊竹陽 KIKUTAKE, AKIRA

    IPC: G11C

    CPC classification number: G11C7/1027 ,  G11C11/4076 ,  G11C2207/002

    Abstract: 一內部位址產生電路,利用一外部位址被設定為一初始値,於叢發讀取操作中依序產生內部位址。一記憶體核心具有多數個記憶體晶胞,並且於該叢發讀取操作中,回應一行選擇信號的致動,依序輸出讀取自與該等內部位址相對應之記憶體晶胞的資料。於該叢發讀取操作中,一記憶體核心控制電路中的一行控制電路,於一外部控制信號的一致動期間,重複該行選擇信號的致動持續一特定期間,並與該外部控制信號之解除致動同步地强制解除致動該行選擇信號。於該叢發讀取操作中,在自該外部控制信號之解除致動經過了一預定時間後,該記憶體核心控制電路中的一操作狀態控制電路解除致動一操作狀態控制信號。

    Abstract in simplified Chinese: 一内部位址产生电路,利用一外部位址被设置为一初始値,于丛发读取操作中依序产生内部位址。一内存内核具有多数个内存晶胞,并且于该丛发读取操作中,回应一行选择信号的致动,依序输出读取自与该等内部位址相对应之内存晶胞的数据。于该丛发读取操作中,一内存内核控制电路中的一行控制电路,于一外部控制信号的一致动期间,重复该行选择信号的致动持续一特定期间,并与该外部控制信号之解除致动同步地强制解除致动该行选择信号。于该丛发读取操作中,在自该外部控制信号之解除致动经过了一预定时间后,该内存内核控制电路中的一操作状态控制电路解除致动一操作状态控制信号。

    曝光資料準備方法及曝光方法 EXPOSURE DATA PREPARATION METHOD AND EXPOSURE METHOD
    6.
    发明专利
    曝光資料準備方法及曝光方法 EXPOSURE DATA PREPARATION METHOD AND EXPOSURE METHOD 审中-公开
    曝光数据准备方法及曝光方法 EXPOSURE DATA PREPARATION METHOD AND EXPOSURE METHOD

    公开(公告)号：TW200933700A

    公开(公告)日：2009-08-01

    申请号：TW097148448

    申请日：2008-12-12

    Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

    Inventor： 野宏三 OGINO, KOZO ,  町田泰秀 MACHIDA, YASUHIDE

    IPC: H01L ,  G03B

    CPC classification number: H01J37/3056 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  Y10S430/143

    Abstract: 在用於帶電粒子束曝光之曝光資料準備方法中,其中,當劑量對於每一圖案被調整時,一曝光物體被曝光,該方法包括以下步驟:根據一目標線寬,將一圖案分類;對於具有該目標線寬的一組圖案,設定顯示一標準劑量與一阻劑圖案的一生成線寬之間的關係之一標準特徵;及藉由修正一形狀及劑量,準備曝光資料,使得顯示具有該目標線寬之每一圖案的劑量與一阻劑圖案的一生成線寬之間的關係之一特徵遵循該標準特徵。

    Abstract in simplified Chinese: 在用于带电粒子束曝光之曝光数据准备方法中,其中,当剂量对于每一图案被调整时,一曝光物体被曝光,该方法包括以下步骤:根据一目标线宽,将一图案分类;对于具有该目标线宽的一组图案,设置显示一标准剂量与一阻剂图案的一生成线宽之间的关系之一标准特征;及借由修正一形状及剂量,准备曝光数据,使得显示具有该目标线宽之每一图案的剂量与一阻剂图案的一生成线宽之间的关系之一特征遵循该标准特征。

    步進式直流對直流轉換器與用於控制步進式直流對直流轉換器之方法 STEP-UP TYPE DC-DC CONVERTER AND METHOD FOR CONTROLLING STEP-UP TYPE DC-DC CONVERTER
    7.
    发明专利
    步進式直流對直流轉換器與用於控制步進式直流對直流轉換器之方法 STEP-UP TYPE DC-DC CONVERTER AND METHOD FOR CONTROLLING STEP-UP TYPE DC-DC CONVERTER 有权
    步进式直流对直流转换器与用于控制步进式直流对直流转换器之方法 STEP-UP TYPE DC-DC CONVERTER AND METHOD FOR CONTROLLING STEP-UP TYPE DC-DC CONVERTER

    公开(公告)号：TWI312226B

    公开(公告)日：2009-07-11

    申请号：TW095106354

    申请日：2006-02-24

    Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

    Inventor： 長谷川守仁 HASEGAWA, MORIHITO ,  小澤秀清 OZAWA, HIDEKIYO ,  田尻省二 TAJIRI, SHOJI ,  笠井稔彥 KASAI, TOSHIHIKO

    IPC: H02M

    CPC classification number: H02M1/36 ,  H02M3/156 ,  H02M2003/078 ,  H03K17/302 ,  H03K2217/0018

    Abstract: 本發明提供一種DC-DC轉換器,其能夠在輸入電壓是低的狀態下被起動且能夠在沒有增加電路尺寸下被構築而成。一個後-閘極電壓是從一個後-閘極電壓產生電路輸出,而且是輸入到一個電晶體的後閘極。在一個於其期間一個輸出電壓是比一個參考電壓低的周期期間,一個振盪訊號是輸入到該電晶體的閘極,而該後-閘極電壓是設定在一個接地電壓。因此,該電晶體具有一個參考臨界電壓。另一方面,於一個於其期間該輸出電壓是比該參考電壓高的周期期間,一個脈衝訊號是輸入到該電晶體的閘極,而該後-閘極電壓是設定在一個電荷泵部份的輸出電壓。因此,該電晶體具有一個比該參考臨界電壓高的臨界電壓。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种DC-DC转换器,其能够在输入电压是低的状态下被起动且能够在没有增加电路尺寸下被构筑而成。一个后-闸极电压是从一个后-闸极电压产生电路输出,而且是输入到一个晶体管的后闸极。在一个于其期间一个输出电压是比一个参考电压低的周期期间,一个振荡信号是输入到该晶体管的闸极,而该后-闸极电压是设置在一个接地电压。因此,该晶体管具有一个参考临界电压。另一方面,于一个于其期间该输出电压是比该参考电压高的周期期间,一个脉冲信号是输入到该晶体管的闸极,而该后-闸极电压是设置在一个电荷泵部份的输出电压。因此,该晶体管具有一个比该参考临界电压高的临界电压。

    非依電性半導體記憶裝置及其讀出方法、寫入方法及消去方法(二) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR READING, WRITING AND ERASING THE SAME
    10.
    发明专利
    非依電性半導體記憶裝置及其讀出方法、寫入方法及消去方法(二) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR READING, WRITING AND ERASING THE SAME 有权
    非依电性半导体记忆设备及其读出方法、写入方法及消去方法(二) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR READING, WRITING AND ERASING THE SAME

    公开(公告)号：TWI309419B

    公开(公告)日：2009-05-01

    申请号：TW095137268

    申请日：2006-10-05

    Applicant: 富士通微電子股份有限公司 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED

    Inventor： 鳥井智史 TORII, SATOSHI

    IPC: G11C

    CPC classification number: H01L27/11529 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546

    Abstract: 本發明之非依電性半導體記憶裝置包含有:記憶體細胞陣列,係使具有選擇電晶體及記憶體細胞電晶體之記憶體細胞排列成矩陣狀而形成者;第1列解碼器,係用以控制位元線及源極線之電位者;第1行解碼器,係用以控制第1字線之電位者;第2行解碼器,係用以控制第2字線之電位者;及,第2列解碼器,係用以控制源極線之電位者,又,第1列解碼器係藉其耐壓較第1行解碼器及第2列解碼器低之電路構成者,且第2行解碼器係藉其耐壓較第1行解碼器及第2列解碼器低之電路構成者。藉此可以高速控制位元線、源極線及第2字線,因此可以高速讀出已寫入記憶體細胞電晶體之資訊者。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之非依电性半导体记忆设备包含有:内存细胞数组,系使具有选择晶体管及内存细胞晶体管之内存细胞排列成矩阵状而形成者;第1列译码器,系用以控制比特线及源极线之电位者;第1行译码器,系用以控制第1字线之电位者;第2行译码器,系用以控制第2字线之电位者;及,第2列译码器,系用以控制源极线之电位者,又,第1列译码器系藉其耐压较第1行译码器及第2列译码器低之电路构成者,且第2行译码器系藉其耐压较第1行译码器及第2列译码器低之电路构成者。借此可以高速控制比特线、源极线及第2字线,因此可以高速读出已写入内存细胞晶体管之信息者。

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