-
公开(公告)号：JP2015521238A
公开(公告)日：2015-07-27
申请号：JP2015515030
申请日：2013-05-16
Inventor： ボゼナ ウィニッカ マリア , ボゼナ ウィニッカ マリア , エイ． ロザック ゲーリー , エイ． ロザック ゲーリー
CPC classification number: B22F7/06 , B22F3/001 , B22F3/04 , B22F3/1007 , B22F3/1017 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F5/00 , B22F5/10 , B22F7/008 , B22F2003/248 , B22F2201/013 , B22F2301/20 , B22F2302/45 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C30B11/002 , C30B15/10 , C30B29/20 , C30B35/002 , Y10T117/1024 , B22F2201/016 , B22F2203/11 , B22F2207/01
Abstract: 種々の実施形態において、前駆体粉末を加圧して中間体積とし、焼結により化学的に還元させて金属成形物品を形成させる。もう一つの実施形態において、本発明は、最終寸法の目標設定を有しており、主にモリブデンからなる成形物品の製造方法であって、アンモニウム系モリブデン前駆体粉末、特に二モリブデン酸アンモニウムを加圧する工程と、4つの異なる温度レベルを規定した段階的な焼結プロセスとを含む方法に関する。もう一つの態様において、本発明の実施形態は、成形物品の処理方法に関する。主に1種以上の金属を含むか又はこれからなる成形物品の少なくとも1つの表面上に添加物を施与する。もう一つの態様において、本発明の実施形態は、主にモリブデンとタングステンとの合金からなる内層と、主にモリブデンからなる外層と、その間にある、主に段階的濃度のモリブデンとタングステンとからなる帯域とを含むか又は主にこれらからなるるつぼに関する。
Abstract translation: 在各种实施例中，中间体积加压前体粉末，通过烧结化学还原以形成金属成型制品。 在另一个实施方案中，本发明具有的最终尺寸的目标设定，主要用于由钼，铵基钼的前体粉末的模塑制品的制备方法，尤其是二钼酸铵加压的 施加的步骤，所述方法包括分步烧结过程，其定义了四个不同的温度水平。 在另一个方面，本发明的实施例涉及治疗模塑制品的方法。 主要应用的或者在至少一个表面上的添加剂或由包含一种或多种金属的模塑制品的。 在另一个方面，本发明的实施例由一个主和由钼和钨的合金的内层的，外层主要由钼制成的，在两者之间，钼和钨的主要浓度梯度 或主要包含约使他们的坩埚频带。
-
公开(公告)号：JP2017517627A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016561807
申请日：2015-04-08
Inventor： ホーガン パトリック , ホーガン パトリック , エイモン ポール , エイモン ポール , フラニガン ジョセフ , フラニガン ジョセフ , ハギュマジ マルセル , ハギュマジ マルセル , ハース ヘルムート , ハース ヘルムート
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F1/0014 , B22F3/02 , B22F3/1208 , B22F3/15 , B22F2003/1014 , C22C1/045 , C22F1/18 , C23C14/14 , H01J37/3426
Abstract: 本質的に理論的に無秩序でほぼ均一な結晶学的組織を有するスパッタリングターゲット本体の少なくとも一部を画定するために、粒径約10から約1000μmの金属粉体(例えば、タンタル)の少なくとも1個の塊を封入し、熱間静水圧プレスするステップを含む、スパッタリングターゲットを製造する方法。粒子の少なくとも約10重量パーセントは粒径が約150μmを超える(例えば、金属粉体の少なくとも1個の塊における粒子の約29から約56重量パーセント(例えば、約35から約47重量パーセント)は、粒径が150ミクロンより大きいが約250μm未満である)。【選択図】図1A
-
公开(公告)号：JP2015522711A
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：JP2015511446
申请日：2013-03-12
Inventor： アラン ロザック ゲイリー , アラン ロザック ゲイリー , エー． ゲイドス マーク , エー． ゲイドス マーク , ミカエルック クリストファー , ミカエルック クリストファー
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F1/0003 , B22F3/15 , B22F3/24 , B22F7/064 , B22F2003/153 , B22F2003/247 , B22F2301/20 , B22F2998/10 , C22C1/045 , C22C27/04 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , C23C24/04
Abstract: 少なくとも2つの圧密化されたブロックと、少なくとも2つの圧密化されたブロック間の接合とを含むスパッタリングターゲットであって、各ブロックが第1の金属(例えば、約30重量%より多い量のモリブデンなどの耐火性金属)および少なくとも1種の追加の合金成分を含む合金を含み、接合が、添加された遊離した粉末結合剤の拡散接着から誘導されるいずれかの微細構造を含まないで調製されるスパッタリングターゲット。ターゲットを製造するためのプロセスは、加圧前、圧密化された粉末金属ブロック間に、少なくとも1つの連続固体インターフェース部分を入した圧密化されたプレフォームブロックを、熱間等方圧加圧(例えば、1080℃の温度以下で)するステップを含む。少なくとも1つの連続固体インターフェース部分は、コールドスプレー体を含み得、これは、ブロック、焼結プレフォーム、圧縮された粉末体(例えば、タイル)、またはそれらのいずれかの組み合わせの表面上にコールドスプレー析出された粉末の密集体であり得る。【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP6573629B2
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：JP2016561807
申请日：2015-04-08
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド , H.C. Starck, Inc.
Inventor： パトリック ホーガン , ポール エイモン , ジョセフ フラニガン , マルセル ハギュマジ , ヘルムート ハース
-
公开(公告)号：JP5725700B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2009232394
申请日：2009-10-06
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド , H.C. Starck, Inc.
Inventor： スティーヴン エー. ミラー , プラブハット クマー
CPC classification number: B22F1/0044 , B22F2998/00 , C22C2200/04 , Y10T428/12028
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5586752B2
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：JP2013160634
申请日：2013-08-01
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： クマー プラブハット , ビー． ウッド チャールズ , ロザック ゲイリー , エー ミラー スティーヴン , ゼマン グレン , リチャード ウー ロン−チェン
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/1017 , B22F2003/241 , B22F2003/247 , B22F2998/10 , C22C1/045 , B22F3/04 , B22F3/24
-
7.发明专利
公开(公告)号：JP5215658B2
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：JP2007505156
申请日：2005-03-24
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc. , ノース キャロライナ ステート ユニバーシティNorth Carolina State University
Inventor： ナラヤン ジェグディッシュ , クマー プラブハット , ウー リチャード
IPC: C30B29/02 , B81C1/00 , C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C16/06 , C30B23/00 , C30B23/08 , C30B25/00
CPC classification number: C23C16/06 , C23C14/16 , C23C14/548
-
公开(公告)号：JP5124468B2
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：JP2008538964
申请日：2006-10-31
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc. , ハー.ツェー.スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングH.C. Starck GmbH
Inventor： ビー． ハドルストン ジェームズ , ツァトルスキー ライモンド , マゾリク ジャン
-
公开(公告)号：JP2011504547A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：JP2010531278
申请日：2008-10-24
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： サン シューウェイ , クマー プラブハット , ゲイドス マーク , ウー リチャード
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/002 , C22C1/0425 , C22F1/08 , C23C14/14 , H01B1/02 , H01B1/026 , Y10T428/31678
Abstract: Metallic materials consisting essentially of a conductive metal matrix, preferably copper, and a refractory dopant component selected from the group consisting of tantalum, chromium, rhodium, ruthenium, iridium, osmium, platinum, rhenium, niobium, hafnium and mixtures thereof, preferably in an amount of about 0.1 to 6% by weight based on the metallic material, alloys of such materials, sputtering targets containing the same, methods of making such targets, their use in forming thin films and electronic components containing such thin films.
-
公开(公告)号：JP2010508443A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：JP2009535440
申请日：2007-10-31
Applicant: ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッドH.C. Starck, Inc.
Inventor： サン シューウェイ , クマー プラブハット , リチャード ウー ロン−チェン
IPC: C23C14/34 , C04B35/457 , H01B1/08 , H01B5/14
CPC classification number: C04B35/457 , C03C17/2453 , C03C2217/211 , C03C2218/154 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/404 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y10T428/12771 , Y10T428/24364
Abstract: 本発明は本質的に：ａ）約６０から約９９モル％までのＳｎＯ
２ 、及びｂ）約１から約４０モル％までの、ｉ）Ｎｂ
２ Ｏ
５ 、ｉｉ）ＮｂＯ、ｉｉｉ）ＮｂＯ
２ 、ｉｖ）ＷＯ
２ 、ｖ）ａ）ＭｏＯ
２ とＭｏとの混合物及びｂ）Ｍｏからなる群から選択された材料、ｖｉ）Ｗ、ｖｉｉ）Ｔａ
２ Ｏ
５ 、及びｖｉｉｉ）それらの混合物からなる群から選択される１種又は複数種の材料から構成されており、その際、モル％は全生成物を基準とし、成分ａ）と成分ｂ）の総和は１００である、組成物に関する。 本発明はまた、係る組成物の焼結された製品、焼結された製品から製造されたスパッタリングターゲット及び該組成物から製造された透明な導電性被膜に関する。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
299
records
(took 0.035 seconds)
