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1.ヒト又は動物の微生物叢由来の有利な微生物のin vitroの濃縮によるプロバイオティクスの生成 审中-公开
Title translation: 益生菌的生成通过体外有利微生物的浓度从所述人或动物的微生物公开(公告)号:JP2016531131A
公开(公告)日:2016-10-06
申请号:JP2016536059
申请日:2014-08-22
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: コルト、レムコ , アンリ ヨハン シューレン、フランク , アンリ ヨハン シューレン、フランク
IPC: A61K35/74 , A61K35/741 , A61K35/744 , A61K35/745 , A61P37/04 , A61P43/00
CPC classification number: A61K35/747 , A61K35/741 , A61K35/745
Abstract: 本発明は、腸内毒素症の原因となる微生物のサンプルを取ることによって、哺乳動物、好ましくはヒトにおける腸内毒素症を治療する方法に関する。それは、サンプルが置換された後に、サンプルが健康な細菌のためにin vitroで濃縮された後に行われる。【選択図】なし
Abstract translation: 本发明中,通过取该引起肠道疾病毒素,哺乳动物和优选在人类中治疗肠道疾病的毒素的方法的微生物的样品。 它,所述样品已被替换后,将样品浓缩在体外健康的细菌之后进行。 系统技术领域
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公开(公告)号:JP2016523690A
公开(公告)日:2016-08-12
申请号:JP2016511701
申请日:2014-05-02
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ユリアーネ ガベル、サビーネ , ユリアーネ ガベル、サビーネ , フリース、アイク ゲルク デ , フリース、アイク ゲルク デ
CPC classification number: H01L51/0004 , B05C5/0254 , B05C5/0258 , B05C11/1021 , B05D1/26 , B05D2252/02 , H01L51/42
Abstract: スロットダイコーティング方法、装置及びパターン形成コーティング層を有する基板が開示される。前記方法は、スロットダイコーティングヘッドから前記基板表面に供給する前記塗布液の断続的な転送を制御することと、当該断続的な転送によって、前記基板表面上の塗布領域が未塗布領域で分離されることとを含む。前記基板表面は、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域とからなる事前パターン形成層を有する。ここで、前記基板表面上での前記塗布液の接触角は、前記低表面エネルギー領域におけるよりも前記高表面エネルギー領域において小さい。前記低表面エネルギー領域と前記高表面エネルギー領域との間の境界は、前記スリット方向に沿って配置されている。前記方法は、さらに、前記断続的な転送を、前記低表面エネルギー領域と前記高表面エネルギー領域との間の前記境界の上を通る前記流出開口の通過と同期させることであって、前記転送は、前記流出開口が高表面エネルギー領域を通過するときに有効にされ、前記転送は、前記流出開口が低表面エネルギー領域を通過するときに無効にされる、当該同期させること、を含む。【選択図】図1A
Abstract translation: 槽模涂布法,公开了具有一装置和图案形成涂布层的基材。 该方法包括控制来自槽模涂布头供给到基板表面上,通过在间歇输送的涂布液的间歇输送,将基板表面上的涂层区由未涂覆区域分隔 和Rukoto。 在基板表面具有包括高表面能区域和低表面能区域的预图案化层。 在此,在基板表面上的涂布液的接触角比在低表面能区域小的高表面能区域。 低表面能区域,高表面能区域之间的边界沿狭缝方向布置。 该方法进一步在间歇输送,所述方法包括:通过所述低表面能区域,高表面能区域,转印之间的边界的顶部同步出口开口的通道 通过高表面能区域,转印时通过低表面能区域时,包括,从而同步流出开口被使能,所述出口开口被无效。 点域1A
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3.ナノコンポジット、ナノコンポジットの生産方法、電子デバイスのバリア構造及びバリア構造を含むOLED 审中-公开
Title translation: 含有OLED纳米复合材料,制造纳米复合材料,所述阻挡结构和阻挡结构的电子装置的制造方法公开(公告)号:JP2016521439A
公开(公告)日:2016-07-21
申请号:JP2016505429
申请日:2014-03-25
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ハルケマ、ステファン , マリア マティアス ミューレンダイクス−キッゲン、ニコル , マリア マティアス ミューレンダイクス−キッゲン、ニコル , イー、レンズ イェロン ファン , イー、レンズ イェロン ファン
IPC: H05B33/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K3/02 , C08K3/22 , C08K3/30 , C08K9/04 , C08L101/00 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L51/5256 , C01G23/0536 , C01P2004/53 , C01P2004/64 , C08K3/22 , C08K9/04 , C08K2003/2206 , C08K2003/2241 , C09C1/3669 , G02B1/00 , G02B2207/101 , H01L51/0034 , H01L51/0084 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L2251/5338 , H01L2251/5369
Abstract: 本発明は、高分子マトリックス内に分散させられる二峰性サイズ分布を持つ塊を形成する10nm未満の粒子サイズの一次ナノ粒子を含むナノコンポジットに関する。ここで、前記ナノコンポジットは、塊の全重量を基準にして、30nm未満の粒子サイズを持つ塊を10〜80重量%含み、100nm以上(好ましくは400nm以上)の粒子サイズを持つ塊を20重量%未満含む。前記ナノ粒子の表面は表面修飾剤で修飾され得る。この合成物は、二つの無機層の間の有機層として、有機発光ダイオード(OLED)等の電子デバイスのための高屈折バリア構造の中で有利に使われ得る。【選択図】なし
Abstract translation: 本发明涉及包含颗粒尺寸小于10nm的初级纳米颗粒以形成具有双峰粒度分布分散在聚合物基质中的质量的纳米复合材料。 在此,纳米复合材料,基于质量的总重量计,含有该物质的10〜80重量%具有小于30nm的粒径,20重量质量具有大于100纳米(优选至少400 nm)的粒度 包括小于%。 所述纳米颗粒的表面可以用表面改性剂进行改性。 的复合物,两个无机层之间的有机层可以有利地用于电子器件如有机发光二极管(OLED)的高折射屏障结构一起使用。 系统技术领域
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公开(公告)号:JP2015527702A
公开(公告)日:2015-09-17
申请号:JP2015521569
申请日:2013-07-11
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ウニクリシュナン、サンディー , モル、アントニウス マリア ベルナルダス ファン , モル、アントニウス マリア ベルナルダス ファン
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/4293 , H01L51/448 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5256 , H01L51/56 , H01L2251/566 , Y02E10/549 , Y10T428/24322
Abstract: バリア箔片中の有機物層を露出させることなく切断しうる、連続したバリア箔を前記バリア箔片に分割する方法およびシステムが提供される。溝は、前記バリア箔片の境界の横に沿って形成される。前記溝は、前記有機物層を貫通して延伸し、封止材料により封止されて封止された溝を形成する。前記封止された溝は、前記バリア箔片が切り出されるときに、湿気および/または酸素が前記バリア箔片の中の有機材料に到達するのを防止しうる。このようにして、封止されたバリア箔片が提供される。【選択図】図3
Abstract translation: 而不会在阻挡箔条,用于将连续的屏障箔阻挡箔片的方法和系统暴露所述有机材料层可切割的设置。 槽沿所述屏障箔段的横向边界形成。 该槽穿过所述有机材料层延伸以形成用密封材料密封并密封槽。 将密封的凹槽,当所述屏障薄片带被切掉,湿气和/或氧气可以从屏障箔段到达有机材料来防止。 以这种方式,提供密封屏障箔片。 点域
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公开(公告)号:JP2016502271A
公开(公告)日:2016-01-21
申请号:JP2015544026
申请日:2013-11-22
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ラメレン、ティム ヨハネス ファン , ラメレン、ティム ヨハネス ファン , ヤコブ ヘンドリクス、ロブ , ヤコブ ヘンドリクス、ロブ , ルービング、エリック , コルネリス フーベルトゥス ボウタース、ユルゲン , コルネリス フーベルトゥス ボウタース、ユルゲン , ウィルヘルミナ カタリナ クーネン、エリカ , ウィルヘルミナ カタリナ クーネン、エリカ , ジェイ アッベル、ロバート , ジェイ アッベル、ロバート
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/22
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3276 , H01L27/3288 , H01L51/0022 , H01L51/56 , H05K3/28 , H05K2201/0769 , H05K2203/102
Abstract: 積層体を製造する方法を開示する。この方法は、パターン(L11,L12,L13)に従って配置された第1の材料からなる第1の層(L1)を備えるキャリア(SB)を準備するステップ(S1)と、パターン形成された第1の層(L1)が設けられたキャリア(SB)を、第2の材料からなる第2の層(L2)で覆うステップ(S2)と、第1の材料(L1)に選択的に吸収される電磁放射を適用し、この吸収の結果として第1の材料(L1)内で熱が発生し、熱により第1の材料(L21,L22,L23)に接する第2の材料が硬化されるステップ(S3)と、硬化されていない第2の材料を除去するステップ(S4)と、を備える。【選択図】図1C
Abstract translation: 它公开了一种用于制备层压体的方法。 此方法是由根据(L11,L12,L13)制备载体(SB),其包括层(L1)(S1),第一图案化的第一步骤设置的第一材料的图案 层和(L1)载体(SB),其设置有步骤(S2)被覆盖有第二材料(L2)的第二层,它是选择性地由第一材料吸收(L1) 施加电磁辐射,因为这在吸收所述第二材料在通过加热与第一材料接触的步骤中产生的热量,所述第一材料(L1)的结果,(L21,L22,L23)固化( 设置有S3),并且去除所述第二材料的步骤(S4)不硬化时,。 点域1C
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公开(公告)号:JP2015535130A
公开(公告)日:2015-12-07
申请号:JP2015537657
申请日:2013-10-18
Applicant: ネーデルランツェ・オルガニザツィ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンシャッペイク・オンデルズーク・テー・エン・オーNederlandse Organisatie Voor Toegepast−Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno , ネーデルランツェ・オルガニザツィ・フォール・トゥーヘパスト−ナトゥールウェテンシャッペイク・オンデルズーク・テー・エン・オーNederlandse Organisatie Voor Toegepast−Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno
Inventor: スペー,カロルス・イダ・マリア・アントニウス , ブロム,パウルス・ビルヘルムス・マリア , レベル,ジャック・ダブリュ
CPC classification number: H01L51/0022 , C23C16/45551 , H01L51/0004 , H01L51/0034 , H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: この発明は、多層半導体素子を製造する方法に向けられている。この方法によれば、担体上での第1の材料の溶液印刷により、担体上に第1のデバイス層が設けられる。前記第1のデバイス層上に、第2の材料溶液の溶液印刷により、第2のデバイス層が設けられ、第2の材料溶液は、溶媒に溶解された第2のデバイス層材料を含む。第2のデバイス層の溶液印刷の前に、バリア中間層が、前記第1のデバイス層と前記第2のデバイス層との間に配置されるために、第1の層上に追加される。バリア中間層は、前記溶媒に溶けない中間層材料を含み、第1のデバイス層と第2のデバイス層との電気的相互作用を可能にするために配置されている。この発明はさらに、半導体素子を提供する。
Abstract translation: 本发明涉及制造多层半导体器件的方法。 根据该方法,通过在载体上的第一材料的溶液印刷,所述第一器件层设置在载体上。 通过溶液印刷第二材料溶液中的第一器件层,第二器件层被设置,所述第二材料溶液包含溶解在溶剂中的第二器件层材料。 所述第二器件层的现有解决方案的印刷,阻挡中间层是被设置,所述第二器件层和所述第一器件层,在第一层上添加之间。 屏障的中间层包括一中间层材料,该材料是不溶于溶剂中,它被设置为允许与所述第一器件层和第二器件层的电相互作用。 本发明还提供一种半导体器件。
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公开(公告)号:JP2017519906A
公开(公告)日:2017-07-20
申请号:JP2016574069
申请日:2015-06-19
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ヴィリブロードゥス ジョージ ポート、パウルス , ヴィリブロードゥス ジョージ ポート、パウルス , ヤコーブス ヴィルヘルムス クナーペン、レイモンド , ヤコーブス ヴィルヘルムス クナーペン、レイモンド
IPC: C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/458 , H01L51/0021 , H01L51/56
Abstract: 基板上に原子層を堆積する方法は、ドラムに備えられた前駆体ガス供給部から前駆体ガスを供給することを備え、該ドラムはガス源からガスを受け取るシーリング部に対して回転可能である。ドラム又はシーリング部の一方は、前駆体ガス供給部に流体接続された1以上のガス供給チャンネルを備え、ドラム又はシーリング部の他方は、その表面にドラム又はシーリング部の一方によって密閉された1以上の円周溝を備え、それによって径方向の流体流路を防ぎ、周方向に流体流路を開放する。少なくとも1つの密閉された溝は、密閉された溝内のプロセスガス供給の隣接するゾーンを分離する1以上の分離部を備え、それにより、前駆体ガスを基板近傍、例えば基板上で反応させ、組成勾配の原子層の積層を堆積させるための、互いに異なるプロセスガス組成物をゾーンが提供することが可能となる。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017517413A
公开(公告)日:2017-06-29
申请号:JP2016564063
申请日:2015-04-23
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ヨス ホウベン、レネ , ヨス ホウベン、レネ , アントニウス マリア ブラウエルス、レオナルトゥス , アントニウス マリア ブラウエルス、レオナルトゥス , ヘーラルトゥス マリア ビーマンス、アウフスティヌス , ヘーラルトゥス マリア ビーマンス、アウフスティヌス , レイフェルス、アンドリース , コルネリス フェーンストラ、フリッツ , コルネリス フェーンストラ、フリッツ
CPC classification number: B29C67/0085 , B29C64/106 , B29C64/20 , B29C64/386 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y40/00 , B33Y50/02
Abstract: 本発明は、製造ライン及び層状製造により有形物を製造するための方法に関する。この製造ラインは、製造原料を製造プラットフォーム(2、3)上に層状に堆積するための堆積ヘッド(4)を備える。この製造プラットフォームは、コンベヤ(5)に沿って異なる速度で移動できる。付加的には、製造プラットフォームの高さを調節することができる。この方法は、少なくとも2個の製造プラットフォームが異なる速度で移動することを特徴とする。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2015526862A
公开(公告)日:2015-09-10
申请号:JP2015527418
申请日:2013-08-16
Applicant: ネダーランツェ オルガニザ−ツィ フォーア トゥーゲパスト−ナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズック テーエヌオーNederlandse Organisatie Voor Toegepast−Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno , ネダーランツェ オルガニザ−ツィ フォーア トゥーゲパスト−ナトゥールヴェテンシャッペリーク オンデルズック テーエヌオーNederlandse Organisatie Voor Toegepast−Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno , コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ , コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
Inventor: ウィレム アルバート ヤング,エドワルド , ウィレム アルバート ヤング,エドワルド , クリスティン エルメス,ドロシー , クリスティン エルメス,ドロシー , マリア トーネン,レオナルドゥス , マリア トーネン,レオナルドゥス , リフカ,ヘルベルト
CPC classification number: H01L51/5212 , B32B15/04 , B32B2307/202 , B32B2457/00 , B32B2457/12 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/5203 , H01L51/5253 , H01L51/5256 , H01L51/56 , H01L2251/5338 , H01L2251/5361 , H05K1/0265 , H05K1/0274 , H05K1/0287 , H05K1/0393 , H05K1/16 , H05K3/20 , H05K2201/0195 , H05K2201/09681
Abstract: 導電性材料の導電性構造体(20)を有する基板(10)を含む電気光学部品であって、前記導電性構造体(20)は第1の無機層(32)、第2の無機層(34)および前記各無機層の間の有機層(36)を有するバリア構造体(30)に埋め込まれ、前記第2の無機層および前記有機層は機層部分(36a)に導電性構造体によって区画されており、前記電気光学部品はさらに第1の透光性導電層(42)、第2の導電層および第1および第2の導電層との間に配置された電気光学層(42)を有する電気光学素子(40)を備え、前記透光性導電層が陰極であり前記第2の導電層が陽極であるか、前記透光性導電層が陽極であり前記第2の導電層が陰極であり、および、前記電気光学素子はさらに電気光学素子(40)を取り囲むバリア構造体と組み合わせた保護層(50)を備え、前記導電性構造体は取り囲まれたメッシュ(24)および少なくとも1つの導電性素子(22a)を備えることを特徴とし、前記少なくとも1つの導電性素子(22a)は取り囲まれたメッシュ(24)によって囲まれた領域(26a)に配され、および前記第1の透光性導電層(42)は基板(10)から離れて面した取り囲まれたメッシュ(24)の表面に配され、および前記第2の導電層(44)は、前記第1の透光性導電層(42)および前記電気光学層(46)を横方向に越えた位置にて前記少なくとも1つの導電性素子(22a)と物理的及び電気的に接触している。
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公开(公告)号:JP2016529516A
公开(公告)日:2016-09-23
申请号:JP2016538882
申请日:2014-09-01
Applicant: ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO , ネーデルランセ オルハニサチエ フォール トゥーヘパスト−ナツールウェーテンシャッペルック オンデルズク テーエヌオーNederlandse Organisatie voor toegepast−natuurwetenschappelijk onderzoek TNO
Inventor: ヴィレム フレデリック フォルカー、アルノ , ヴィレム フレデリック フォルカー、アルノ , ズィル、ペトルス ステファヌス ファン , ズィル、ペトルス ステファヌス ファン , パラファン、ロトフォーラ
CPC classification number: G01N29/07 , G01N29/043 , G01N29/44 , G01N29/4472 , G01N2291/0289 , G01N2291/103 , G01N2291/106
Abstract: 欠陥監視システムは、パイプラインのような検査中の構造体の壁にある超音波送信機及び受信機を有する。受信機は、検査中の構造体の壁にある検査中の領域を実質的に包囲する位置のアレイに配置される。アレイは異なった軸方向の位置においてパイプラインに沿った2つの円周リングを備え得る。超音波受信機のアレイは、領域を出て壁を通過して壁の他の部分へ向かう超音波に起因する信号を測定するために使用され得る。領域内にある位置から境界における受信機の位置への伝播のモデル化された効果を補償するように、逆伝播信号は測定信号から包囲された領域内で位置に関して計算される。閉じられた領域における位置に関する逆伝播信号は、領域の境界にわたる近似積分を得るために受信機の位置に渡って合計される。積分は領域内にある位置に関する逆伝播信号に関する正規化因子として使用される。このようにして、壁における欠陥のサイズを示す反射及び/又は送信係数は、超音波結合係数の較正と無関係に得られる。【選択図】図1a
Abstract translation: 具有在测试结构的壁中的超声波发射器和接收器,如管道缺陷监测系统。 所述接收器被定位在其基本上包围的区域被检查在该结构的壁所检查的阵列的位置。 阵列可包括两个圆周环沿管道在轴向不同的位置上。 超声接收器的阵列可被用于测量从穿过所述壁的超声波出朝向壁的另一部分的区域的产生的信号。 为了补偿传输到接收器位置中的从该区域的位置处的边界的模型化的效果,反向传播信号相对于计算出的位置在从测量信号封闭区域中。 反向传输与在闭合区域的位置信号是为了获得该区域的边界上的近似积分在所述接收器的位置的总和。 积分被用作用于相关的区域内的位置的逆传播信号归一化因子。 以这种方式,对反射和/或透射系数表示获得独立超声耦合系数的校准的在壁中的缺陷的尺寸。 点域1A
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