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公开(公告)号:JP2010038923A
公开(公告)日:2010-02-18
申请号:JP2009213805
申请日:2009-09-15
Inventor: SNOW DONALD B , STROM JOHN T , KRAFT RAYMOND H
CPC classification number: G01B11/254 , G01B11/245 , G01C11/06 , G06T7/521 , H05K13/0015
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a preferable stereoscopic three-dimensional optical measurement system and a method. SOLUTION: A stereoscopic three-dimensional optical measurement system (100) and a method accurately measure the location of physical features (129) on a test article (120) in a manner that is fast and robust relating to surface contour discontinuities. A test article (120) can be imaged from two or more perspectives through a substantially transparent fiducial plate (190) bearing a fiducial marking (199) so that cameras (111, 112) viewing angles and apparent relative distances between a feature on a test article (120) and one or more fiducials (199) may enable accurate calculation of feature position. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题:提供优选的立体三维光学测量系统和方法。 解决方案:立体三维光学测量系统(100)和方法以与表面轮廓不连续性相关的快速且鲁棒的方式精确地测量测试物品(120)上的物理特征(129)的位置。 测试物品(120)可以从两个或多个透视图通过具有基准标记(199)的基本上透明的基准板(190)成像,使得相机(111,112)的视角和测试中的特征之间的明显的相对距离 物品(120)和一个或多个基准(199)可以使得能够精确地计算特征位置。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP4918634B2
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:JP2007535661
申请日:2004-10-07
Inventor: エー ジョージ アントネリ , マイケル コテルヤンスキー , トン ジェン , グレイ タス , ディー アンドレ ミラー , ジェー クリストファー モラス , グエナディー ラザロヴ , エル ジェミー リュトケ , ピー シーン レアリー
IPC: G01N21/00
CPC classification number: G01N21/211 , G01N21/8422
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公开(公告)号:JP5033875B2
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:JP2009519649
申请日:2007-07-11
IPC: H01L21/027 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/9503
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公开(公告)号:JP2008537781A
公开(公告)日:2008-09-25
申请号:JP2008505351
申请日:2006-03-22
Inventor: アール グレゴリイ ウォルフ
CPC classification number: G01R31/2858 , G01N21/1702 , G01N21/9501 , G01N2021/1706 , G01R31/2831 , G01R31/311
Abstract: ウエハの性状を測定するための測定システムは、4点プローブシステム等の伝導率測定を実行するための装置を、光音響測定システム等の光学測定を実行するための装置と組み合わせたものである。 薄膜基板の性質を記述した包括的なデータセットを提供するために、結果が取得され組み合わせられる。
【選択図】図4-
公开(公告)号:JP5318784B2
公开(公告)日:2013-10-16
申请号:JP2009551059
申请日:2008-02-25
Inventor: アラン・カールソン , アジャイ・パイ , トゥアン・デイ・レ , アントニー・ラビ・フィリップ
CPC classification number: G06T7/0006 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N2021/8841 , G01R31/2831 , G01R31/303 , G06T2207/30148 , H01L21/67253
Abstract: Systems and method for monitoring semiconductor wafer fabrication processing, for example based upon EBR line inspection, including capturing at least one image of a wafer at an intermediate stage of fabrication. The captured image(s) are compressed to generate a composite representation of at least an edge zone of the wafer. An edge bead removal area is identified in the representation, and at least one feature attribute is extracted from the identified area. The extracted feature attribute is automatically assessed, and information relating to a status of the fabrication processing in generated based upon the assessment. For example, recommended modifications to the fabrication processing, either upstream or downstream of the current stage of fabrication (or both) can be generated and implemented.
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公开(公告)号:JP2009544157A
公开(公告)日:2009-12-10
申请号:JP2009519649
申请日:2007-07-11
IPC: H01L21/027 , G01N21/956 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/9503
Abstract: 半導体ウエハ等の品物の1つ以上の特徴を特性決定するために使用される、縁部特徴測定システムおよび方法。 特性決定される特徴は、ウエハの縁部に隣接したレジスト層外側境界、および、要望に応じて、ウエハ縁部に隣接した他のウエハの特徴を含む。 ある実施形態において、例えば、半導体ウエハの周縁部の周りでレジストが除去された場合、ウエハの縁部からレジスト層縁部までの相対距離を、画像化システムを介して検出することができる。 他の実施形態において、ウエハの中心(または1つ以上のレジスト層の中心)が検出され、また望ましい場合は、ウエハ中心と1つ以上のレジスト層の中心との間の相対オフセットが検出される。
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公开(公告)号:JP5055385B2
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:JP2009551728
申请日:2008-02-28
CPC classification number: G01N21/1717 , G01N21/95684 , G01N29/2418 , G01N2021/1725 , G01N2021/8416 , G01N2021/95638
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公开(公告)号:JP2010519772A
公开(公告)日:2010-06-03
申请号:JP2009551059
申请日:2008-02-25
Inventor: アジャイ・パイ , アラン・カールソン , アントニー・ラビ・フィリップ , トゥアン・デイ・レ
CPC classification number: G06T7/0006 , G01N21/9501 , G01N21/9503 , G01N2021/8841 , G01R31/2831 , G01R31/303 , G06T2207/30148 , H01L21/67253
Abstract: 【課題】例えば、製造の中間段階においてウェハの少なくとも一つの画像を取り込むことを含む、EBR線の検査に基づく半導体ウェハ製造プロセスのモニタリングのためのシステム及び方法。
【解決手段】取り込まれた画像は圧縮され、ウェハの少なくともエッジ区域の複合表現を生成する。 この表現においてエッジビード除去領域が識別され、識別された領域から少なくとも一つの形状属性が抽出される。 抽出された形状属性は自動的に評価され、この評価に基づいて製造プロセスの状況に関する情報が生成される。 例えば、現在の製造段階の上流又は下流のいずれか(又は両方)において製造プロセスに対して推奨される修正を生成して実装できる。-
公开(公告)号:JP6211523B2
公开(公告)日:2017-10-11
申请号:JP2014537158
申请日:2012-10-17
Applicant: ルドルフテクノロジーズ インコーポレイテッド , Rudolph Technologies, Inc.
Inventor: ビショップ ロバート , ピンクニー ティモシー
CPC classification number: H04N5/2356 , G01N21/6456 , G01N21/8806 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G03B13/36 , H04N5/332 , H04N5/37206 , H04N5/378 , H04N7/18 , G01N2021/6463 , G01N2021/95638 , G01N2201/0612 , G01N2201/062 , G01N2201/10
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公开(公告)号:JP5089166B2
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:JP2006507186
申请日:2004-03-12
Inventor: ジョン ティー. ストレム, , レイモンド エイチ. クラフト,
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R3/00 , G01R35/00
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