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公开(公告)号:JP5638537B2
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:JP2011542157
申请日:2009-09-30
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/3431
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公开(公告)号:JP2012084170A
公开(公告)日:2012-04-26
申请号:JP2011286244
申请日:2011-12-27
Inventor: CONLEY KEVIN , CHANG ROBERT , WES G BREWER , ERIK BOHN , CEDAR YORAM
CPC classification number: G06F3/0643 , G06F3/0619 , G06F3/0679
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a removable data storage device that intelligently operates as one large data storage region or as multiple smaller data storage regions.SOLUTION: The removable data storage device can be used in not only modern electronic products (using 32-bit addressing) but also legacy products (using 16-bit addressing). A host device couples to the removable storage device to access data stored in the removable storage device. As an example, the removable data storage device can be a memory card.
Abstract translation: 要解决的问题:提供智能地作为一个大数据存储区域或多个较小数据存储区域的可移动数据存储设备。 解决方案:可移动数据存储设备不仅可用于现代电子产品(使用32位寻址),还可用于传统产品(使用16位寻址)。 主机设备耦合到可移动存储设备以访问存储在可移动存储设备中的数据。 作为示例,可移动数据存储设备可以是存储卡。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP2015531524A
公开(公告)日:2015-11-02
申请号:JP2015536847
申请日:2013-10-08
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
Inventor: バオチアン リュウ , バオチアン リュウ , マット デビッドソン , マット デビッドソン , アルナ グッタ , アルナ グッタ
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F13/1678 , G06F13/1684 , G06F13/4018
Abstract: 第1(104)および第2(106)のデータインタフェースは、複数のメモリバンク(109A〜109D)に対するデータ送受信を行う。第1のデータインタフェース(104)は、第1のバスサイズ(bs1)および第1のクロック周波数(clk1)を使用する。第2のデータインタフェース(106)は、第2のバスサイズ(bs2)および第2のクロック周波数(clk2)を使用する。第2のバスサイズ(bs2)は、第1のバスサイズ(bs1)の整数倍である。第1のクロック周波数(clk1)は、第2のクロック周波数(clk2)の整数倍である。チャネライザモジュール(105)は、第2のデータインタフェース(106)からのデータを第1のバスサイズ(bs1)のデータセグメントに分割し、これらを複数のメモリバンク(109A〜109D)のうちの指定されたメモリバンクへ第1のクロック周波数(clk1)を用いて送信する。チャネライザモジュール(105)はまた、第1のバスサイズ(bs1)および第1のクロック周波数(clk1)に従って複数のメモリバンク(109A〜109D)からデータを受信し、当該データを第2のバスサイズ(bs2)となるように結合し、そのデータを、第2のクロック周波数(clk2)を用いて第2のデータインタフェース(106)へ送信する。
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公开(公告)号:JP5613663B2
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:JP2011512531
申请日:2009-05-28
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
Inventor: ゲルト ヤン ヘミンク , ゲルト ヤン ヘミンク , シーチャン リー , シーチャン リー , 達 三輪 , 達 三輪 , ユーピン フォン , ユーピン フォン , ジュン ワン , ジュン ワン , 健 大和田 , 健 大和田
CPC classification number: G11C16/3418
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公开(公告)号:JP5650659B2
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:JP2011542253
申请日:2009-12-09
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
Inventor: ジェー. ケー. ホン,リチャード , ジェー. ケー. ホン,リチャード
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088
CPC classification number: H03K17/08122 , H01L27/0266 , H03K19/00315
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公开(公告)号:JP5650226B2
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:JP2012528852
申请日:2010-09-07
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
Inventor: ジェン ペイ , ジェン ペイ , ランラン グ , ランラン グ , ニーマ モクレシー , ニーマ モクレシー , イダン アルロッド , イダン アルロッド , エラン シャロン , エラン シャロン , イツァーク アフリアット , イツァーク アフリアット
CPC classification number: G11C16/3418 , G06F11/1072
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公开(公告)号:JP2015506528A
公开(公告)日:2015-03-02
申请号:JP2014549059
申请日:2012-11-19
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
CPC classification number: G11C11/5642 , G06F11/1072
Abstract: 同時マルチ閾値(SMT)センスから生じ得るセンスバラツキを緩和するための方法および装置が提供される。SMTセンス中に、2以上の異なるバイアス条件を使用して、2つの異なる閾値電圧を同時にセンスしてもよい。しかしながら、検証に使用したものとは異なるバイアス条件を使用して読み出しする際に、メモリセルの閾値電圧シフトに差異が生じ得る。一実施形態では、各プログラム状態は、SMT検証中に使用した両方(またはすべて)のバイアス条件を使用して読み出される。言い換えると、2つ(またはそれよりも多く)の異なるセンス動作を使用して、各メモリセルを読み出す。これらの異なるセンス動作からのデータを使用して、ECCデコーダに対する初期値(例えば、LLR、LR、確率)を計算してもよい。一実施形態では、この技術は、通常の読み出しが失敗した場合にのみ実行される。
Abstract translation: 提供了用于减轻可能从同步多阈值(SMT)感出现感变化的方法和装置。 SMT在这个意义上,使用两个或多个不同的偏压条件下,两个不同的阈值电压可被同时感测。 然而,当读取通过使用不同的偏置条件与用于验证,也可以在存储器单元的阈值电压偏移发生差异。 在一个实施例中,每个节目的状态是通过使用两个在SMT验证中使用(或全部)的偏置条件读取。 换句话说,使用的不同的感测操作中,读取每个存储器单元的两个(或更多个)。 从这些不同的感测操作中的数据,对于所述ECC解码器的初始值(例如,LLR,LR,概率)可以被计算。 在一个实施例中,仅当正常读取失败则执行该技术。
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公开(公告)号:JP5617079B2
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:JP2011171531
申请日:2011-08-05
Applicant: サンディスクテクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
Inventor: アナトリエヴィッチ ゴロベッツ,セルゲイ , アナトリエヴィッチ ゴロベッツ,セルゲイ , ダグラス ブルース,アラン , ダグラス ブルース,アラン , デビッド ベネット,アラン , デビッド ベネット,アラン
CPC classification number: G06F11/1666 , G06F11/1072 , G06F11/141 , G06F11/1415 , G06F11/1658 , G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7205 , G06F2212/7208 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/102 , G11C16/105 , G11C16/20 , G11C29/00 , G11C29/76 , G11C2211/5641
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9.Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor 审中-公开
Title translation: 具有堆叠集成电路的集成电路封装及其方法公开(公告)号:JP2012256934A
公开(公告)日:2012-12-27
申请号:JP2012189064
申请日:2012-08-29
Inventor: KEE SOO-CHOK
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L23/50 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/05599 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/32145 , H01L2224/45099 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/8547 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide improved approaches to stacking integrated circuit chips within an integrated circuit package.SOLUTION: The improved approaches enable increased integrated circuit density within integrated circuit packages, yet the resulting integrated circuit packages are thin and low profile. These improved approaches are particularly useful for stacking integrated circuit chips having the same size (and often the same function) in the integrated circuit packages. One example of such an integrated circuit package is a non-volatile memory integrated circuit package that contains multiple, like-sized memory storage integrated circuit chips stacked on one or both sides of a leadframe.
Abstract translation: 要解决的问题:提供在集成电路封装内堆叠集成电路芯片的改进方法。 解决方案:改进的方法可以提高集成电路封装内的集成电路密度,但由此产生的集成电路封装薄而薄。 这些改进的方法对于在集成电路封装中堆叠具有相同尺寸(并且经常相同的功能)的集成电路芯片特别有用。 这种集成电路封装的一个例子是非易失性存储器集成电路封装,其包含堆叠在引线框的一侧或两侧上的多个相同大小的存储器存储集成电路芯片。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JP5643212B2
公开(公告)日:2014-12-17
申请号:JP2011534566
申请日:2009-09-23
Applicant: サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc. , サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドSanDisk Technologies,Inc.
Inventor: ジェフリー ダブリュー. ルッツェ , ジェフリー ダブリュー. ルッツェ , ディーパンシュ ダッタ , ディーパンシュ ダッタ
IPC: G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/336 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/3454 , G11C2211/5621
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